Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFT24N90P
IXYS
1: S/83.92
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT24N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT24N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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318En existencias

S/83.92

S/52.78

S/51.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

24 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

IXTA60N20X4
IXYS
1: S/55.08
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

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502En existencias

S/55.08

S/31.45

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/50.68
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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287En existencias

S/50.68

S/28.10

S/26.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
1: S/56.91
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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187En existencias

S/56.91

S/34.60

S/31.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

IXFH74N20P
IXYS
1: S/34.41
528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH74N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH74N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

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528En existencias

S/34.41

S/22.93

S/20.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
1: S/65.82
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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276En existencias

S/65.82

S/40.52

S/37.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: S/172.48
246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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246En existencias

S/172.48

S/127.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: S/118.41
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

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295En existencias

S/118.41

S/79.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

IXFK64N50P
IXYS
1: S/87.58
367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

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367En existencias

S/87.58

S/61.00

S/52.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFK88N30P
IXYS
1: S/75.75
152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

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152En existencias

S/75.75

S/52.74

S/46.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

88 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFP22N65X2
IXYS
1: S/29.47
729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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729En existencias

S/29.47

S/15.80

S/13.70

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

IXFP3N120
IXYS
1: S/45.27
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

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415En existencias

S/45.27

S/26.24

S/23.36

S/22.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

IXFX240N25X3
IXYS
1: S/147.25
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

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226En existencias

S/147.25

S/109.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX64N60P3
IXYS
1: S/65.59
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

257En existencias

S/65.59

S/42.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX78N50P3
IXYS
1: S/75.20
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX78N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX78N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

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150En existencias

S/75.20

S/49.51

S/44.18

S/42.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

78 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

147 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

IXTH160N10T
IXYS
1: S/37.17
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH160N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH160N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

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Hoja de datos

366En existencias

S/37.17

S/20.40

S/18.49

S/18.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

5.8 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

132 nC

- 55 C

+ 175 C

430 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP60N20X4
IXYS
1: S/52.16
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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Hoja de datos

268En existencias

S/52.16

S/29.62

S/27.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/41.38
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

639En existencias

S/41.38

S/23.78

S/21.95

S/21.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFK180N25T
IXYS
1: S/74.97
279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK180N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

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Hoja de datos

279En existencias

S/74.97

S/59.01

S/58.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

180 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.39 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFK250N10P
IXYS
1: S/121.76
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK250N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK250N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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Hoja de datos

88En existencias

S/121.76

S/89.26

S/78.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFT36N50P
IXYS
1: S/59.01
1,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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Hoja de datos

1,488En existencias

S/59.01

S/36.01

S/32.74

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFT44N50P
IXYS
1: S/66.37
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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Hoja de datos

300En existencias

S/66.37

S/41.84

S/37.45

S/36.63

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: S/154.38
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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Hoja de datos

710En existencias

S/154.38

S/114.36

S/107.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX80N60P3
IXYS
1: S/94.28
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

207En existencias

S/94.28

S/59.91

S/59.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

IXTP86N20T
IXYS
1: S/31.72
704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP86N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP86N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

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Hoja de datos

704En existencias

S/31.72

S/17.17

S/15.41

S/14.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

29 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W