Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
MWT-PH27F71
CML Micro
1:
S/218.14
3 Se espera el 31/03/2026
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
3 Se espera el 31/03/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
26 GHz
25 dBm
16 dB
Reel, Cut Tape
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
onsemi 2SC5488A-TL-H
2SC5488A-TL-H
onsemi
1:
S/2.41
8,000 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
863-2SC5488A-TL-H
Fin de vida útil
onsemi
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
8,000 En pedido
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
BFR 460L3 E6327
Infineon Technologies
1:
S/2.02
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BFR460L3E6327
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
1
S/2.02
10
S/1.28
100
S/1.03
500
S/0.985
1,000
Ver
15,000
S/0.814
1,000
S/0.946
2,500
S/0.907
5,000
S/0.884
10,000
S/0.841
15,000
S/0.814
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
TSLP
Bipolar
Si
22 GHz
- 65 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW
CMUT5179 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
9,000:
S/0.428
30,000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
610-CMUT5179TR-TL
Central Semiconductor
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW
30,000 Existencias en fábrica disponibles
9,000
S/0.428
24,000
S/0.374
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Min.: 9,000
Mult.: 3,000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-523-3
Bipolar
Si
1.45 GHz
- 65 C
+ 150 C
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
MAX2601ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
2,500:
S/19.97
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
700-MAX2601ESAT
Analog Devices / Maxim Integrated
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOIC-Narrow-8
Bipolar Power
Si
900 MHz
- 40 C
+ 85 C
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
MAX2602ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
2,500:
S/20.55
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
700-MAX2602ESAT
Analog Devices / Maxim Integrated
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOIC-8
Bipolar Power
Si
900 MHz
- 40 C
+ 85 C
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR 340L3 E6327
Infineon Technologies
15,000:
S/0.444
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BFR340L3E6327
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 15,000
Mult.: 15,000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
TSLP
Bipolar
Si
14 GHz
- 65 C
+ 150 C
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,130.50
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-780GS-4L
Si
1.03 GHz to 1.09 GHz
700 W
- 55 C
+ 150 C
19.2 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
240:
S/268.78
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 240
Mult.: 240
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
1.8 MHz to 250 MHz
330 W
- 40 C
+ 150 C
20.4 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500:
S/122.50
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270WB-4
Si
764 MHz to 940 MHz
57 W
- 40 C
+ 150 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/89.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
764 MHz to 941 MHz
32 W
- 40 C
+ 150 C
15.7 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,102.86
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230G-4
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,611.40
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-780
Si
960 MHz to 1.215 GHz
275 W
+ 150 C
20.3 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,275.83
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-780S
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
330 W
+ 150 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150:
S/1,264.09
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 150
Mult.: 150
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-1230H-4
Si
1.8 MHz to 600 MHz
1.25 kW
+ 150 C
24 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
AFT31150NR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,155.41
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
771-AFT31150NR5
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
OM-780-2
Si
2.7 GHz to 3.1 GHz
150 W
- 40 C
+ 150 C
17.2 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,703.13
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-780H-2
Si
960 MHz to 1.215 MHz
500 W
+ 150 C
19.7 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
MW6S010GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/105.99
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010GNR1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
450 MHz to 1.5 GHz
10 W
+ 150 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-7F
CML Micro
10:
S/200.93
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-7F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-7F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
26 GHz
21 dBm
+ 150 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA102001EA-V1-R0
MACOM
1:
S/1,347.70
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA102001EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36265-2
Si
960 MHz to 1.6 GHz
200 W
+ 225 C
18.5 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA127002EV-V1-R0
MACOM
50:
S/3,344.67
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36275-4
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
700 W
+ 225 C
16 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
TAV1-541+
Mini-Circuits
1:
S/53.44
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541+
Mini-Circuits
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
No en existencias
1
S/53.44
20
S/7.75
100
S/7.55
500
S/7.43
1,000
S/6.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
MCLP-4
GaAs
45 MHz to 6 GHz
20.7 dBm
- 40 C
+ 85 C
18.6 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
+1 imagen
ARF466AG
Microchip Technology
1:
S/254.96
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
494-ARF466AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
+1 imagen
ARF466BG
Microchip Technology
25:
S/254.96
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
494-ARF466BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Comprar
Min.: 25
Mult.: 25
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
45 MHz
300 W
- 55 C
+ 150 C
16 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2
ARF466FL
Microchip Technology
10:
S/579.17
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
494-ARF466FL
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si