Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.69
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N.º de artículo de Mouser 726-IPF014N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
346 En existencias
1
S/22.69
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S/14.87
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S/9.96
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S/8.45
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S/8.21
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
248 En existencias
5,000 Se espera el 20/08/2026
1
S/21.21
10
S/13.90
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S/8.68
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S/8.06
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S/6.81
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Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS20PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SS20PH102HM3/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
8,470 En existencias
1
S/6.23
10
S/3.83
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S/2.53
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S/1.99
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S/1.54
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
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5,000 Se espera el 10/06/2027
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC033N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
203 En existencias
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1
S/12.11
10
S/7.86
100
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1,000
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S/3.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
1:
S/3.58
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L826RLF
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
2,086 En existencias
1
S/3.58
10
S/2.55
100
S/1.58
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S/1.09
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S/0.654
24,000
S/0.564
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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
AFGB30T65RQDN
onsemi
1:
S/18.22
693 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-AFGB30T65RQDN
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onsemi
IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
693 En existencias
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S/18.22
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S/11.95
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S/11.95
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
NVTFS5C453NLETAG
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS5C453NLETAG
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
1,050 En existencias
1
S/9.77
10
S/6.27
100
S/4.28
1,500
S/4.28
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Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver
STDRIVE121TR
STMicroelectronics
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700 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STDRIVE121TR
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STMicroelectronics
Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver
700 En existencias
1
S/10.16
10
S/7.55
25
S/6.89
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S/6.19
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S/5.84
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S/4.90
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Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
2EDF7258GXTMA1
Infineon Technologies
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1,000 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-2EDF7258GXTMA1
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
1,000 En existencias
1
S/7.36
10
S/5.41
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S/4.90
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S/4.36
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S/3.62
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S/4.09
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2,500
S/3.70
5,000
S/3.62
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Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
2EDF7268GXTMA1
Infineon Technologies
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S/8.49
686 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-2EDF7268GXTMA1
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
686 En existencias
1
S/8.49
10
S/6.23
25
S/5.68
100
S/5.06
250
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5,000
S/4.16
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2,500
S/4.36
5,000
S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.23
636 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6SCAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
636 En existencias
1
S/16.23
10
S/10.63
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S/6.62
1,000
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S/5.76
1,000
S/6.15
2,500
S/5.76
6,000
S/5.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
SSM6K388R,LF
Toshiba
1:
S/2.61
2,083 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K388RLF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
2,083 En existencias
1
S/2.61
10
S/1.81
100
S/1.14
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S/0.708
3,000
S/0.452
6,000
Ver
1,000
S/0.533
6,000
S/0.397
9,000
S/0.346
24,000
S/0.276
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.14
1,736 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,736 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.10
100
S/3.36
500
S/2.66
5,000
S/1.93
10,000
Ver
1,000
S/2.37
2,500
S/2.28
10,000
S/1.86
25,000
S/1.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
SISF12EDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.36
5,875 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SISF12EDN-T1-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
5,875 En existencias
1
S/4.36
10
S/2.68
100
S/1.76
500
S/1.39
1,000
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1,000
S/1.22
3,000
S/1.07
6,000
S/0.938
9,000
S/0.891
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.02
2,320 En existencias
3,000 Se espera el 7/06/2027
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ768ELP-T1_GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2,320 En existencias
3,000 Se espera el 7/06/2027
1
S/8.02
10
S/5.06
100
S/3.31
500
S/2.63
1,000
Ver
1,000
S/2.41
3,000
S/2.05
6,000
S/2.04
9,000
S/2.00
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1:
S/32.93
110 En existencias
3,000 Se espera el 29/01/2027
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
110 En existencias
3,000 Se espera el 29/01/2027
1
S/32.93
10
S/23.20
3,000
S/23.20
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL125N10LF8AG
STMicroelectronics
1:
S/12.30
700 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STL125N10LF8AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
700 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.94
100
S/5.45
500
S/4.44
3,000
S/3.68
6,000
Ver
1,000
S/4.36
6,000
S/3.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N019GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.08
1,743 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,743 En existencias
1
S/7.08
10
S/4.48
100
S/2.93
500
S/2.32
5,000
S/1.69
10,000
Ver
1,000
S/2.06
2,500
S/1.99
10,000
S/1.63
25,000
S/1.58
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N047GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.50
1,673 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,673 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.01
100
S/2.64
500
S/2.07
5,000
S/1.39
10,000
Ver
1,000
S/1.77
2,500
S/1.63
10,000
S/1.37
25,000
S/1.21
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
IAUCN08S5L160TATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.72
1,400 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S5L160TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
1,400 En existencias
1
S/8.72
10
S/5.49
100
S/3.60
500
S/2.86
2,000
S/2.21
4,000
Ver
1,000
S/2.61
4,000
S/2.18
10,000
S/1.95
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.48
396 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IPLT60R055CM8XTM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
396 En existencias
1
S/27.48
10
S/17.98
100
S/13.23
500
S/11.76
1,800
S/9.93
3,600
Ver
1,000
S/10.39
3,600
S/9.46
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
FDMS8622-NC
onsemi
1:
S/7.36
2,079 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-FDMS8622-NC
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
2,079 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.59
100
S/3.01
3,000
S/3.01
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Máx.: 180
Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
NVNJWS200N031LTAG
onsemi
1:
S/1.99
1,801 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-VNJWS200N031LTAG
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
1,801 En existencias
1
S/1.99
10
S/1.23
100
S/0.993
3,000
S/0.993
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Máx.: 400
Carrete :3,000
Detalles
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
I1R30080A-000-R
TDK-Lambda
1:
S/147.88
40 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 967-I1R30080A-000-R
Nuevo producto
TDK-Lambda
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
40 En existencias
1
S/147.88
10
S/129.93
25
S/123.43
45
S/118.72
90
S/116.58
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
IXTN500N20X4
IXYS
1:
S/218.17
452 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 747-IXTN500N20X4
Nuevo producto
IXYS
Módulos MOSFET 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
452 En existencias
1
S/218.17
10
S/181.94
100
S/155.70
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
