Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.33
3,182En existencias

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STD13N65M2

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511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
1: S/18.68
999En existencias

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STF33N65M2

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511-STF33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/18.68

S/9.19

S/8.45

S/7.20

S/7.05

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.96
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STI28N60M2

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511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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S/12.96

S/7.12

S/5.84

S/5.57

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.59
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STL33N60M2

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511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.59

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.77
943En existencias

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STW40N60M2

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511-STW40N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

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S/22.77

S/12.85

S/11.17

S/9.50

S/8.02

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.78
1,081En existencias

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STF40N65M2

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511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/16.78

S/12.49

S/11.09

S/10.04

S/9.93

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.52
2,386En existencias

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STU13N60M2

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511-STU13N60M2

STMicroelectronics

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S/3.85

S/3.46

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Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
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STD16N65M2

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511-STD16N65M2

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S/7.51

S/5.25

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.12
6,550En existencias

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STD5N60M2

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511-STD5N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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S/7.12

S/4.55

S/3.03

S/2.37

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.84

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STP18N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.56
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STP18N60M2

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511-STP18N60M2

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Through Hole

TO-220-3

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.78
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STB28N60M2

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511-STB28N60M2

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S/10.78

S/6.89

S/4.71

S/3.87

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
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STU7N60M2

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511-STU7N60M2

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TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
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STB24N60M2

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511-STB24N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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S/14.13

S/9.07

S/6.62

S/5.61

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
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STB33N65M2

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511-STB33N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/21.02

S/13.97

S/9.96

S/8.87

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S/8.76

S/8.17

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.69
3,721En existencias

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STL18N65M2

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511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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S/12.69

S/8.25

S/5.80

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S/4.40

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

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STD7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.67
3,261En existencias

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STD7N60M2

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511-STD7N60M2

STMicroelectronics

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Envase tipo carrete

S/2.14

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.57
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STL16N60M2

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511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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S/8.17

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S/4.13

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.90
974En existencias

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STP40N60M2

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511-STP40N60M2

STMicroelectronics

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S/23.90

S/12.61

S/11.52

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.61
3,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,914En existencias

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STU6N65M2

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511-STU6N65M2

STMicroelectronics

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S/3.48

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.83
250En existencias
1,000Se espera el 10/08/2026

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STP16N65M2

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511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/11.83

S/7.67

S/5.25

S/4.28

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.06
2,036En existencias

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STF12N60M2

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511-STF12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/3.86

S/3.45

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.25
780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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S/14.25

S/6.97

S/6.38

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
1,796En existencias

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STF9N60M2

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511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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S/8.21

S/4.48

S/3.28

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF13N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.70
986En existencias

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STF13N65M2

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511-STF13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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S/4.94

S/4.05

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Through Hole

TO-220-3

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