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IXFT24N90P

Name: IXYS IXFT24N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT24N90P
Price: 70.34 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFT24N90P

Fabricante N.º:

IXFT24N90P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Hoja de datos:

IXFT24N90P Hoja de datos

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	S/70.34	S/70.34
	S/43.75	S/437.50
	S/38.61	S/4,633.20
	S/38.57	S/39,341.40
5,010	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	420 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6.5 V
Qg - Carga de puerta:	130 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	660 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	IXFT24N90
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Peso de la unidad:	4.500 g

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ECCN:: EAR99

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