Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.11
7,614 En existencias
3,000 Se espera el 10/12/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7,614 En existencias
3,000 Se espera el 10/12/2026
1
S/16.11
10
S/10.82
100
S/7.86
500
S/6.66
1,000
S/6.50
3,000
S/6.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185P7AUMA1
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3,692 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,692 En existencias
1
S/12.81
10
S/8.33
100
S/5.76
500
S/4.67
1,000
S/4.52
3,000
S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R285P7AUMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,752 En existencias
1
S/12.07
10
S/7.82
100
S/5.41
500
S/4.36
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S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K0PFD7SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
8,862 En existencias
1
S/4.75
10
S/2.99
100
S/1.96
500
S/1.52
3,000
S/1.24
6,000
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S/1.38
6,000
S/1.16
9,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R360PFD7SATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
5,705 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.93
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S/2.31
3,000
S/1.95
6,000
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S/2.11
6,000
S/1.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R600PFD7SATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R600PFD7SAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
26,992 En existencias
1
S/5.57
10
S/3.49
100
S/2.31
500
S/1.80
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S/1.43
6,000
Ver
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S/1.64
6,000
S/1.42
9,000
S/1.37
24,000
S/1.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R600P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,823 En existencias
1
S/5.06
10
S/3.18
100
S/2.10
500
S/1.63
3,000
S/1.28
6,000
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S/1.48
6,000
S/1.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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ISC0702NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.89
9,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC0702NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9,500 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.36
100
S/2.92
500
S/2.38
5,000
S/2.38
10,000
S/1.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/10.70
778 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R180P7SXKS
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
778 En existencias
1
S/10.70
10
S/5.25
100
S/4.75
500
S/4.13
1,000
S/3.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.99
996 En existencias
2,500 Se espera el 5/11/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0PFD7SAU
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
996 En existencias
2,500 Se espera el 5/11/2026
1
S/5.99
10
S/3.69
100
S/2.44
500
S/1.92
2,500
S/1.37
5,000
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1,000
S/1.54
5,000
S/1.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.24
2,760 En existencias
9,000 Se espera el 14/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSL606SNH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
2,760 En existencias
9,000 Se espera el 14/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/4.24
10
S/3.01
100
S/1.87
500
S/1.29
3,000
S/0.829
6,000
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S/1.09
6,000
S/0.763
9,000
S/0.697
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
1:
S/7.16
32 En existencias
15,000 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
32 En existencias
15,000 Se espera el 15/10/2026
1
S/7.16
10
S/4.52
100
S/2.99
500
S/2.37
1,000
Ver
5,000
S/1.81
1,000
S/2.06
2,500
S/1.95
5,000
S/1.81
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD133B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.856
4,648 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD133B1W01005E6
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
4,648 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.522
100
S/0.30
500
S/0.237
1,000
Ver
15,000
S/0.109
1,000
S/0.175
2,500
S/0.167
5,000
S/0.14
10,000
S/0.121
15,000
S/0.109
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD249B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.779
195 En existencias
15,000 Se espera el 11/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-ESD249B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
195 En existencias
15,000 Se espera el 11/02/2027
1
S/0.779
10
S/0.479
100
S/0.265
500
S/0.218
1,000
Ver
15,000
S/0.097
1,000
S/0.156
2,500
S/0.132
5,000
S/0.125
10,000
S/0.105
15,000
S/0.097
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Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD253B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.934
13,113 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD253B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
13,113 En existencias
1
S/0.934
10
S/0.658
100
S/0.323
500
S/0.269
1,000
Ver
15,000
S/0.117
1,000
S/0.206
5,000
S/0.179
10,000
S/0.152
15,000
S/0.117
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Carrete :15,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD259B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.895
2,976 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD259B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
2,976 En existencias
1
S/0.895
10
S/0.553
100
S/0.323
500
S/0.253
1,000
Ver
15,000
S/0.117
1,000
S/0.187
2,500
S/0.163
5,000
S/0.152
10,000
S/0.128
15,000
S/0.117
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.38
2,445 En existencias
17,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,445 En existencias
17,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2,445 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 26/11/2026
2,500 Se espera el 17/12/2026
10,000 Se espera el 25/03/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/6.38
10
S/3.97
100
S/2.61
500
S/2.05
1,000
S/1.80
2,500
S/1.53
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.32
196 En existencias
5,000 Se espera el 28/01/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360PFD7SAU
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
196 En existencias
5,000 Se espera el 28/01/2027
1
S/7.32
10
S/4.67
100
S/3.11
500
S/2.46
2,500
S/2.02
5,000
Ver
1,000
S/2.25
5,000
S/1.97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.96
3,792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600PFD7SAU
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,792 En existencias
1
S/5.96
10
S/3.75
100
S/2.49
500
S/1.95
2,500
S/1.58
5,000
Ver
1,000
S/1.77
5,000
S/1.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.41
448 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R600P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
448 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
448 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 18/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/5.41
10
S/3.37
100
S/2.22
500
S/1.80
1,000
S/1.57
2,500
S/1.32
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.54
30 En existencias
2,500 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
30 En existencias
2,500 Se espera el 15/10/2026
1
S/6.54
10
S/4.16
100
S/2.80
500
S/2.20
1,000
S/1.97
2,500
S/1.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.85
4,613 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,613 En existencias
1
S/3.85
10
S/2.39
100
S/1.56
500
S/1.20
3,000
S/0.93
6,000
Ver
1,000
S/1.08
6,000
S/0.856
9,000
S/0.806
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC0703NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.55
5,222 En existencias
10,000 Se espera el 8/07/2027
N.º de artículo de Mouser 726-ISC0703NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,222 En existencias
10,000 Se espera el 8/07/2027
1
S/4.55
10
S/2.85
100
S/1.87
500
S/1.63
5,000
S/1.63
25,000
S/1.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISZ0703NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.97
474 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ0703NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
474 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
474 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 8/10/2026
10,000 Se espera el 12/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/6.97
10
S/4.40
100
S/2.90
500
S/2.30
1,000
Ver
5,000
S/1.75
1,000
S/1.99
2,500
S/1.89
5,000
S/1.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD150B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.779
70,667 Se espera el 31/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-D150B1W0201E6327
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
70,667 Se espera el 31/08/2026
1
S/0.779
10
S/0.479
100
S/0.265
500
S/0.218
1,000
Ver
15,000
S/0.105
1,000
S/0.156
2,500
S/0.132
5,000
S/0.125
10,000
S/0.105
15,000
S/0.105
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Perú