Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
ADF4383BCCZ
Analog Devices
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S/1,500.99
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584-ADF4383BCCZ
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Analog Devices
Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
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1
S/1,500.99
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S/1,299.43
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S/1,267.40
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System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
ESP32-D0WDRH2-V3
Espressif Systems
1:
S/20.98
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5,000 Se espera el 24/06/2026
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356-ESP32-D0WDRH2-V3
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Espressif Systems
System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
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1
S/20.98
10
S/13.90
25
S/12.65
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S/10.74
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250
S/10.20
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S/9.15
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S/7.51
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S/7.32
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Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
PE15A1019
Pasternack
1:
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28-PE15A1019
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Pasternack
Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
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Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
ZHL-10M2G0010+
Mini-Circuits
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139-ZHL-10M2G0010+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC024N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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S/13.16
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S/8.52
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S/6.27
500
S/5.25
1,000
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S/4.55
1,000
S/4.87
2,500
S/4.55
5,000
S/4.55
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Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
ZHL-10M1G01W0+
Mini-Circuits
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139-ZHL-10M1G01W0+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
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S/3,036.15
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S/2,963.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
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S/14.87
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726-IQEH42NE2LM7ZCGS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
3,622 En existencias
1
S/14.87
10
S/9.69
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S/7.59
500
S/6.34
1,000
S/5.53
6,000
S/5.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
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S/14.95
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726-ISCH57N04NM7VSCA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
1,400 En existencias
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1
S/14.95
10
S/9.73
100
S/7.43
500
S/6.23
1,000
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4,000
S/5.37
1,000
S/5.76
2,500
S/5.37
4,000
S/5.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
S/22.85
676 En existencias
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511-STWA60N028T
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
676 En existencias
1
S/22.85
10
S/18.29
100
S/14.79
600
S/13.12
1,200
S/11.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.46
1,922 En existencias
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78-SQJ461EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,922 En existencias
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S/12.46
10
S/8.02
100
S/5.72
500
S/4.79
1,000
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S/4.44
3,000
S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/17.32
4,413 En existencias
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
4,413 En existencias
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S/17.32
10
S/11.29
100
S/8.84
500
S/7.40
1,000
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S/6.85
3,000
S/6.42
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Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
Mini-Circuits
1:
S/128.84
286 En existencias
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139-PMA2-123LNW+
Nuevo producto
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
286 En existencias
1
S/128.84
10
S/128.80
20
S/104.32
50
S/93.89
100
Ver
500
S/78.32
100
S/93.42
200
S/92.17
500
S/78.32
1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.93
4,990 En existencias
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726-ISC034N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
4,990 En existencias
1
S/9.93
10
S/6.34
100
S/4.32
500
S/3.60
1,000
S/3.34
5,000
S/3.12
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5,000
Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
ZHL-10M2G0020+
Mini-Circuits
1:
S/15,414.92
2 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
139-ZHL-10M2G0020+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
2 En existencias
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2 Se espera el 8/07/2026
2 Se espera el 31/08/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/14.91
2,050 En existencias
6,000 Se espera el 21/05/2026
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78-SQRS160EP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2,050 En existencias
6,000 Se espera el 21/05/2026
1
S/14.91
10
S/12.49
100
S/10.28
500
S/8.41
3,000
S/5.25
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Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
CMX918Q5
CML Micro
1:
S/25.42
50 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
226-CMX918Q5-R701
Nuevo producto
CML Micro
Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
50 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024TRL-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.02
2,093 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024TRL-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
2,093 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.16
100
S/2.09
500
S/1.72
1,000
Ver
1,000
S/1.49
2,500
S/1.36
5,000
S/1.23
10,000
S/1.21
25,000
S/1.18
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/4.79
4,480 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SS5PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
4,480 En existencias
1
S/4.79
10
S/3.32
100
S/2.10
500
S/1.30
6,500
S/0.736
13,000
Ver
1,000
S/0.961
2,500
S/0.852
13,000
S/0.642
19,500
S/0.584
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6,500
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Rectificadores en puente 4A,800V,LOWVF,INLINEBRIDGE
KBPE0480-M3/P
Vishay Semiconductors
1:
S/9.07
1,181 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-KBPE0480-M3/P
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 4A,800V,LOWVF,INLINEBRIDGE
1,181 En existencias
1
S/9.07
10
S/5.80
100
S/4.01
500
S/3.39
1,000
Ver
1,000
S/2.84
2,500
S/2.62
5,000
S/2.51
10,000
S/2.48
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102-M3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/3.50
4,522 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SS5PH102-M3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
4,522 En existencias
1
S/3.50
10
S/2.41
100
S/1.53
500
S/0.946
6,500
S/0.537
13,000
Ver
1,000
S/0.701
2,500
S/0.623
13,000
S/0.467
19,500
S/0.424
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Carrete :
6,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
1:
S/3.74
4,547 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SS8PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
4,547 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.66
100
S/1.66
500
S/1.14
6,500
S/0.74
13,000
Ver
1,000
S/0.961
2,500
S/0.86
13,000
S/0.685
19,500
S/0.619
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Mult.: 1
Carrete :
6,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
SIHF520S-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.92
794 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
794 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.75
100
S/2.49
500
S/1.97
1,000
Ver
1,000
S/1.77
2,500
S/1.62
5,000
S/1.46
25,000
S/1.42
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.02
3,458 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
3,458 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.17
100
S/2.09
500
S/1.65
1,000
Ver
1,000
S/1.47
2,500
S/1.34
5,000
S/1.21
10,000
S/1.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Renesas Electronics
1:
S/6.46
1,400 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
968-40N10EANS5UA11HB
Nuevo producto
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
1,400 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.09
100
S/2.75
500
S/2.17
1,000
S/1.98
3,000
S/1.81
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1:
S/6.38
2,100 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
968-E111N10R1SZN2HB0
Nuevo producto
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
2,100 En existencias
1
S/6.38
10
S/4.01
100
S/2.70
500
S/2.13
1,000
S/1.94
3,000
S/1.77
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles