Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STP7N60M2
STMicroelectronics
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STP7N60M2

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511-STP7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/7.47

S/3.57

S/3.19

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/24.44
888En existencias

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STW40N60M2

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511-STW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

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S/24.44

S/13.86

S/12.14

S/11.44

S/10.12

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STW40N65M2
STMicroelectronics
1: S/27.40
928En existencias
1,200Se espera el 28/01/2027

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STW40N65M2

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511-STW40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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928En existencias

1,200Se espera el 28/01/2027

S/27.40

S/18.14

S/14.60

S/12.96

S/11.60

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/34.64
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

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S/34.64

S/20.20

S/17.01

S/15.80

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW56N60M2
STMicroelectronics
1: S/40.05
1,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW56N60M2

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511-STW56N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,001En existencias

S/40.05

S/23.63

S/20.05

S/19.46

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW56N60M2-4
STMicroelectronics
1: S/39.86
384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW56N60M2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N60M2-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package

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384En existencias

S/39.86

S/23.51

S/19.93

S/19.58

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STB13N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.53
1,017En existencias

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STB13N60M2

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511-STB13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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Cinta cortada

S/12.53

S/8.14

S/5.64

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.20

S/4.13

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STB18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.65
772En existencias
1,000Se espera el 14/05/2027

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STB18N60M2

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511-STB18N60M2

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S/12.65

S/8.21

S/5.68

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

S/4.16

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/17.98
338En existencias
1,000Se espera el 12/02/2027

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STB28N65M2

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511-STB28N65M2

STMicroelectronics

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S/17.98

S/11.87

S/8.41

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.38

S/5.84

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/24.52
546En existencias
1,000Se espera el 29/01/2027

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STB40N60M2

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511-STB40N60M2

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S/24.52

S/16.43

S/11.83

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.16

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/27.17
48En existencias
1,000Se espera el 21/05/2027

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STB42N60M2-EP

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511-STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

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S/27.17

S/18.29

S/13.27

S/12.49

Envase tipo carrete

S/11.79

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N50M2
STMicroelectronics
1: S/6.62
1,559En existencias
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STD11N50M2

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511-STD11N50M2

STMicroelectronics

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S/6.62

S/4.20

S/2.80

S/2.20

S/2.01

Envase tipo carrete

S/1.70

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.58
68En existencias

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STD12N50M2

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511-STD12N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.58

S/6.15

S/4.05

S/3.28

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.64

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STD7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.67
2,014En existencias

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STD7N60M2

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511-STD7N60M2

STMicroelectronics

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S/7.67

S/4.87

S/3.27

S/2.59

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S/2.13

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.25
916En existencias

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STD7N65M2

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511-STD7N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/8.25

S/5.25

S/3.57

S/2.90

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S/2.43

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD9N40M2
STMicroelectronics
1: S/6.38
11En existencias
2,500Se espera el 9/04/2027

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STD9N40M2

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511-STD9N40M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.69

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STF10N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.14
2,105En existencias
1,000Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STF10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/8.14

S/3.93

S/3.51

S/2.78

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF11N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.51
633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11N65M2

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511-STF11N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/6.77

S/4.59

S/3.89

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF16N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.82
50En existencias

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STF16N60M6

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511-STF16N60M6

STMicroelectronics

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S/13.82

S/6.97

S/6.23

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STF18N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.76
1,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18N60M2

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511-STF18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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S/7.59

S/5.18

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF24N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.48
692En existencias

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STF24N65M2

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511-STF24N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/14.48

S/7.32

S/6.62

S/5.37

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MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/14.83
510En existencias

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STF27N60M2-EP

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511-STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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S/14.83

S/7.51

S/6.77

S/5.76

S/5.22

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.62
513En existencias

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STF28N60M2

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511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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S/16.62

S/10.86

S/8.10

S/6.77

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2

STF33N60M2
STMicroelectronics
1: S/17.87
288En existencias

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STF33N60M2

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511-STF33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2

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S/17.87

S/9.19

S/8.25

S/6.85

S/6.66

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
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287En existencias

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STF33N65M2

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511-STF33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/18.68

S/9.65

S/8.76

S/7.20

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Through Hole

TO-220-3

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