Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

IXFP34N65X2W
IXYS
1: S/28.96
300En existencias
300Se espera el 23/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

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300En existencias

300Se espera el 23/02/2026

S/28.96

S/20.44

S/17.01

S/13.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

30 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/98.79
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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931En existencias

S/98.79

S/68.20

S/65.94

S/64.62

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/19.46
8,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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8,999En existencias

S/19.46

S/9.11

S/8.56

S/8.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/128.10
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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939En existencias

S/128.10

S/85.67

S/82.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

IXFX64N50P
IXYS
1: S/59.71
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

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1,536En existencias

S/59.71

S/45.89

S/40.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/77.31
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/77.31

S/53.64

S/53.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

IXFH400N075T2
IXYS
1: S/65.86
3,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

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3,381En existencias

S/65.86

S/36.90

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

IXFH52N30P
IXYS
1: S/33.09
3,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

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3,278En existencias

S/33.09

S/19.19

S/16.97

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: S/88.71
1,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

1,552En existencias

S/88.71

S/57.88

S/52.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: S/31.65
3,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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3,552En existencias

S/31.65

S/17.48

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH22N60P3
IXYS
1: S/27.21
4,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

4,434En existencias

S/27.21

S/15.49

S/14.17

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFH18N90P
IXYS
1: S/45.54
2,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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2,347En existencias

S/45.54

S/27.71

S/27.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

97 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 90A N-CH X3CLASS

IXFH90N20X3
IXYS
1: S/34.22
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH90N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH90N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 90A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

568En existencias

S/34.22

S/26.43

S/24.13

S/18.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/93.15
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

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Hoja de datos

504En existencias

S/93.15

S/59.36

S/55.94

S/53.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: S/98.13
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

S/98.13

S/80.26

S/70.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds

IXFB60N80P
IXYS
1: S/117.48
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB60N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB60N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds

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Hoja de datos

205En existencias

S/117.48

S/84.86

S/82.64

S/70.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

800 V

60 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

250 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET

IXFT400N075T2
IXYS
1: S/72.32
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET

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Hoja de datos

163En existencias

S/72.32

S/57.92

S/50.10

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

IXFB44N100Q3
IXYS
1: S/173.14
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB44N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB44N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

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Hoja de datos

67En existencias

S/173.14

S/124.95

S/120.20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

44 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

264 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTH24N65X2
IXYS
1: S/30.21
586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH24N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

586En existencias

S/30.21

S/17.44

S/14.67

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/41.65
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

297En existencias

S/41.65

S/24.06

S/21.60

S/20.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFH80N25X3
IXYS
1: S/46.90
396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

396En existencias

S/46.90

S/28.53

S/24.37

S/23.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: S/144.06
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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Hoja de datos

265En existencias

S/144.06

S/97.27

S/95.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: S/98.91
333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

333En existencias

S/98.91

S/62.16

S/59.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFP16N50P
IXYS
1: S/20.94
1,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

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Hoja de datos

1,727En existencias

S/20.94

S/11.52

S/10.51

S/9.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

IXFX240N25X3
IXYS
1: S/127.91
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

S/127.91

S/84.00

S/82.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W