Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.45
2,000Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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2,000Se espera el 26/02/2027

S/15.45

S/10.08

S/7.32

S/6.15

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STP28N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.23
1,988Se espera el 28/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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1,988Se espera el 28/05/2027

S/16.23

S/8.25

S/7.47

S/6.11

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p

STF11N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.19
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF11N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p

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860En existencias

S/9.19

S/5.88

S/4.01

S/3.19

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF12N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.30
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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113En existencias

S/9.30

S/4.52

S/3.87

S/3.15

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.47
631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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631En existencias

S/13.47

S/8.72

S/6.03

S/5.02

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU13N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.89
916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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916En existencias

S/9.89

S/4.87

S/4.32

S/3.48

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP9N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.58
903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP9N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Comentarios de Producto

903En existencias

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.88

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STU9N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.75
127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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127En existencias

S/7.75

S/3.48

S/3.13

S/2.62

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA48N60M2
STMicroelectronics
1: S/33.20
68En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA48N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STWA48N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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68En existencias

S/33.20

S/23.39

S/18.92

S/15.92

S/14.87

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.12
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,000En pedido

Cinta cortada

S/10.12

S/6.70

S/4.48

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.20

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.80
1,950Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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1,950Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.80

S/3.03

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.10
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Plazo de entrega 26 Semanas

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.48

S/2.76

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD9N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.03
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD9N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Comentarios de Producto

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/9.03

S/5.76

S/3.88

S/3.09

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N65M2
STMicroelectronics
3,000: S/8.56
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.56

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package

STP13N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/3.39
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/3.39

S/3.19

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP40N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/10.67
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/10.67

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/28.49
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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Hoja de datos

Plazo de entrega 26 Semanas

S/28.49

S/18.68

S/13.74

S/11.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW56N65M2
STMicroelectronics
1: S/41.65
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW56N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/41.65

S/24.64

S/22.97

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW56N65M2-4
STMicroelectronics
600: S/23.55
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW56N65M2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N65M2-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/23.55

Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF42N60M2-EP
STMicroelectronics
1,000: S/12.18
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/12.18

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STI18N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/4.55
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/4.55

S/4.40

S/4.24

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package

STI33N60M2
STMicroelectronics
1,000: S/6.77
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/6.77

S/6.34

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package

STI33N65M2
STMicroelectronics
1,000: S/6.54
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/6.54

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.74
Plazo de entrega 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega 24 Semanas

Cinta cortada

S/10.74

S/6.93

S/4.75

S/3.80

Envase tipo carrete

S/3.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL15N60M2-EP
STMicroelectronics
3,000: S/3.14
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STL15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STL15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.14

S/2.95

S/2.91

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

MDmesh™ II Power MOSFETs

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