Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.49
934 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
934 En existencias
1
S/8.49
10
S/5.41
100
S/3.70
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S/2.95
2,500
S/2.34
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S/2.72
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STD13N60M2
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S/6.19
2,399 En existencias
2,500 Se espera el 5/03/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,399 En existencias
2,500 Se espera el 5/03/2026
1
S/6.19
10
S/4.13
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S/2.86
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S/2.26
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S/1.76
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S/2.06
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
STD14NM50NAG
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1:
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511-STD14NM50NAG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
1,088 En existencias
1
S/9.42
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S/6.19
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S/3.51
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S/2.93
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S/3.35
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N50M2
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1:
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551 En existencias
2,500 Se espera el 27/07/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
551 En existencias
2,500 Se espera el 27/07/2026
1
S/8.60
10
S/5.53
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S/3.75
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S/2.99
2,500
S/2.48
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S/2.82
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD7N65M2
STMicroelectronics
1:
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1,003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1,003 En existencias
1
S/7.71
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S/3.42
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S/2.90
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S/2.17
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD9N40M2
STMicroelectronics
1:
S/6.03
3,430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N40M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
3,430 En existencias
1
S/6.03
10
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S/2.53
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S/1.99
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S/1.65
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S/1.80
5,000
S/1.49
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S/1.44
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
STD9N60M2
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1:
S/6.54
116 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
116 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.16
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S/2.77
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S/2.18
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S/1.79
5,000
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S/1.99
5,000
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF11N65M2
STMicroelectronics
1:
S/9.15
653 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF11N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
653 En existencias
1
S/9.15
10
S/5.99
100
S/4.52
500
S/3.63
1,000
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S/3.04
2,000
S/2.90
5,000
S/2.85
10,000
S/2.83
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STF13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.67
1,072 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1,072 En existencias
1
S/7.67
10
S/3.80
100
S/3.52
500
S/2.79
1,000
Ver
1,000
S/2.55
2,000
S/2.16
5,000
S/1.96
10,000
S/1.94
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Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF13N65M2
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1:
S/10.00
1,012 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
1,012 En existencias
1
S/10.00
10
S/4.90
100
S/4.44
500
S/3.54
1,000
Ver
1,000
S/3.26
2,000
S/2.99
5,000
S/2.88
25,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
STF18N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.47
399 En existencias
1,000 Se espera el 23/03/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STF18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
399 En existencias
1,000 Se espera el 23/03/2026
1
S/10.47
10
S/4.98
100
S/4.71
500
S/3.61
1,000
Ver
1,000
S/3.58
2,000
S/3.13
5,000
S/3.03
25,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
STF33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/15.76
422 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
422 En existencias
1
S/15.76
10
S/8.06
100
S/7.20
500
S/5.99
1,000
Ver
1,000
S/5.53
2,000
S/5.33
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
STFH18N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.76
526 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
526 En existencias
1
S/8.76
10
S/6.11
100
S/4.71
500
S/4.16
920
Ver
920
S/3.62
5,520
S/3.59
10,120
S/3.58
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
STFH24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.78
1,058 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
1,058 En existencias
1
S/10.78
10
S/6.19
100
S/5.53
500
S/4.71
920
Ver
920
S/4.16
2,760
S/4.01
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
STFU24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/12.85
594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
594 En existencias
1
S/12.85
10
S/8.33
100
S/6.11
500
S/5.18
1,000
Ver
1,000
S/4.36
2,000
S/4.16
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
STL7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.42
2,407 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
2,407 En existencias
1
S/6.42
10
S/4.09
100
S/2.72
500
S/2.14
3,000
S/1.72
6,000
Ver
1,000
S/1.96
6,000
S/1.60
9,000
S/1.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x5-12
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP11N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.95
738 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP11N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
738 En existencias
1
S/8.95
10
S/4.36
100
S/3.89
500
S/3.12
1,000
Ver
1,000
S/2.86
2,000
S/2.65
5,000
S/2.47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N50M2
STMicroelectronics
1:
S/8.56
438 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
438 En existencias
1
S/8.56
10
S/4.16
100
S/3.72
500
S/2.97
1,000
Ver
1,000
S/2.72
2,000
S/2.52
5,000
S/2.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STP13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.55
998 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
998 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.83
100
S/3.34
500
S/2.83
1,000
Ver
1,000
S/2.37
2,000
S/2.18
5,000
S/2.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
STP18N65M5
STMicroelectronics
1:
S/14.75
757 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
757 En existencias
1
S/14.75
10
S/7.75
100
S/7.01
500
S/5.76
1,000
Ver
1,000
S/5.25
2,000
S/5.02
5,000
S/4.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/13.94
491 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
491 En existencias
1
S/13.94
10
S/7.20
100
S/6.50
500
S/5.33
1,000
Ver
1,000
S/4.90
2,000
S/4.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
STP28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/14.48
520 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
520 En existencias
1
S/14.48
10
S/7.47
100
S/6.77
500
S/5.53
1,000
Ver
1,000
S/5.10
2,000
S/4.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STP7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.97
1,238 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1,238 En existencias
1
S/6.97
10
S/3.34
100
S/2.98
500
S/2.35
1,000
Ver
1,000
S/2.15
2,000
S/2.03
5,000
S/1.80
10,000
S/1.76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW18N60M2
STMicroelectronics
1:
S/14.48
385 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
385 En existencias
1
S/14.48
10
S/9.42
100
S/7.40
600
S/6.19
1,200
Ver
1,200
S/5.29
3,000
S/5.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
+1 imagen
STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/15.69
397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3