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STFW12N120K5

Name: STMicroelectronics STFW12N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW12N120K5
Price: 45.39 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STFW12N120K5

Fabricante N.º:

STFW12N120K5

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3PF-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	620 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	44.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	18.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	STFW12N120K5
Cantidad de empaque de fábrica:	300
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	5.200 g