Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
TSAD20H120H
Taiwan Semiconductor
1:
S/5.99
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N.º de artículo de Mouser 821-TSAD20H120H
Nuevo producto
Taiwan Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
3,148 En existencias
1
S/5.99
10
S/3.70
100
S/2.44
500
S/1.92
4,500
S/1.32
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S/1.64
2,500
S/1.48
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S/1.27
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
TSAD10H100H
Taiwan Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 821-TSAD10H100H
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Taiwan Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
3,150 En existencias
1
S/4.79
10
S/3.41
100
S/2.12
500
S/1.46
4,500
S/0.954
9,000
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1,000
S/1.23
2,500
S/1.11
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S/0.876
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S/0.759
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
TSAD10M45CH
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 821-TSAD10M45CH
Nuevo producto
Taiwan Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
3,150 En existencias
1
S/5.18
10
S/3.19
100
S/2.10
500
S/1.65
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S/1.14
9,000
Ver
1,000
S/1.45
2,500
S/1.28
9,000
S/1.09
22,500
S/0.961
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
1:
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N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
6,227 En existencias
1
S/4.59
10
S/2.87
100
S/1.88
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S/1.47
800
S/1.47
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Diodos Zener Zener Diode 500 mW SOD-123
SZMMSZ5258CT1G
onsemi
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5,462 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-SZMMSZ5258CT1G
Nuevo producto
onsemi
Diodos Zener Zener Diode 500 mW SOD-123
5,462 En existencias
1
S/1.40
10
S/0.856
100
S/0.537
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S/0.397
1,000
S/0.311
3,000
S/0.311
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.17
14,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,862 En existencias
1
S/14.17
10
S/9.26
100
S/6.46
500
S/5.25
1,000
S/4.83
2,000
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2,000
S/4.44
5,000
S/4.36
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
1:
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56,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N06S2L23AT3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
56,148 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.48
100
S/3.20
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S/2.67
1,000
S/2.41
2,500
S/2.04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/9.46
29,717 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29,717 En existencias
1
S/9.46
10
S/5.53
100
S/4.01
500
S/3.30
1,000
S/3.03
2,500
S/2.78
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Diodos Schottky de SiC 1200V 10A AUTO SIC SBD
+1 imagen
FFSH10120A-F085
onsemi
1:
S/39.28
3,447 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-FFSH10120A-F085
onsemi
Diodos Schottky de SiC 1200V 10A AUTO SIC SBD
3,447 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.27
14,125 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N10S405ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
14,125 En existencias
1
S/16.27
10
S/9.93
100
S/7.55
500
S/6.31
1,000
S/5.92
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 20V Bi DO-214AB TR13
SZ5KASMC20CAT3G
Littelfuse
1:
S/14.21
7,370 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-SZ5KASMC20CAT3G
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 20V Bi DO-214AB TR13
7,370 En existencias
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 28V Bi DO-214AB TR13
SZ5KASMC28CAT3G
Littelfuse
1:
S/14.21
3,918 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-SZ5KASMC28CAT3G
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 28V Bi DO-214AB TR13
3,918 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.26
100
S/7.28
500
S/7.01
2,500
S/5.80
5,000
Ver
5,000
S/5.41
10,000
Presupuesto
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Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
PMEG060V100EPE-QZ
Nexperia
1:
S/4.83
14,253 En existencias
45,000 Se espera el 29/03/2027
N.º de artículo de Mouser 771-PMEG060V100EPEQZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
14,253 En existencias
45,000 Se espera el 29/03/2027
1
S/4.83
10
S/2.97
100
S/1.95
500
S/1.54
5,000
S/1.08
10,000
Ver
1,000
S/1.35
2,500
S/1.21
10,000
S/1.02
25,000
S/0.993
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Carrete :5,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 33V Bi DO-214AB TR13
SZ5KASMC33CAT3G
Littelfuse
1:
S/14.21
3,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-SZ5KASMC33CAT3G
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Zen TVS 5000W 33V Bi DO-214AB TR13
3,560 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.26
100
S/7.28
500
S/7.01
2,500
S/5.80
5,000
Ver
5,000
S/5.41
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky PMEG045V050EPE-Q/SOT1289B/CFP1
PMEG045V050EPE-QZ
Nexperia
1:
S/3.62
9,884 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMEG045V050EPEQZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG045V050EPE-Q/SOT1289B/CFP1
9,884 En existencias
1
S/3.62
10
S/2.25
100
S/1.46
500
S/1.12
5,000
S/0.759
10,000
Ver
1,000
S/0.919
10,000
S/0.728
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Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
FDBL86062-F085
onsemi
1:
S/35.23
11,247 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDBL86062_F085
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
11,247 En existencias
1
S/35.23
10
S/24.06
100
S/17.71
2,000
S/17.71
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Máx.: 100
Carrete :2,000
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
ISL9V5045S3ST-F085
onsemi
1:
S/23.74
6,097 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-ISL9V5045S3STF85
onsemi
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
6,097 En existencias
1
S/23.74
10
S/15.88
800
S/15.88
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Máx.: 30
Carrete :800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.11
25,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
25,283 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.16
2,500
S/2.79
5,000
Ver
1,000
S/2.90
5,000
S/2.65
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50P04-09L_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/16.23
21,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQD50P04-09L_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
21,670 En existencias
1
S/16.23
10
S/10.67
100
S/7.47
500
S/6.23
2,000
S/5.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.96
60,451 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
60,451 En existencias
1
S/9.96
10
S/6.42
100
S/4.36
500
S/3.49
2,000
S/3.15
4,000
Ver
1,000
S/3.32
4,000
S/2.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.58
21,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
21,440 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.15
100
S/4.20
500
S/3.34
3,000
S/2.98
6,000
Ver
1,000
S/3.07
6,000
S/2.83
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.94
285,226 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
285,226 En existencias
1
S/4.94
10
S/3.09
100
S/2.04
500
S/1.58
3,000
S/1.25
6,000
Ver
1,000
S/1.44
6,000
S/1.15
9,000
S/1.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.06
60,938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
60,938 En existencias
1
S/5.06
10
S/3.18
100
S/2.09
500
S/1.63
3,000
S/1.41
6,000
Ver
1,000
S/1.48
6,000
S/1.25
9,000
S/1.21
24,000
S/1.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/16.74
13,785 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
13,785 En existencias
1
S/16.74
10
S/11.02
100
S/7.75
500
S/6.50
2,000
S/6.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.63
30,481 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
30,481 En existencias
1
S/7.63
10
S/4.87
100
S/3.26
500
S/2.58
3,000
S/2.08
9,000
Ver
1,000
S/2.36
9,000
S/2.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú
