Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER

IXFA30N25X3
IXYS
1: S/31.49
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER

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Hoja de datos

547En existencias

S/31.49

S/17.52

S/15.88

S/14.67

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

30 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A

IXFH150N17T2
IXYS
1: S/40.33
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH150N17T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH150N17T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A

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295En existencias

S/40.33

S/25.34

S/20.86

S/20.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

175 V

150 A

12 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

233 nC

- 55 C

+ 175 C

880 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

IXFH170N10P
IXYS
1: S/52.82
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

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368En existencias

S/52.82

S/32.50

S/28.45

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS

IXFH220N20X3
IXYS
1: S/64.27
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH220N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH220N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS

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180En existencias

S/64.27

S/53.48

S/50.64

S/48.73

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

220 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: S/47.68
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

299En existencias

S/47.68

S/26.08

S/24.68

S/23.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

86 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFH88N30P
IXYS
1: S/61.97
244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

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Hoja de datos

244En existencias

S/61.97

S/38.19

S/34.10

S/32.81

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

88 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

IXFR140N30P
IXYS
1: S/90.11
355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

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Hoja de datos

355En existencias

S/90.11

S/65.20

S/61.00

S/58.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

70 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

IXFY30N25X3
IXYS
1: S/28.18
661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFY30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFY30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

661En existencias

S/28.18

S/26.70

S/13.97

S/13.04

S/13.00

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

30 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/59.75
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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239En existencias

S/59.75

S/36.39

S/32.62

S/31.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFH120N15P
IXYS
1: S/35.30
390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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Hoja de datos

390En existencias

S/35.30

S/21.02

S/19.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

IXFH30N60P
IXYS
1: S/43.32
1,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

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Hoja de datos

1,733En existencias

S/43.32

S/22.81

S/22.30

S/22.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

IXFK520N075T2
IXYS
1: S/53.72
1,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK520N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK520N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

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Hoja de datos

1,197En existencias

S/53.72

S/38.07

S/36.28

S/36.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

75 V

520 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

545 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A

IXFK64N60P
IXYS
1: S/80.42
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A

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Hoja de datos

370En existencias

S/80.42

S/58.50

S/53.02

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N30X3M
IXYS
1: S/42.00
974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N30X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N30X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

974En existencias

S/42.00

S/23.04

S/21.68

S/20.51

S/19.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

IXFX120N25P
IXYS
1: S/41.22
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX120N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX120N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

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Hoja de datos

170En existencias

S/41.22

S/39.51

S/37.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

700 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds

IXFX20N120P
IXYS
1: S/107.28
636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX20N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX20N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds

Hoja de datos

636En existencias

S/107.28

S/69.25

S/66.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

193 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFX360N10T
IXYS
1: S/55.08
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX360N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX360N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

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Hoja de datos

831En existencias

S/55.08

S/32.11

S/31.76

S/31.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

525 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFX94N50P2
IXYS
1: S/89.80
837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

837En existencias

S/89.80

S/61.42

S/56.09

S/55.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

94 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH60N20X4
IXYS
1: S/47.41
424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

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Hoja de datos

424En existencias

S/47.41

S/30.01

S/26.43

S/25.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/41.65
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

297En existencias

S/41.65

S/24.06

S/21.60

S/20.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFH80N25X3
IXYS
1: S/46.90
396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

396En existencias

S/46.90

S/28.53

S/24.37

S/23.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: S/144.06
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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Hoja de datos

265En existencias

S/144.06

S/97.27

S/95.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: S/98.91
333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

333En existencias

S/98.91

S/62.16

S/59.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFP16N50P
IXYS
1: S/20.94
1,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,727En existencias

S/20.94

S/11.52

S/10.51

S/9.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFP22N65X2
IXYS
1: S/24.80
739En existencias

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IXFP22N65X2

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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739En existencias

S/24.80

S/14.13

S/12.49

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

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Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W