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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
1,494En existencias
10,000Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSG0811NDATMA1

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726-BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/10.47

S/6.93

S/5.02

S/4.16

S/4.09

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S/3.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
4,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ017NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ017NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.73

S/4.52

S/3.11

S/2.46

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S/1.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
4,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ028N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/5.80

S/3.67

S/2.44

S/1.92

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S/1.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
7,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

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S/5.25

S/3.22

S/2.23

S/1.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
17,132En existencias
20,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ040N06LS5ATMA1

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726-BSZ040N06LS5ATMA

Infineon Technologies

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S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.92

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S/2.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
10,065En existencias

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BSZ0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0500NSIATMA1

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S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.34

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S/2.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
13,719En existencias

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BSZ0506NSATMA1

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726-BSZ0506NSATMA1

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S/3.97

S/2.55

S/1.72

S/1.55

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S/1.12

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSZ065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
12,324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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S/5.33

S/3.65

S/2.68

S/2.20

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S/1.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

BSZ070N08LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
9,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ070N08LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ070N08LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/5.22

S/3.75

S/3.24

S/2.89

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S/2.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
3,429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5ATMA

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S/3.35

S/3.34

S/3.19

S/2.83

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S/2.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
15,036En existencias
35,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/5.25

S/3.31

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S/1.76

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S/1.26

MouseReel Disponible

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD245B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.428
75,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD245B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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S/0.428

S/0.261

S/0.117

S/0.109

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S/0.066

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.34
9,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/9.34

S/5.96

S/4.05

S/3.39

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S/2.67

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC70N08S5N074ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
5,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC70N08S5N074ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC70N08S5N074A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/7.82

S/4.94

S/3.31

S/2.72

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S/1.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.13
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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S/17.13

S/11.41

S/8.06

S/7.79

S/7.55

Envase tipo carrete

S/6.03

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
675En existencias
1,900Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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1,900Se espera el 5/03/2026

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S/20.09

S/13.31

S/10.59

S/9.38

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: S/18.80
1,294En existencias
4,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

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S/18.80

S/15.03

S/12.14

S/10.82

S/9.26

Envase tipo carrete

S/9.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
3,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

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S/19.85

S/13.20

S/10.67

S/9.50

S/8.14

Envase tipo carrete

S/8.14

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
2,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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S/13.55

S/6.77

S/6.19

S/5.10

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/19.77

S/11.13

S/10.16

S/8.41

S/8.29

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
1,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/14.09

S/7.16

S/6.50

S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,057En existencias
1,500Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.16

S/3.43

S/3.07

S/2.43

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
3,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.11

S/2.65

S/2.08

S/1.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
15,558En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,558En existencias

60,000En pedido

S/4.36

S/2.21

S/2.06

S/1.69

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2

IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.88
1,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB015N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2

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S/21.88

S/17.20

S/14.25

Envase tipo carrete

S/12.38

MouseReel Disponible

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Carrete: 1,000

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