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Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

ART2K5TFUGJ
Ampleon
100: S/1,039.76
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART2K5TFUGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K5TFUGJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1,039.76

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

LDMOS

1 MHz to 400 MHz

2.5 kW

+ 225 C

29.8 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R

ART2K5TFUSJ
Ampleon
100: S/1,039.76
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART2K5TFUSJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K5TFUSJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1,039.76

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

ACC-1230-6F-2-7

LDMOS

1 MHz to 400 MHz

2.5 kW

+ 225 C

29.8 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R

ART2K5TPUY
Ampleon
100: S/904.58
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART2K5TPUY

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K5TPUY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/904.58

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

OMP-1230-6F-2-7

LDMOS

1 MHz to 400 MHz

2.5 kW

+ 225 C

28..5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL

ART700FHGJ
Ampleon
100: S/640.82
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART700FHGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHGJ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/640.82

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

SOT1214C-5

LDMOS

1 MHz to 450 MHz

700 W

+ 225 C

28.6 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL

ART800PEY
Ampleon
100: S/448.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART800PEY

N.º de artículo de Mouser
94-ART800PEY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/448.61

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFETs

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

LDMOS

1 MHz to 650 MHz

800 W

+ 225 C

29.2 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G1819N10DLX
Ampleon
3,000: S/71.15
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G1819N10DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G1819N10DLX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/71.15

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

1.805 GHz to 1.88 GHz

10 W

+ 125 C

32 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G1819N10DLZ
Ampleon
1,000: S/71.15
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G1819N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G1819N10DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/71.15

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

1.805 GHz to 1.88 GHz

10 W

+ 125 C

32 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G2022N10DLX
Ampleon
3,000: S/71.15
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2022N10DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2022N10DLX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/71.15

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

10 W

+ 125 C

30.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G2022N10DLZ
Ampleon
1,000: S/71.15
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2022N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2022N10DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/71.15

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

2.11 GHz to 2.17 GHz

10 W

+ 125 C

30.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLX
Ampleon
3,000: S/72.52
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2324N10DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/72.52

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

2.3 GHz to 2.4 GHz

10 W

+ 125 C

31.3 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLZ
Ampleon
1,000: S/72.52
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2324N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/72.52

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

2.3 GHz to 2.4 GHz

10 W

+ 125 C

31.3 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP

B10G2327N55DZ
Ampleon
500: S/83.38
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2327N55DZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2327N55DZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/83.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-20

LDMOS

2.3 GHz to 2.7 GHz

46.8 dBm

+ 200 C

31.2 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2527N10DLZ
Ampleon
1,000: S/73.14
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G2527N10DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G2527N10DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/73.14

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

2.5 GHz to 2.7 GHz

10 W

+ 125 C

30 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLX
Ampleon
3,000: S/76.68
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G3336N16DLX

N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/76.68

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

3.3 GHz to 3.6 GHz

16 W

+ 125 C

35 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLZ
Ampleon
1,000: S/76.68
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G3336N16DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/76.68

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

3.3 GHz to 3.6 GHz

16 W

+ 125 C

35 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

B10G4750N12DLZ
Ampleon
1,000: S/62.90
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10G4750N12DLZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10G4750N12DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/62.90

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-20

LDMOS

4.7 GHz to 5 GHz

12 W

+ 125 C

30 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DX
Ampleon
3,000: S/233.78
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10H0608N40DX

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/233.78

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-34

LDMOS

600 MHz to 800 MHz

46.9 dBm

- 40 C

+ 120 C

34 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DYZ
Ampleon
500: S/227.63
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10H0608N40DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/227.63

Presupuesto

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-34

LDMOS

600 MHz to 800 MHz

46.9 dBm

- 40 C

+ 120 C

34 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0710N40DX
Ampleon
3,000: S/219.11
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B10H0710N40DX

N.º de artículo de Mouser
94-B10H0710N40DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/219.11

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

LGA-34

LDMOS

700 MHz to 1 GHz

47 dBm

- 40 C

+ 120 C

35 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

B11G1822N60DX
Ampleon
1,500: S/193.65
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G1822N60DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G1822N60DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/193.65

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

1.8 GHz to 2.2 GHz

48.5 dBm

+ 125 C

32 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

B11G1822N60DYZ
Ampleon
300: S/193.65
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G1822N60DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G1822N60DYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/193.65

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

1.8 GHz to 2.2 GHz

48.5 dBm

+ 200 C

32 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

B11G2327N71DX
Ampleon
1,500: S/212.37
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G2327N71DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/212.37

Ver

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

2.3 GHz to 2.7 GHz

49.5 dBm

+ 200 C

33.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3338N81DX
Ampleon
1,500: S/223.55
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3338N81DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/223.55

Ver

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

3.3 GHz to 3.8 GHz

49 dBm

+ 200 C

38 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3338N81DYZ
Ampleon
300: S/209.77
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3338N81DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/209.77

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

3.3 GHz to 3.8 GHz

49 dBm

+ 200 C

38 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3742N81DX
Ampleon
1,500: S/209.77
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3742N81DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/209.77

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-36

LDMOS

3.7 GHz to 4.2 GHz

48.5 dBm

+ 200 C

36 dB

Reel

Transistores de radiofrecuencia

Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Ampleon
Analog Devices Inc.
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Guerrilla RF
Infineon
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Nexperia
NXP
onsemi
Qorvo
Renesas Electronics
Skyworks
STMicroelectronics
Toshiba
WeEn Semiconductors
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
211-11
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
332A-3
333-04
333-4
355C-2
355J-2
368-3
375-04
744A-01
A2-3

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
2 MHz to 30 MHz

200 mW
1 W
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7 dBm
7.3 W
8 W
10 W
10 dBm
12 W
13.5 dBm
14 W
15 W
16 W
16 dBm

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
11.9 dB
12 bB
12 dB
12.2 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB