Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/10.08
926 En existencias
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511-STF16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
926 En existencias
1
S/10.08
10
S/4.20
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Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
STFH13N60M2
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1:
S/12.26
982 En existencias
Verificar estado con la fábrica
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511-STFH13N60M2
Verificar estado con la fábrica
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
982 En existencias
1
S/12.26
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Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF25N60M2-EP
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1:
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511-STF25N60M2-EP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
841 En existencias
1
S/13.08
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S/7.12
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S/6.46
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TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP18N65M2
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953 En existencias
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511-STP18N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
953 En existencias
1
S/10.32
10
S/5.76
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Si
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TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STB13N60M2
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1:
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1,784 En existencias
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511-STB13N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1,784 En existencias
1
S/11.33
10
S/7.32
100
S/5.22
500
S/4.36
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S/3.75
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D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
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1:
S/18.88
1,387 En existencias
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511-STB33N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,387 En existencias
1
S/18.88
10
S/12.46
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S/9.73
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S/8.68
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S/7.43
2,000
S/6.97
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STD10N60M2
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1:
S/6.27
11,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
11,800 En existencias
1
S/6.27
10
S/3.97
100
S/2.65
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S/2.21
2,500
S/1.88
25,000
S/1.60
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N60M2
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1:
S/7.90
6,097 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
6,097 En existencias
1
S/7.90
10
S/5.02
100
S/3.37
500
S/2.68
2,500
S/2.21
5,000
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S/2.47
5,000
S/2.19
10,000
S/2.06
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STD7N60M2
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1:
S/7.12
3,301 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
3,301 En existencias
1
S/7.12
10
S/4.52
100
S/3.03
500
S/2.48
2,500
S/2.00
5,000
Ver
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S/2.17
5,000
S/1.81
10,000
S/1.79
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STF10N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.47
2,874 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
2,874 En existencias
1
S/7.47
10
S/4.71
100
S/3.16
500
S/2.59
1,000
Ver
1,000
S/2.27
2,000
S/2.09
5,000
S/1.89
10,000
S/1.87
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
STF24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.42
1,856 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
1,856 En existencias
1
S/6.42
10
S/4.48
500
S/4.44
1,000
S/4.40
2,000
S/4.09
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF28N65M2
STMicroelectronics
1:
S/15.14
1,904 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1,904 En existencias
1
S/15.14
10
S/9.07
100
S/7.16
500
S/6.38
1,000
Ver
1,000
S/5.45
2,000
S/4.90
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/18.61
1,617 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1,617 En existencias
1
S/18.61
10
S/12.30
100
S/9.61
500
S/8.56
3,000
S/6.70
6,000
Ver
1,000
S/7.32
6,000
S/6.66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
STP18N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.59
1,741 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1,741 En existencias
1
S/10.59
10
S/5.02
100
S/4.67
500
S/4.09
1,000
Ver
1,000
S/3.74
2,000
S/3.41
5,000
S/3.31
10,000
S/3.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
STP33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/18.61
771 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
771 En existencias
1
S/18.61
10
S/9.65
100
S/8.80
500
S/8.49
1,000
Ver
1,000
S/6.73
2,000
S/6.70
Comprar
Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N65M2
STMicroelectronics
1:
S/14.29
850 En existencias
1,000 Se espera el 4/05/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
850 En existencias
1,000 Se espera el 4/05/2026
1
S/14.29
10
S/8.64
100
S/8.02
500
S/6.89
1,000
Ver
1,000
S/6.38
2,000
S/6.31
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STU7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.51
2,974 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
2,974 En existencias
1
S/7.51
10
S/3.41
100
S/2.90
500
S/2.44
1,000
Ver
1,000
S/2.14
3,000
S/1.98
6,000
S/1.90
9,000
S/1.88
24,000
S/1.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
+1 imagen
STW28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/17.05
1,012 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
1,012 En existencias
1
S/17.05
10
S/11.17
100
S/8.37
600
S/7.43
1,200
Ver
1,200
S/6.38
3,000
S/5.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
+1 imagen
STW40N65M2
STMicroelectronics
1:
S/22.50
824 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
824 En existencias
1
S/22.50
10
S/17.98
100
S/14.56
600
S/12.92
1,200
S/11.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW56N60M2-4
STMicroelectronics
1:
S/37.45
400 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW56N60M2-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
400 En existencias
1
S/37.45
10
S/27.83
100
S/23.20
600
S/20.67
1,200
S/18.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
STB18N60M2
STMicroelectronics
1:
S/11.95
670 En existencias
1,000 Se espera el 3/03/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
670 En existencias
1,000 Se espera el 3/03/2026
1
S/11.95
10
S/7.75
100
S/5.68
500
S/4.75
1,000
S/4.09
2,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD11N50M2
STMicroelectronics
1:
S/5.80
1,474 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1,474 En existencias
1
S/5.80
10
S/3.64
100
S/2.46
500
S/1.93
2,500
S/1.57
5,000
Ver
1,000
S/1.76
5,000
S/1.40
10,000
S/1.38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD11N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.91
1,354 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1,354 En existencias
1
S/8.91
10
S/5.68
100
S/3.93
500
S/3.34
2,500
S/2.58
5,000
Ver
1,000
S/2.79
5,000
S/2.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N50M2
STMicroelectronics
1:
S/8.06
678 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
678 En existencias
1
S/8.06
10
S/5.14
100
S/3.58
500
S/3.03
2,500
S/2.34
5,000
Ver
1,000
S/2.53
5,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.49
434 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
434 En existencias
1
S/8.49
10
S/5.41
100
S/3.70
500
S/2.95
2,500
S/2.34
5,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)