Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Resultados: 26

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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602En existencias

S/17.28

S/11.41

S/10.86

S/6.89

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
1,556En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1,556En existencias

S/12.14

S/8.84

S/7.16

S/6.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

200 V

76 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/20.40
8,282En existencias
6,260Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4668PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4668PBFXKMA1

Infineon Technologies

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6,260Se espera el 25/02/2026

S/20.40

S/11.87

S/10.32

S/8.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

200 V

130 A

9.7 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: S/13.78
18,439En existencias
6,700Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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18,439En existencias

6,700Se espera el 16/02/2026

S/13.78

S/7.16

S/5.84

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: S/6.81
29,246En existencias

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IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Cinta cortada

S/6.81

S/4.40

S/3.20

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.16

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/19.54
322En existencias
400Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4768PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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322En existencias

400Se espera el 25/02/2026

S/19.54

S/15.96

S/12.18

S/10.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

93 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
6,985En existencias
8,975Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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8,975Se espera el 25/02/2026

S/5.68

S/2.85

S/2.60

S/2.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.93
4,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7820TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

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4,937En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.20

S/3.12

S/2.55

Ver

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

3.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: S/17.71
4,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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4,785En existencias

S/17.71

S/10.24

S/9.03

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/9.81
12,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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12,878En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.19

S/4.32

S/3.42

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/11.79
5,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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5,046En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.98

S/5.57

S/5.02

Envase tipo carrete

S/3.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/17.01
6,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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Hoja de datos

6,744En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/11.25

S/7.94

Envase tipo carrete

S/5.92

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
2,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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2,575En existencias

S/9.73

S/9.26

S/4.87

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.18
13,466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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13,466En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/1.54

S/0.697

Envase tipo carrete

S/0.564

S/0.561

S/0.545

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: S/11.29
1,657En existencias
1,600Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

1,657En existencias

1,600Se espera el 21/05/2026

S/11.29

S/7.24

S/6.46

S/5.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: S/14.17
1,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

1,426En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.69

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.53

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/8.49
4,629En existencias
2,400Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

4,629En existencias

2,400Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/8.49

S/5.92

S/4.13

S/4.09

Envase tipo carrete

S/2.72

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
321En existencias
1,000Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

321En existencias

1,000Se espera el 25/02/2026

S/12.26

S/6.54

S/5.92

S/4.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

250 V

46 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.48
90En existencias
800Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

90En existencias

800Se espera el 28/01/2027

S/17.48

S/11.56

S/8.14

S/6.27

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: S/11.64
1,159En existencias
3,200Se espera el 25/02/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

1,159En existencias

3,200Se espera el 25/02/2026

S/11.64

S/6.50

S/5.25

S/3.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: S/5.10
1,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

Obtenga más información

Hoja de datos

1,760En existencias

S/5.10

S/2.16

S/2.04

S/1.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: S/13.20
112En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

112En existencias

2,000En pedido

S/13.20

S/6.66

S/6.03

S/4.90

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: S/7.01
2,400En existencias
2,000Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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Hoja de datos

2,400En existencias

2,000Se espera el 26/02/2026

S/7.01

S/2.65

S/2.30

S/2.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
1: S/26.59
2,792En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP90N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP90N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Hoja de datos

2,792En pedido

S/26.59

S/15.03

S/12.69

S/11.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

94 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

580 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/14.83
166En existencias
9,594En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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Hoja de datos

166En existencias

9,594En pedido

Cinta cortada

S/14.83

S/9.69

S/6.89

S/6.62

Envase tipo carrete

S/4.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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