Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
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STF12N65M2
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STW28N65M2
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TO-247-3

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STF13N65M2
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STD11N65M2
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STD6N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STP33N60M2
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STP33N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
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STF6N60M2

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511-STF6N60M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP15N60M2-EP
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1: S/9.93
1,962En existencias
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STP15N60M2-EP

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60M2-EP
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1: S/9.65
2,461En existencias
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STD15N60M2-EP

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511-STD15N60M2-EP

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

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S/2.90

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
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1: S/12.57
1,340En existencias

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STL16N65M2

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511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-HV-8

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/131.29
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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S/131.29

S/96.88

S/87.39

S/87.31

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MOSFET Modules

Screw Mount

ISOTOP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

STFH13N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.12
935En existencias
Verificar estado con la fábrica

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STFH13N60M2

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511-STFH13N60M2

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

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S/13.12

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S/4.98

S/4.59

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.35
853En existencias

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STP18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/13.35

S/6.77

S/5.99

S/4.98

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
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831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N60M2-EP

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511-STF25N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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S/7.63

S/6.89

S/5.64

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/17.98
1,366En existencias

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STB28N65M2

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511-STB28N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/8.41

S/7.16

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S/6.66

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.93
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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S/19.93

S/13.23

S/9.38

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.67

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/24.52
965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/24.52

S/16.43

S/11.83

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.16

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
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STB42N60M2-EP

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511-STB42N60M2-EP

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SMD/SMT

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