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Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL

BLC10G22XS-301AVTY
Ampleon
100: S/172.90
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-301AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS301AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/172.90

S/168.43

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

2.1 GHz to 2.17 GHz

300 W

- 40 C

+ 150 C

15 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY

BLC10G22XS-301AVTZ
Ampleon
60: S/188.44
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-301AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS301AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/188.44

S/183.18

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

2.1 GHz to 2.17 GHz

300 W

- 40 C

+ 150 C

15 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-400AVTZ
Ampleon
60: S/321.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-400AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS400AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/321.13

S/313.42

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.2 GHz

400 W

- 40 C

+ 125 C

16.3 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL

BLC10G22XS-401AVTY
Ampleon
100: S/307.74
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-401AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS401AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/307.74

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.2 GHz

400 W

- 40 C

+ 125 C

15 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-551AVTY
Ampleon
100: S/349.04
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-551AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/349.04

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.1 GHz to 2.2 GHz

550 W

- 40 C

+ 125 C

16 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-551AVTZ
Ampleon
60: S/407.66
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-551AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS551AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/407.66

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.1 GHz to 2.2 GHz

550 W

- 40 C

+ 125 C

16 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-570AVTZ
Ampleon
60: S/334.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-570AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS570AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/334.13

S/324.40

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.18 GHz

570 W

- 40 C

+ 125 C

15.7 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP

BLC10G22XS-600AVTY
Ampleon
100: S/305.06
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-600AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/305.06

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP

BLC10G22XS-600AVTZ
Ampleon
60: S/313.03
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-600AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS600AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/313.03

S/290.77

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-602AVTY
Ampleon
100: S/291.70
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-602AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/291.70

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15.4 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G22XS-602AVTZ
Ampleon
60: S/310.54
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-602AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS602AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/310.54

S/299.88

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15.4 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL

BLC10G22XS-603AVTY
Ampleon
100: S/293.61
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-603AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS603AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/293.61

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15.4 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD

BLC10G22XS-603AVTZ
Ampleon
60: S/313.00
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G22XS-603AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G22XS603AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/313.00

S/290.69

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

600 W

- 40 C

+ 125 C

15.4 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD

BLC10G27LS-320AVTY
Ampleon
100: S/295.60
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G27LS-320AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27LS320AVTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/295.60

Presupuesto

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-1-7

LDMOS

2.5 GHz to 2.7 GHz

320 W

+ 225 C

15.4 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD

BLC10G27LS-320AVTZ
Ampleon
60: S/320.66
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G27LS-320AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27LS320AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/320.66

S/300.46

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-1-7

LDMOS

2.5 GHz to 2.7 GHz

320 W

+ 225 C

15.4 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP

BLC10G27XS-400AVTZ
Ampleon
60: S/367.72
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G27XS-400AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27XS400AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/367.72

S/341.57

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.496 GHz to 2.69 GHz

400 W

- 40 C

+ 125 C

13.3 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY

BLC10G27XS-551AVTZ
Ampleon
60: S/510.85
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC10G27XS-551AVTZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G27XS551AVTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/510.85

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1258-4-7

LDMOS

2.62 GHz to 2.69 GHz

550 W

- 40 C

+ 125 C

13 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP

BLC2425M10LS250Z
Ampleon
60: S/358.11
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Z

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/358.11

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1270-1-3

LDMOS

2.4 GHz to 2.5 GHz

250 W

+ 225 C

14.4 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD

BLC2425M10LS500PY
Ampleon
100: S/704.85
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS500PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/704.85

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1250-1-5

LDMOS

2.4 GHz to 2.5 GHz

500 W

+ 225 C

14.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans

BLC8G21LS-160AVY
Ampleon
100: S/225.10
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC8G21LS-160AVY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC8G21LS-160AVY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/225.10

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

1.805 GHz to 2.025 GHz

160 W

+ 225 C

15 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans

BLC8G21LS-160AVZ
Ampleon
60: S/297.50
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC8G21LS-160AVZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC8G21LS-160AVZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/297.50

S/289.45

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

1.805 GHz to 2.025 GHz

160 W

+ 225 C

15 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP

BLC9G21LS-60AVY
Ampleon
100: S/179.37
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC9G21LS-60AVY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G21LS-60AVY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/179.37

S/176.06

Ver

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

1.805 GHz to 2.2 GHz

60 W

+ 225 C

17.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP

BLC9G21LS-60AVZ
Ampleon
60: S/188.16
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC9G21LS-60AVZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G21LS-60AVZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/188.16

S/187.81

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1275-1-7

LDMOS

1.805 GHz to 2.2 GHz

60 W

+ 225 C

17.5 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP

BLC9G22LS-160VTY
Ampleon
100: S/272.55
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLC9G22LS-160VTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLC9G22LS-160VTY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/272.55

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1271-2-5

LDMOS

2.11 GHz to 2.2 GHz

160 W

+ 225 C

15 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP

BLC9G22LS-160VTZ
Ampleon
60: S/285.05
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BLC9G22LS-160VTZ

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94-BLC9G22LS-160VTZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP

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RF MOSFETs

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LDMOS

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160 W

+ 225 C

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Transistores de radiofrecuencia

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Ampleon
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Microchip
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Mini-Circuits
Nexperia
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STMicroelectronics
Toshiba
WeEn Semiconductors
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
211-11
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
332A-3
333-04
333-4
355C-2
355J-2
368-3
375-04
744A-01
A2-3

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
2 MHz to 30 MHz
10 MHz to 4 GHz

200 mW
1 W
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7 dBm
7.3 W
8 W
10 W
10 dBm
12 W
13.5 dBm
14 W
15 W
16 W
16 dBm

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
11.9 dB
12 bB
12 dB
12.2 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB