Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
ADF4383BCCZ
Analog Devices
1:
S/1,547.62
173 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 584-ADF4383BCCZ
Nuevo producto
Analog Devices
Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
173 En existencias
1
S/1,547.62
10
S/1,339.33
25
S/1,287.25
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Detalles
System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
ESP32-D0WDRH2-V3
Espressif Systems
1:
S/20.98
4,995 En existencias
5,000 Se espera el 24/06/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 356-ESP32-D0WDRH2-V3
Nuevo producto
Espressif Systems
System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
4,995 En existencias
5,000 Se espera el 24/06/2026
1
S/20.98
10
S/13.90
25
S/12.65
100
S/10.82
250
Ver
250
S/10.28
500
S/9.85
1,000
S/9.46
2,500
S/9.11
5,000
S/9.07
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Detalles
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
Mini-Circuits
1:
S/128.84
211 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 139-PMA2-123LNW+
Nuevo producto
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
211 En existencias
1
S/128.84
10
S/128.80
20
S/104.32
50
S/93.89
100
Ver
500
S/78.32
100
S/93.42
200
S/92.17
500
S/78.32
1,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.98
2,197 En existencias
10,000 Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
2,197 En existencias
10,000 Se espera el 3/09/2026
1
S/10.98
10
S/7.08
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S/4.87
500
S/3.93
1,000
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5,000
S/3.43
1,000
S/3.67
2,500
S/3.55
5,000
S/3.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
IXTX400N20X4
IXYS
1:
S/113.54
333 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 747-IXTX400N20X4
Nuevo producto
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
333 En existencias
1
S/113.54
10
S/91.63
100
S/80.15
500
S/75.55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.13
2,080 En existencias
6,000 Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IQEH42NE2LM7ZCGS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
2,080 En existencias
6,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/17.13
10
S/11.21
100
S/8.37
500
S/7.01
1,000
Ver
6,000
S/6.11
1,000
S/6.50
2,500
S/6.11
6,000
S/6.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.78
1,071 En existencias
8,000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser 726-ISCH57N04NM7VSCA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
1,071 En existencias
8,000 En pedido
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1,071 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 23/07/2026
4,000 Se espera el 6/08/2026
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20 Semanas
1
S/16.78
10
S/10.98
100
S/8.17
500
S/6.85
1,000
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4,000
S/5.37
1,000
S/6.34
2,000
S/5.92
4,000
S/5.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1:
S/14.75
3,052 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 757-TPM1R408RHLQ
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
3,052 En existencias
1
S/14.75
10
S/9.61
100
S/6.73
500
S/5.64
1,000
Ver
5,000
S/4.44
1,000
S/5.22
2,500
S/4.87
5,000
S/4.44
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.92
1,798 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ461EP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,798 En existencias
1
S/12.92
10
S/8.37
100
S/5.80
500
S/4.83
1,000
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1,000
S/4.67
3,000
S/4.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/18.14
4,373 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ463EP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
4,373 En existencias
1
S/18.14
10
S/11.87
100
S/8.87
500
S/7.43
1,000
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1,000
S/7.20
3,000
S/6.50
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.99
2,995 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N036TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
2,995 En existencias
1
S/11.99
10
S/7.75
100
S/5.33
500
S/4.32
2,000
S/3.48
10,000
Ver
1,000
S/4.13
10,000
S/3.39
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.77
5,421 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
5,421 En existencias
1
S/12.77
10
S/8.17
100
S/5.72
500
S/4.71
1,000
S/4.48
5,000
S/4.09
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Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/15.26
7,890 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQRS160EP-T1_GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
7,890 En existencias
1
S/15.26
10
S/12.26
100
S/10.04
500
S/8.17
3,000
S/5.33
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.52
2,030 En existencias
10,000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
2,030 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2,030 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 30/07/2026
5,000 Se espera el 13/05/2027
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52 Semanas
1
S/14.52
10
S/9.46
100
S/6.89
500
S/5.76
1,000
Ver
5,000
S/5.02
1,000
S/5.37
2,500
S/5.02
5,000
S/5.02
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.16
2,690 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ858AEP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2,690 En existencias
1
S/7.16
10
S/4.44
100
S/2.91
500
S/2.28
1,000
Ver
1,000
S/2.01
3,000
S/1.70
6,000
S/1.57
9,000
S/1.51
24,000
S/1.33
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Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/14.95
740 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQM40022EM_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
740 En existencias
1
S/14.95
10
S/9.77
100
S/7.12
500
S/5.96
800
Ver
800
S/5.49
2,400
S/5.14
5,600
S/4.67
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Min.: 1 Mult.: 1
Rectificadores y diodos Schottky 12A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS12PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/5.02
4,550 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SS12PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 12A,100VG2PSKYSMPCRect.
4,550 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.58
100
S/2.23
500
S/1.54
6,500
S/1.00
13,000
Ver
1,000
S/1.29
2,500
S/1.16
13,000
S/0.919
19,500
S/0.837
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 15A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS15PH102-M3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/4.44
4,515 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SS15PH102-M3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 15A,100VG2PSKYSMPCRect.
4,515 En existencias
1
S/4.44
10
S/3.15
100
S/1.96
500
S/1.35
6,500
S/0.884
13,000
Ver
1,000
S/1.14
2,500
S/1.02
13,000
S/0.81
19,500
S/0.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/4.79
5,112 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SS5PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
5,112 En existencias
1
S/4.79
10
S/3.32
100
S/2.10
500
S/1.30
6,500
S/0.736
13,000
Ver
1,000
S/0.961
2,500
S/0.852
13,000
S/0.642
19,500
S/0.525
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,500
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
MASW-011249
MACOM
1:
S/281.31
15 En existencias
137 Se espera el 6/07/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 937-MASW-011249
Nuevo producto
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
15 En existencias
137 Se espera el 6/07/2026
1
S/281.31
10
S/232.34
25
S/220.12
100
S/217.44
250
Ver
250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/3.74
5,184 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SS8PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
5,184 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.66
100
S/1.66
500
S/1.14
6,500
S/0.747
13,000
Ver
1,000
S/0.961
2,500
S/0.86
13,000
S/0.685
19,500
S/0.623
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Renesas Electronics
1:
S/7.36
1,400 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 968-40N10EANS5UA11HB
Nuevo producto
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
1,400 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.63
100
S/3.04
500
S/2.41
3,000
S/1.86
6,000
Ver
1,000
S/2.16
6,000
S/1.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1:
S/7.20
2,015 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 968-E111N10R1SZN2HB0
Nuevo producto
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
2,015 En existencias
1
S/7.20
10
S/4.52
100
S/2.97
500
S/2.36
3,000
S/1.83
6,000
Ver
1,000
S/2.12
6,000
S/1.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
ADL8120ACPZN-CSL
Analog Devices
1:
S/1,062.89
3 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 584-ADL8120ACPZN-CSL
Nuevo producto
Analog Devices
Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
3 En existencias
1
S/1,062.89
10
S/914.04
25
S/877.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102-M3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/4.13
5,100 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SS8PH102-M3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
5,100 En existencias
1
S/4.13
10
S/2.85
100
S/1.81
500
S/1.12
6,500
S/0.634
13,000
Ver
1,000
S/0.825
2,500
S/0.736
13,000
S/0.553
19,500
S/0.452
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,500
Detalles
Perú
