Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-1F
CML Micro
10:
S/248.54
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NRND
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MWT-1F
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938-MWT-1F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
12 GHz
26 dBm
+ 150 C
10 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-3F
CML Micro
1:
S/219.26
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NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-3F
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938-MWT-3F
NRND
CML Micro
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RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
12 GHz
22 dBm
+ 150 C
12 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-7
CML Micro
1,000:
S/128.57
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NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-7
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938-MWT-7
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
26 GHz
21 dBm
+ 150 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-7F
CML Micro
10:
S/225.03
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NRND
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MWT-7F
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938-MWT-7F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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Min.: 10
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
26 GHz
21 dBm
+ 150 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-9F
CML Micro
1:
S/269.94
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND
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MWT-9F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-9F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
Die
GaAs
18 GHz
26.5 dBm
+ 150 C
11 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTAC240502FC-V1-R0
MACOM
50:
S/310.70
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
2.3 GHz to 2.4 GHz
50 W
+ 225 C
14.3 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTAC240502FC-V1-R250
MACOM
250:
S/282.98
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
2.3 GHz to 2.4 GHz
50 W
+ 225 C
14.3 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTFC210202FC-V1-R0
MACOM
50:
S/231.88
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
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50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.8 GHz to 2.2 GHz
28 W
+ 225 C
21 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTFC210202FC-V1-R250
MACOM
250:
S/217.40
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.8 GHz to 2.2 GHz
28 W
+ 225 C
21 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
PTRA094858NF-V1-R5
MACOM
500:
S/460.44
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094858NFV1R5
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
No en existencias
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Min.: 500
Mult.: 500
Carrete :
500
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA030121EA-V1-R250
MACOM
250:
S/141.84
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Min.: 250
Mult.: 250
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36265-2
Si
390 MHz to 450 MHz
12 W
+ 225 C
25 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA035002EV-V1-R250
MACOM
250:
S/1,738.04
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA035002EV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36275-4
Si
390 MHz to 450 MHz
500 W
+ 225 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
PTVA035002EV-V1-R0
MACOM
50:
S/1,738.04
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA035002EVV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA047002EV-V1-R0
MACOM
50:
S/1,934.92
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA047002EV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA047002EV-V1-R250
MACOM
250:
S/1,934.92
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA047002EV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA101K02EV-V1-R0
MACOM
50:
S/3,201.81
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA101K02EV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36275-4
Si
1.03 GHz/1.09 GHz
25 W
+ 225 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA101K02EV-V1-R250
MACOM
250:
S/3,146.07
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA101K02EV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36275-4
Si
1.03 GHz/1.09 GHz
25 W
+ 225 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA102001EA-V1-R2
MACOM
250:
S/665.03
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA102001EA1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36265-2
Si
960 MHz to 1.6 GHz
200 W
+ 225 C
18.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA104501EH-V1-R0
MACOM
50:
S/2,035.47
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-33288-2
Si
960 MHz to 1.215 GHz
450 W
+ 225 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA104501EH-V1-R250
MACOM
250:
S/1,934.92
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-33288-2
Si
960 MHz to 1.215 GHz
450 W
+ 225 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120251EA-V2-R250
MACOM
250:
S/163.91
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-36265-2
Si
500 MHz to 1.4 GHz
25 W
+ 225 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120501EA-V1-R0
MACOM
50:
S/233.67
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-36265-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
50 W
17 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120501EA-V1-R250
MACOM
250:
S/204.43
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-36265-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
50 W
17 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA123501EC-V2-R0
MACOM
50:
S/1,333.22
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-36248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
17 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA123501EC-V2-R250
MACOM
250:
S/1,326.72
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-36248-2
Si
1.2 GHz to 1.4 GHz
350 W
17 dB
Reel