Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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Rectificadores y diodos Schottky Surface Mount Low VF Schottky Barrier Rectifier 60V 30A
SBM3060VDC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Surface Mount Low VF Schottky Barrier Rectifier 60V 30A
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Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
PMEG060V100EPE-QZ
Nexperia
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Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
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45,000 Se espera el 7/12/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJQ410EL-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
SQJ431EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,975 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQ3457EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
68,324 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
SQJ158EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ158EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
59,459 En existencias
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S/1.04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
76,337 En existencias
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1
S/6.38
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S/1.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 942-AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,570 En existencias
1
S/42.70
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S/21.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
SSM6L40TU,LF
Toshiba
1:
S/2.53
138,300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L40TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
138,300 En existencias
1
S/2.53
10
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24,000
S/0.448
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/1.63
143,637 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
143,637 En existencias
1
S/1.63
10
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S/0.673
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.67
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110,760 En existencias
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1
S/4.67
10
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S/1.06
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/11.09
24,929 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
24,929 En existencias
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1
S/11.09
10
S/7.20
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.73
31,331 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
31,331 En existencias
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1
S/9.73
10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.11
56,064 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQD19P06-60LT4GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
56,064 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
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S/2.68
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Carrete :2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.28
35,790 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
35,790 En existencias
1
S/7.28
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S/1.97
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.07
77,844 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
77,844 En existencias
1
S/12.07
10
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