Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
STB25N018M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL059N4S8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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MOSFETs
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT190R70ILB
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GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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S/22.42
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S/17.94
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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600 Se espera el 1/03/2027
1
S/86.10
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S/49.16
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SiC MOSFETS
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3,719 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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S/44.18
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
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S/68.16
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N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,463 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
STD18NF25
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S/11.64
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N.º de artículo de Mouser 511-STD18NF25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
17,328 En existencias
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S/11.64
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S/7.28
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S/3.97
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S/3.70
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
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S/5.53
41,888 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,888 En existencias
1
S/5.53
10
S/3.49
100
S/2.32
500
S/1.81
1,000
S/1.65
3,000
S/1.46
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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1:
S/79.41
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N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
179 En existencias
1
S/79.41
10
S/56.64
100
S/47.29
200
S/47.29
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MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
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1:
S/72.67
517 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
517 En existencias
1
S/72.67
10
S/45.19
120
S/42.62
510
S/38.38
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/16.78
2,419 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,419 En existencias
1
S/16.78
10
S/11.05
100
S/7.82
500
S/7.16
1,000
S/6.70
2,500
S/6.70
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7
STMicroelectronics
1:
S/7.79
26,961 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL60N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
26,961 En existencias
1
S/7.79
10
S/4.98
100
S/3.34
500
S/2.64
1,000
Ver
3,000
S/2.13
1,000
S/2.42
3,000
S/2.13
24,000
Presupuesto
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Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
1:
S/3.81
70,215 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
70,215 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.21
100
S/1.55
500
S/1.19
2,500
S/0.965
5,000
Ver
1,000
S/1.07
5,000
S/0.786
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/11.64
20,019 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20,019 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.51
100
S/5.14
500
S/4.20
1,000
S/3.97
3,000
S/3.69
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Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/60.57
1,546 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,546 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
S/205.41
850 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
850 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
STB55NF06T4
STMicroelectronics
1:
S/11.33
3,763 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB55NF06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
3,763 En existencias
1
S/11.33
10
S/7.05
100
S/5.57
500
S/4.71
1,000
S/4.40
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Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STP60NF10
STMicroelectronics
1:
S/11.02
1,971 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP60NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
1,971 En existencias
1
S/11.02
10
S/4.05
100
S/3.63
500
S/3.28
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
STP80NF03L-04
STMicroelectronics
1:
S/7.05
3,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP80NF03L-04
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
3,142 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STP80NF10
STMicroelectronics
1:
S/16.04
1,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP80NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
1,735 En existencias
1
S/16.04
10
S/10.00
100
S/7.67
500
S/6.50
1,000
Ver
1,000
S/5.96
2,000
S/5.57
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
STB60NF06T4
STMicroelectronics
1:
S/9.50
4,528 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB60NF06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
4,528 En existencias
1
S/9.50
10
S/6.07
100
S/4.20
500
S/3.34
1,000
S/2.83
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Perú
