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IXFP16N50P

Name: IXYS IXFP16N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP16N50P
Price: 20.94 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFP16N50P

Fabricante N.º:

IXFP16N50P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

Hoja de datos:

IXFP16N50P Hoja de datos

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	S/20.94	S/20.94
	S/11.52	S/115.20
	S/10.51	S/1,051.00
	S/9.15	S/4,575.00
	S/8.84	S/22,100.00
25,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	36 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	IXFP16N50
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	70 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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