Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 719

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

IXFH20N80P
IXYS
1: S/51.54
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

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Hoja de datos

254En existencias

S/51.54

S/31.06

S/27.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: S/52.35
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

350En existencias

S/52.35

S/31.61

S/28.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

76 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFH72N30X3
IXYS
1: S/58.23
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

221En existencias

S/58.23

S/35.50

S/32.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: S/79.95
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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284En existencias

S/79.95

S/51.11

S/48.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS

IXFK150N30X3
IXYS
1: S/96.38
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

300En existencias

S/96.38

S/66.29

S/65.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

254 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXFT140N10P
IXYS
1: S/78.01
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

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Hoja de datos

507En existencias

S/78.01

S/52.20

S/45.89

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

IXFT16N120P
IXYS
1: S/112.03
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

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Hoja de datos

324En existencias

S/112.03

S/89.68

S/72.60

S/70.61

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS

IXFX210N30X3
IXYS
1: S/144.26
283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX210N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX210N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

283En existencias

S/144.26

S/109.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

300 V

210 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTH180N10T
IXYS
1: S/40.05
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hoja de datos

1,295En existencias

S/40.05

S/23.39

S/20.82

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

6.4 mOhms

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/95.21
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

238En existencias

S/95.21

S/61.77

S/60.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTX120N65X2
IXYS
1: S/112.10
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

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213En existencias

S/112.10

S/77.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

IXFH340N075T2
IXYS
1: S/59.94
1,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH340N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH340N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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Hoja de datos

1,303En existencias

S/59.94

S/41.18

S/33.40

S/32.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

340 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: S/57.14
293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

293En existencias

S/57.14

S/34.76

S/31.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

86 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFP22N60P3
IXYS
1: S/29.47
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

476En existencias

S/29.47

S/15.80

S/14.48

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

500 W

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

IXFT150N25X3HV
IXYS
1: S/126.90
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT150N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT150N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

238En existencias

S/126.90

S/86.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

150 A

9 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

154 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

IXFY30N25X3
IXYS
1: S/35.50
660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFY30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFY30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

660En existencias

S/35.50

S/19.15

S/17.63

S/17.40

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

30 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/71.23
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

S/71.23

S/44.18

S/41.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXFA3N120
IXYS
1: S/49.16
1,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

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Hoja de datos

1,528En existencias

S/49.16

S/27.75

S/25.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

IXFH18N100Q3
IXYS
1: S/93.23
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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Hoja de datos

262En existencias

S/93.23

S/62.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/109.03
468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

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Hoja de datos

468En existencias

S/109.03

S/71.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

IXFK170N10P
IXYS
1: S/71.35
1,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

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Hoja de datos

1,245En existencias

S/71.35

S/47.99

S/40.64

S/39.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

IXFK80N50P
IXYS
1: S/108.17
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK80N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK80N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

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Hoja de datos

388En existencias

S/108.17

S/71.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA80N25X3
IXYS
1: S/45.00
534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

534En existencias

S/45.00

S/27.56

S/25.50

S/25.30

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB110N60P3
IXYS
1: S/118.76
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB110N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

292En existencias

S/118.76

S/79.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

110 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFH120N15P
IXYS
1: S/49.43
330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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Hoja de datos

330En existencias

S/49.43

S/29.70

S/26.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W