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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/22.65
12,147En existencias

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IRFP4668PBFXKMA1

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726-IRFP4668PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/22.65

S/13.12

S/11.60

S/10.28

S/9.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: S/15.18
23,918En existencias

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IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

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S/15.18

S/8.56

S/6.81

S/5.64

S/5.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
210En existencias
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IRFP4768PBFXKMA1

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726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/23.16

S/13.43

S/11.09

S/9.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: S/7.43
11,480En existencias
12,000Se espera el 30/07/2026

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IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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12,000Se espera el 30/07/2026

S/7.43

S/3.55

S/3.07

S/2.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: S/8.33
3,662En existencias

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IRF7820TRPBF

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942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

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S/8.33

S/4.87

S/3.50

S/2.76

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S/2.33

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: 4,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: S/20.82
3,077En existencias
2,400Se espera el 27/08/2026

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IRFP260NPBF

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942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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S/20.82

S/12.11

S/9.96

S/8.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/10.47
7,320En existencias
9,000Se espera el 27/08/2026

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IRFR4620TRLPBF

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942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/3.71

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/18.22
3,223En existencias

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IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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S/18.22

S/12.03

S/8.52

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.81

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: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/14.25
1,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4229PBFXKMA1

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726-IRFB4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/14.25

S/7.20

S/6.50

S/5.29

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
573En existencias
2,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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573En existencias

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S/14.83

S/9.73

S/6.81

S/5.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: S/12.57
3,204En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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S/12.57

S/7.01

S/5.64

S/4.55

S/4.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: S/7.67
21,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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S/7.67

S/4.63

S/3.46

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.28

S/2.24

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: S/13.58
1,580En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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S/13.58

S/7.32

S/6.38

S/5.37

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: S/7.98
5,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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5,017En existencias

S/7.98

S/3.83

S/3.27

S/2.65

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: S/14.29
5,667En existencias
4,800Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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5,667En existencias

4,800Se espera el 2/07/2026

S/14.29

S/9.26

S/7.28

S/6.27

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: S/16.74
940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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940En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/10.74

S/8.02

S/6.34

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/15.80
1,431En existencias
8,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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1,431En existencias

8,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/15.80

S/9.81

S/7.28

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/9.50
1,803En existencias
12,800Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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1,803En existencias

12,800Se espera el 3/09/2026

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S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/18.10
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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178En existencias

S/18.10

S/10.32

S/8.45

S/7.28

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/13.16
571En existencias
11,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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571En existencias

11,200En pedido

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
1,396En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1,396En existencias

5,000En pedido

S/11.29

S/6.34

S/4.94

S/4.20

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/18.88
545En existencias
400Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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545En existencias

400Se espera el 11/06/2026

S/18.88

S/10.78

S/8.87

S/8.21

S/7.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.84
5,196En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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Hoja de datos

5,196En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/2.84

S/1.75

S/1.12

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: S/7.01
1,740En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

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Hoja de datos

1,740En existencias

S/7.01

S/3.34

S/2.81

S/2.26

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Min.: 1
Mult.: 1

Infineon TRENCH >=100V

IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/15.96
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4332PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4332PBFXKMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Infineon TRENCH >=100V

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/15.96

S/10.39

S/8.14

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.31

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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