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Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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N.° de pieza

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR

BFR 93A E6327
Infineon Technologies
1: S/4.44
1,120En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BFR 93A E6327

N.º de artículo de Mouser
726-BFR93AE6327

NRND

Infineon Technologies

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR

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1,120En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.07

S/1.94

S/1.20

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.619

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23

Bipolar

- 65 C

+ 150 C

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN 20Vcbo 12Vceo 3Vebo 100mA 150mW

RF3356-TP
Micro Commercial Components (MCC)
1: S/2.57
2,784En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF3356-TP

N.º de artículo de Mouser
833-RF3356-TP

NRND

Micro Commercial Components (MCC)

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN 20Vcbo 12Vceo 3Vebo 100mA 150mW

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,784En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.77

S/1.12

S/0.693

S/0.514

Envase tipo carrete

S/0.514

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

CE3512K2
CEL
1: S/8.56
713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3512K2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3512K2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Hoja de datos

713En existencias

S/8.56

S/5.76

S/4.71

S/4.63

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.7 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

CE3514M4
CEL
1: S/11.48
138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3514M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Hoja de datos

138En existencias

S/11.48

S/7.32

S/4.75

S/3.62

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

12.2 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

MRF175GU
MACOM
1: S/1,186.43
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF175GU

N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

Hoja de datos

4En existencias

S/1,186.43

S/1,001.85

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=40V IC=600mA

MMBT2222A-G
Comchip Technology
1: S/1.05
7,658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MMBT2222A-G

N.º de artículo de Mouser
750-MMBT2222A-G

Comchip Technology

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=40V IC=600mA

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7,658En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.631

S/0.393

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.253

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

Bipolar Power

300 MHz

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

CE3520K3
CEL
1: S/15.73
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3520K3

N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

Hoja de datos

100En existencias

S/15.73

S/10.28

S/8.02

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

pHEMT

GaAs

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/364.49
314Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

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314Se espera el 12/06/2026

S/364.49

S/289.56

S/273.88

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

M174

230 MHz

150 W

+ 150 C

15 dB

Bulk

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) The factory is currently not accepting orders for this product.

BFS20,215
Nexperia
1: S/1.09
5En existencias
12,000Se espera el 2/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
BFS20,215

N.º de artículo de Mouser
771-BFS20215

Nexperia

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) The factory is currently not accepting orders for this product.

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Comentarios de Producto

5En existencias

12,000Se espera el 2/06/2026

Cinta cortada

S/1.09

S/0.712

S/0.599

S/0.49

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.405

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

Bipolar

450 MHz

- 65 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

MRF173
MACOM
1: S/588.20
150Se espera el 4/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF173

N.º de artículo de Mouser
937-MRF173

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

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Hoja de datos

150Se espera el 4/06/2026

S/588.20

S/491.54

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

221-11-3

200 MHz

80 W

- 65 C

+ 150 C

13 dB

Tray

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB

MRF426
MACOM
1: S/558.50
489En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF426

N.º de artículo de Mouser
937-MRF426

MACOM

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB

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Hoja de datos

489En pedido

S/558.50

S/466.71

S/428.49

Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors

Screw Mount

211-07

Bipolar Power

30 MHz

- 65 C

+ 150 C

Tray

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB

MRF454
MACOM
1: S/813.38
1,172En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF454

N.º de artículo de Mouser
937-MRF454

MACOM

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

1,172En pedido

S/813.38

S/686.83

Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors

Screw Mount

211-11

Bipolar Power

30 MHz

- 65 C

+ 150 C

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY

ART2K0FEU
Ampleon
1: S/1,060.12
205Se espera el 6/10/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY

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Hoja de datos

205Se espera el 6/10/2026

S/1,060.12

S/875.62

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

Screw Mount

SOT539AN-5

LDMOS

1 MHz to 400 MHz

2 kW

+ 225 C

28.4 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

BLF647P,112
Ampleon
1: S/883.25
228Se espera el 9/06/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF647P,112

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

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Hoja de datos

228Se espera el 9/06/2026

S/883.25

S/755.46

S/735.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

SOT-1121A-5

LDMOS

1.5 GHz

200 W

+ 225 C

18 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP

BLM9D2327-26BZ
Ampleon
1: S/128.61
1,500En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D2327-26BZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327-26BZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP

Hoja de datos

1,500En pedido

Cinta cortada

S/128.61

S/95.17

S/86.45

Envase tipo carrete

S/80.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

RF MOSFETs

SMD/SMT

QFN-20

LDMOS

2.3 GHz to 2.7 GHz

44.8 dBm

+ 200 C

31.3 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS

BFP 640ESD H6327
Infineon Technologies
1: S/3.78
2En existencias
3,000Se espera el 2/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BFP 640ESD H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BFP640ESDH6327XT

NRND

Infineon Technologies

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS

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Hoja de datos

2En existencias

3,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/3.78

S/2.35

S/1.53

S/1.18

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.876

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-343

Bipolar

SiGe

45 GHz

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

BFR193FH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.48
185,990Se espera el 11/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BFR193FH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BFR193FH6327XTSA

NRND

Infineon Technologies

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

185,990Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/1.48

S/0.891

S/0.708

S/0.561

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

TSFP-3

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

BFU520WX
NXP Semiconductors
1: S/2.37
157,000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU520WX

N.º de artículo de Mouser
771-BFU520WX

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Hoja de datos

157,000En pedido

Cinta cortada

S/2.37

S/1.49

S/1.02

S/0.833

S/0.697

Envase tipo carrete

S/0.588

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-323-3

Bipolar Wideband

10 GHz

7 dBm

- 40 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: S/179.68
2,612En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2,612En pedido

S/179.68

S/133.55

S/125.14

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Through Hole

TO-220-3

1.8 MHz to 250 MHz

115 W

- 40 C

+ 150 C

21.1 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: S/341.22
480Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

480Se espera el 9/07/2026

S/341.22

S/278.24

S/263.29

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Through Hole

TO-247-3

1.8 MHz to 250 MHz

330 W

- 40 C

+ 150 C

20.4 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/18.49
6,000Se espera el 4/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

6,000Se espera el 4/06/2026

Cinta cortada

S/18.49

S/12.92

S/11.09

S/10.74

Envase tipo carrete

S/9.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

DFN-16

136 MHz to 941 MHz

8 W

- 40 C

+ 150 C

15 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,657.04
150Se espera el 16/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Hoja de datos

150Se espera el 16/06/2026

Cinta cortada

S/1,657.04

S/1,412.24

Envase tipo carrete

S/1,412.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

NI-1230H-4

1.8 MHz to 600 MHz

1.25 kW

+ 150 C

24 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) PNP RF Transistor

MMBTH81
onsemi
1: S/0.973
78,000Se espera el 7/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
MMBTH81

N.º de artículo de Mouser
512-MMBTH81

onsemi

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) PNP RF Transistor

Hoja de datos

78,000Se espera el 7/07/2027

Cinta cortada

S/0.973

S/0.638

S/0.525

S/0.381

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.187

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

Bipolar

600 MHz

- 55 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT

QPD2025D
Qorvo
100: S/36.36
200Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
QPD2025D

N.º de artículo de Mouser
772-QPD2025D

Qorvo

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT

Obtenga más información

200Se espera el 3/08/2026

Envase tipo carrete

S/36.36

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF JFET Transistors

pHEMT

Reel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT

QPD2040D
Qorvo
100: S/39.47
300Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
QPD2040D

N.º de artículo de Mouser
772-QPD2040D

Qorvo

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT

Obtenga más información

300Se espera el 3/08/2026

Envase tipo carrete

S/39.47

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF JFET Transistors

0.41 mm x 0.34 mm

pHEMT

GaAs

13 dB

Reel

Transistores de radiofrecuencia

Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Ampleon
Analog Devices Inc.
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Guerrilla RF
Infineon
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Nexperia
NXP
onsemi
Qorvo
Renesas Electronics
Skyworks
STMicroelectronics
Toshiba
WeEn Semiconductors
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
211-11
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
332A-3
333-04
333-4
355C-2
355J-2
368-3
375-04
744A-01
A2-3

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
2 MHz to 30 MHz

200 mW
1 W
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7 dBm
7.3 W
8 W
10 W
10 dBm
12 W
13.5 dBm
14 W
15 W
16 W
16 dBm

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
11.9 dB
12 bB
12 dB
12.2 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB