Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

STFH18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.18
494En existencias

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STFH18N60M2

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511-STFH18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.87
782En existencias

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STFH24N60M2

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511-STFH24N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

STFU24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.27
548En existencias

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STFU24N60M2

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511-STFU24N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/26.82
385En existencias

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STFW40N60M2

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511-STFW40N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

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S/26.82

S/15.34

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TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2

STI24N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.38
189En existencias
1,000Se espera el 14/05/2027

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STI24N60M2

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TO-262-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/9.96
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STL10N60M6

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511-STL10N60M6

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S/3.68

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.57
748En existencias

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STL16N60M2

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511-STL16N60M2

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV

STL7N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.89
2,706En existencias

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STL7N60M2

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x5-12

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP11N65M2
STMicroelectronics
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517En existencias
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STP11N65M2

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TO-220-3

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STP12N50M2
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STP12N50M2

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511-STP12N50M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STP13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.87
540En existencias

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STP13N60M2

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511-STP13N60M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STP18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.22
558En existencias
1,000Se espera el 5/03/2027

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STP18N60M2

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511-STP18N60M2

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S/12.22

S/6.07

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/14.95
471En existencias

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STP25N60M2-EP

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511-STP25N60M2-EP

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S/6.97

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.08
314En existencias
1,000Se espera el 2/04/2027

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STP28N65M2

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511-STP28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/16.08

S/9.58

S/7.71

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STP33N60M2
STMicroelectronics
1: S/21.10
481En existencias

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STP33N60M2

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511-STP33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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S/10.98

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.03
295En existencias
1,000Se espera el 19/03/2027

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STP33N65M2

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511-STP33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/19.03

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S/8.95

S/7.36

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW18N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.30
379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N60M2

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511-STW18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/15.30

S/8.37

S/6.85

S/5.72

S/5.37

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STW24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.65
674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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S/15.65

S/8.60

S/7.01

S/5.88

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TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/16.78
383En existencias

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STW27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

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S/16.78

S/9.23

S/7.59

S/6.34

S/6.15

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STW28N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.50
297En existencias
4,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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S/19.50

S/12.77

S/10.00

S/8.41

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW48N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.63
404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW48N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/23.63

S/13.35

S/11.09

S/9.77

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.79
1En existencias
2,500Se espera el 12/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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1En existencias

2,500Se espera el 12/02/2027

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.83

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF16N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.58
654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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654En existencias

S/9.58

S/7.24

S/5.72

S/4.59

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.68
189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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189En existencias

S/11.68

S/7.55

S/5.18

S/4.20

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.45
2,000Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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2,000Se espera el 26/02/2027

S/15.45

S/10.08

S/7.32

S/6.15

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

MDmesh™ II Power MOSFETs

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