Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102-M3/I
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N.º de artículo de Mouser 78-SS5PH102-M3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
5,129 En existencias
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S/3.50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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S/1.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
ADL8120ACPZN-CSL
Analog Devices
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Analog Devices
Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
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S/1,062.89
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102-M3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
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S/4.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,736 En existencias
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S/8.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
SISF12EDN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
5,875 En existencias
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S/4.36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
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2,310 En existencias
3,000 Se espera el 7/06/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2,310 En existencias
3,000 Se espera el 7/06/2027
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S/8.02
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S/2.41
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S/2.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
STB25N018M9
STMicroelectronics
1:
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96 En existencias
1,000 Se espera el 1/07/2026
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N.º de artículo de Mouser 511-STB25N018M9
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
96 En existencias
1,000 Se espera el 1/07/2026
1
S/23.86
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S/8.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,743 En existencias
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S/2.21
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S/1.89
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S/1.74
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S/1.46
25,000
S/1.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
679 En existencias
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S/17.01
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S/5.96
5,000
S/5.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
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346 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IPF014N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
346 En existencias
1
S/22.69
10
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2,000
S/8.21
5,000
S/7.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.21
248 En existencias
5,000 Se espera el 20/08/2026
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N10NM8ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
248 En existencias
5,000 Se espera el 20/08/2026
1
S/21.21
10
S/13.90
100
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S/8.68
1,000
S/8.06
5,000
S/6.81
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Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
CMX918Q5
CML Micro
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N.º de artículo de Mouser 226-CMX918Q5-R701
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CML Micro
Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
44 En existencias
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Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
FS520R12A8P1BHPSA1
Infineon Technologies
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S/1,958.94
3 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-FS520R12A8P1BHPS
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Infineon Technologies
Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
3 En existencias
1
S/1,958.94
12
S/1,480.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1:
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1,729 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,729 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.01
100
S/2.64
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S/2.07
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S/1.39
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S/1.77
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S/1.63
10,000
S/1.37
25,000
S/1.21
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Carrete :5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.02
784 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IPLT60R099CM8XTM
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
784 En existencias
1
S/18.02
10
S/11.79
100
S/8.80
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S/7.36
1,800
S/6.38
3,600
Ver
1,000
S/6.85
3,600
S/5.80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.70
497 En existencias
5,000 Se espera el 27/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-ISC040N10NM7ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
497 En existencias
5,000 Se espera el 27/08/2026
1
S/13.70
10
S/8.87
100
S/6.11
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1,000
Ver
5,000
S/4.44
1,000
S/4.75
2,500
S/4.44
5,000
S/4.44
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Carrete :5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SI3493DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.31
5,950 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SI3493DDV-T1-BE3
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
5,950 En existencias
1
S/3.31
10
S/2.30
100
S/1.45
500
S/0.899
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1,000
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24,000
S/0.354
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/16.39
596 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P06-07L_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
596 En existencias
1
S/16.39
10
S/10.74
100
S/8.02
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S/6.73
800
Ver
800
S/6.19
2,400
S/5.76
5,600
S/5.25
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Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
NTMFS4D5N08XT1G
onsemi
1:
S/7.08
980 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D5N08XT1G
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
980 En existencias
1
S/7.08
10
S/4.52
100
S/3.01
1,500
S/3.01
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Máx.: 150
Carrete :1,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY RECTIFIER
SNRVB140SFT3G
onsemi
1:
S/1.09
8,914 En existencias
10,000 Se espera el 24/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-SNRVB140SFT3G
Nuevo producto
onsemi
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY RECTIFIER
8,914 En existencias
10,000 Se espera el 24/08/2026
1
S/1.09
10
S/0.654
100
S/0.514
500
S/0.487
10,000
S/0.487
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 800
Carrete :10,000
Detalles
Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver
STDRIVE121TR
STMicroelectronics
1:
S/10.16
700 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STDRIVE121TR
Nuevo producto
STMicroelectronics
Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver
700 En existencias
1
S/10.16
10
S/7.55
25
S/6.89
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S/6.19
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S/5.84
3,000
S/4.90
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Carrete :3,000
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Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
2EDF7258GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.36
1,000 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-2EDF7258GXTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
1,000 En existencias
1
S/7.36
10
S/5.41
25
S/4.90
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S/4.36
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Ver
5,000
S/3.62
250
S/4.09
500
S/3.93
2,500
S/3.70
5,000
S/3.62
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
2EDF7268GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.49
686 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-2EDF7268GXTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
686 En existencias
1
S/8.49
10
S/6.23
25
S/5.68
100
S/5.06
250
Ver
5,000
S/4.16
250
S/4.79
500
S/4.59
1,000
S/4.40
2,500
S/4.36
5,000
S/4.16
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
