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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 11

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Selección de ficha Imagen Fabricante = STMicroelectronics

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.50
445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

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Hoja de datos

445En existencias

S/22.50

S/14.32

S/11.95

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/17.56
1,640En existencias
900Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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Hoja de datos

1,640En existencias

900Se espera el 18/03/2026

S/17.56

S/11.44

S/8.02

S/7.24

S/6.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/23.78
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

565En existencias

S/23.78

S/13.97

S/11.68

S/11.64

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/56.67
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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Hoja de datos

338En existencias

S/56.67

S/36.47

S/34.22

S/31.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/24.72
137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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Hoja de datos

137En existencias

S/24.72

S/18.96

S/13.51

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/25.53
352En existencias
600Se espera el 13/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

352En existencias

600Se espera el 13/07/2026

S/25.53

S/15.06

S/12.57

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/28.38
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

Hoja de datos

139En existencias

S/28.38

S/20.98

S/14.75

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

STFW12N120K5
STMicroelectronics
1: S/45.39
100Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

Hoja de datos

100Se espera el 16/03/2026

S/45.39

S/31.88

S/25.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)

STFW1N105K3
STMicroelectronics
600: S/7.94
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STFW1N105K3

N.º de artículo de Mouser
511-STFW1N105K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/7.94

Min.: 600
Mult.: 300

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

1.4 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW2N105K5
STMicroelectronics
900: S/4.44
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STFW2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/4.44

S/4.16

Min.: 900
Mult.: 300

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

2 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET

STFW42N60M2-EP
STMicroelectronics
300: S/27.17
No en existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STFW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STFW42N60M2-EP

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

S/27.17

S/24.17

S/22.62

Min.: 300
Mult.: 300

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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