Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFT320N10T2
IXYS
1: S/101.56
1,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT320N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT320N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

1,557En existencias

S/101.56

S/81.31

S/70.30

S/66.56

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

320 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

430 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: S/45.27
3,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

3,504En existencias

S/45.27

S/32.00

S/23.43

S/22.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

IXFH52N30P
IXYS
1: S/40.83
2,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

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Hoja de datos

2,897En existencias

S/40.83

S/24.33

S/20.98

S/20.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: S/112.49
1,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

1,540En existencias

S/112.49

S/90.07

S/68.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

IXFK520N075T2
IXYS
1: S/82.72
1,191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK520N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK520N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

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Hoja de datos

1,191En existencias

S/82.72

S/52.00

S/47.57

S/47.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

75 V

520 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

545 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFX94N50P2
IXYS
1: S/113.89
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

805En existencias

S/113.89

S/91.20

S/78.82

S/74.62

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

94 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/136.28
827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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Hoja de datos

827En existencias

S/136.28

S/109.11

S/83.65

S/83.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/28.42
8,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

8,854En existencias

S/28.42

S/18.61

S/11.99

S/11.21

S/10.78

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/115.10
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

1,148En existencias

S/115.10

S/92.17

S/70.65

S/70.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: S/117.71
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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Hoja de datos

194En existencias

S/117.71

S/94.24

S/81.47

S/72.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: S/124.44
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

S/124.44

S/99.65

S/86.14

S/76.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: S/101.56
132En existencias
300Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

132En existencias

300Se espera el 23/11/2026

S/101.56

S/81.31

S/70.30

S/63.10

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

IXTH360N055T2
IXYS
1: S/59.17
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH360N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH360N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

Obtenga más información

Hoja de datos

167En existencias

S/59.17

S/45.08

S/37.52

S/31.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

55 V

360 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFK94N50P2
IXYS
1: S/101.13
115En existencias
300Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

115En existencias

300Se espera el 16/11/2026

S/101.13

S/80.96

S/69.99

S/61.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

94 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

IXFH18N100Q3
IXYS
1: S/100.82
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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Hoja de datos

262En existencias

S/100.82

S/80.73

S/63.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/115.65
494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

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Hoja de datos

494En existencias

S/115.65

S/92.60

S/72.56

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

IXFH60N65X2
IXYS
1: S/62.40
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH60N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH60N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

851En existencias

S/62.40

S/40.05

S/34.22

S/32.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

IXFK170N10P
IXYS
1: S/74.11
1,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

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Hoja de datos

1,362En existencias

S/74.11

S/56.44

S/40.64

S/39.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

IXFK80N50P
IXYS
1: S/114.48
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK80N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK80N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

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Hoja de datos

388En existencias

S/114.48

S/91.67

S/70.26

S/70.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

IXFX420N10T
IXYS
1: S/98.64
236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX420N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX420N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Hoja de datos

236En existencias

S/98.64

S/78.98

S/60.53

S/60.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

420 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

670 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFH16N50P
IXYS
1: S/31.30
2,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

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Hoja de datos

2,819En existencias

S/31.30

S/22.03

S/15.61

S/14.60

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFH34N50P3
IXYS
1: S/48.03
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

268En existencias

S/48.03

S/34.76

S/25.11

S/24.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

500 V

34 A

180 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: S/53.44
391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

391En existencias

S/53.44

S/32.19

S/28.88

S/27.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

76 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFH72N30X3
IXYS
1: S/60.06
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

221En existencias

S/60.06

S/45.74

S/32.50

S/31.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: S/83.57
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

295En existencias

S/83.57

S/53.91

S/50.14

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W