BSG0811NDATMA1
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
En existencias: 1,494
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En pedido:
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Plazo de entrega de fábrica:
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18Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| S/10.47 | S/10.47 | |
| S/6.93 | S/69.30 | |
| S/5.02 | S/502.00 | |
| S/4.16 | S/2,080.00 | |
| S/4.09 | S/10,225.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/3.38 | S/16,900.00 | |
Embalaje alternativo
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Buck converters negative spike at phase node (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
- MOSFET OptiMOS™ datasheet explanation (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
Other
Product Catalogs
SPICE Models
Technical Resources
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Perú
