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Semiconductores discretos

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N.° de pieza

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT190R70ILB
STMicroelectronics
1: S/15.73
700En existencias
Nuevo producto

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SGT190R70ILB

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511-SGT190R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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S/15.73

S/11.72

S/8.87

S/8.56

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S/5.96

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: 3,000

GaN FETs

GaN

SMD/SMT

PowerFLAT-8

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1: S/19.31
700En existencias
Nuevo producto

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SGT140R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

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S/19.31

S/13.51

S/10.12

S/8.99

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S/7.47

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: 3,000

GaN FETs

GaN

SMD/SMT

PowerFLAT-8

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ILB
STMicroelectronics
1: S/15.06
700En existencias
Nuevo producto

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SGT240R70ILB

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511-SGT240R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

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700En existencias

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S/15.06

S/10.43

S/7.90

S/6.93

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Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

GaN FETs

GaN

SMD/SMT

PowerFLAT-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/26.98
214En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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214En existencias

Cinta cortada

S/26.98

S/18.06

Envase tipo carrete

S/18.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/32.93
140En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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140En existencias

Cinta cortada

S/32.93

S/23.20

Envase tipo carrete

S/23.20

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Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

STB25N018M9
STMicroelectronics
1: S/23.86
115En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STB25N018M9

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

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115En existencias

1,000En pedido

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S/23.86

S/15.65

S/11.52

S/10.39

Envase tipo carrete

S/8.80

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

STL059N4S8AG
STMicroelectronics
1: S/14.52
103En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL059N4S8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL059N4S8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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103En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

: 3,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
617En existencias
600Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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617En existencias

600Se espera el 2/07/2026

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/86.10
12En existencias
600Se espera el 2/04/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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12En existencias

600Se espera el 2/04/2027

Cinta cortada

S/86.10

S/64.30

S/49.40

Envase tipo carrete

S/49.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

LEO1N5819AF
STMicroelectronics
1: S/31.22
200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
LEO1N5819AF

N.º de artículo de Mouser
511-LEO1N5819AF

Nuevo producto

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

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200En existencias

Cinta cortada

S/31.22

S/21.99

S/17.83

Envase tipo carrete

S/15.10

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

SOD-128-2

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

STPSC40G12WL
STMicroelectronics
1: S/72.01
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPSC40G12WL

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC40G12WL

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

Hoja de datos

543En existencias

S/72.01

S/53.52

S/44.65

S/44.61

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
1,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,546En existencias

S/60.57

S/42.86

S/39.66

S/39.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/205.41
850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

850En existencias

S/205.41

S/181.66

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier

STPST5H100SF
STMicroelectronics
1: S/3.31
11,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPST5H100SF

N.º de artículo de Mouser
511-STPST5H100SF

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier

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Hoja de datos

11,099En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.08

S/1.44

S/1.20

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Envase tipo carrete

S/0.864

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

TO-277A-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/68.16
1,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,435En existencias

S/68.16

S/44.41

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
41,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Hoja de datos

41,883En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.74

S/2.48

S/1.94

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor

TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
1: S/19.73
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN3050HP-12L2Y

N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y

STMicroelectronics

SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor

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Hoja de datos

568En existencias

Cinta cortada

S/19.73

S/16.15

S/13.97

Envase tipo carrete

S/12.30

S/11.29

S/11.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SCRs

SMD/SMT

HUPAK-9

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/33.28
3,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,719En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.94

S/21.64

S/21.60

S/20.20

Envase tipo carrete

S/20.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/44.18
6,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6,411En existencias

S/44.18

S/30.75

S/28.34

S/28.03

S/27.60

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/49.40
2,496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,496En existencias

Cinta cortada

S/49.40

S/34.76

S/27.87

S/27.36

S/25.53

Envase tipo carrete

S/25.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/79.41
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

178En existencias

Cinta cortada

S/79.41

S/56.71

S/47.92

Envase tipo carrete

S/47.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

MOSFETs

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier

STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1: S/4.24
5,787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPST8H100SFY

N.º de artículo de Mouser
511-STPST8H100SFY

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier

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Hoja de datos

5,787En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.75

S/1.97

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

TO-277A-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: S/72.67
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

517En existencias

S/72.67

S/45.11

S/40.87

S/38.38

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

SCR 16 A 800 V High Temperature SCR

TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
1: S/8.33
3,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN1605H-8G-TR

N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8G-TR

STMicroelectronics

SCR 16 A 800 V High Temperature SCR

Obtenga más información

Hoja de datos

3,994En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.59

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SCRs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/17.94
2,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,409En existencias

Cinta cortada

S/17.94

S/11.83

S/8.37

S/7.16

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK