Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.25 6,557En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R800CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R800CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	6,557En existencias	Cinta cortada S/5.25 S/2.75 S/2.14 S/1.67 S/1.50 Envase tipo carrete S/1.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	8.4 A	800 mOhms	20 V	3 V	17.2 nC	- 40 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.80 3,972En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R400CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R400CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3,972En existencias	Cinta cortada S/5.80 S/3.16 S/2.64 S/2.13 S/1.94 Envase tipo carrete S/1.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14.7 A	400 mOhms	20 V	3 V	32 nC	- 40 C	+ 150 C	112 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/7.90 1,421En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,421En existencias	S/7.90 S/3.54 S/3.18 S/2.66 Ver S/2.35 S/2.34 S/2.25 S/2.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.09 32,709En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD70R1K4P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	32,709En existencias	Cinta cortada S/4.09 S/1.88 S/1.66 S/1.28 Envase tipo carrete S/1.02 Ver S/1.23 S/0.895 S/0.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	22.7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.08 8,485En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R3K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R3K4CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	8,485En existencias	Cinta cortada S/3.08 S/1.39 S/1.22 S/0.93 Envase tipo carrete S/0.712 Ver S/0.619 S/0.568 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	2.6 A	7.96 Ohms	20 V	2.5 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies 1: S/3.50 2,665En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPU60R2K1CEAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU60R2K1CEAKMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	2,665En existencias	S/3.50 S/1.49 S/1.32 S/1.08 Ver S/1.02 S/0.934 S/0.899 S/0.779	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	2.1 Ohms	20 V	3 V	6.7 nC	- 40 C	+ 150 C	38 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 1: S/5.80 488En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA60R1K0CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R1K0CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	488En existencias	S/5.80 S/2.73 S/2.43 S/1.89 Ver S/1.77 S/1.69 S/1.59 S/1.56 S/1.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6.8 A	2.22 Ohms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.05 7,480En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7,480En existencias	Cinta cortada S/4.05 S/1.86 S/1.65 S/1.27 Envase tipo carrete S/1.01 Ver S/1.21 S/0.887 S/0.884 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6.8 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	61 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.97 2,742En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,742En existencias	Cinta cortada S/3.97 S/1.82 S/1.61 S/1.24 Envase tipo carrete S/0.965 S/0.849 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6.8 A	2.34 Ohms	20 V	2.5 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.39 9,865En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R2K1CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R2K1CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	9,865En existencias	Cinta cortada S/3.39 S/1.53 S/1.35 S/1.03 Envase tipo carrete S/0.794 Ver S/0.985 S/0.763 S/0.681 S/0.623 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	4.91 Ohms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies 1: S/3.89 2,918En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPU60R1K5CEAKMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPU60R1K5CEAKMA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,918En existencias	S/3.89 S/1.66 S/1.47 S/1.20 Ver S/1.13 S/0.977 S/0.926 S/0.817	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	650 V	5 A	1.5 Ohms	20 V	3 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	49 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.33 53En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA60R400CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R400CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	53En existencias	S/8.33 S/4.36 S/3.24 S/2.51 Ver S/2.27 S/2.16 S/2.13 S/2.08	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14.7 A	890 mOhms	20 V	3 V	32 nC	- 40 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/3.74 126En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R2K1CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R2K1CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	126En existencias	Cinta cortada S/3.74 S/1.70 S/1.50 S/1.15 Envase tipo carrete S/0.911 Ver S/1.12 S/0.794 S/0.759 S/0.712 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	2.1 Ohms	20 V	3 V	6.7 nC	- 40 C	+ 150 C	38 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/6.31 1,568En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD65R650CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R650CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1,568En existencias	Cinta cortada S/6.31 S/2.97 S/2.64 S/2.28 Envase tipo carrete S/1.58 Ver S/2.11 S/1.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	10.1 A	650 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	86 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.21 1,381En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R360P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,381En existencias	S/8.21 S/4.32 S/3.38 S/2.59 Ver S/2.28 S/2.21 S/2.11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.76 1,581En existencias 17,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,581En existencias 17,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R360P7SAUMA1 Existencias: 1,581 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,500 Se espera el 26/11/2026 15,000 Se espera el 28/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/5.76 S/2.71 S/2.41 S/1.88 Envase tipo carrete S/1.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	41 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.85 4,613En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN70R1K4P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,613En existencias	Cinta cortada S/3.85 S/1.76 S/1.56 S/1.20 Envase tipo carrete S/0.93 Ver S/0.919 S/0.817 S/0.806 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	6.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies 1: S/6.89 75En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA60R650CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R650CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	75En existencias	S/6.89 S/3.28 S/2.93 S/2.30 Ver S/2.21 S/2.11 S/2.08 S/1.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	650 mOhms	20 V	2.5 V	20.5 nC	- 40 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies 1: S/7.79 551En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA65R400CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R400CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	551En existencias	S/7.79 S/3.73 S/3.41 S/2.70 Ver S/2.63 S/2.53 S/2.50 S/2.22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15.1 A	940 mOhms	20 V	3 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.13 2,402En existencias 5,000Se espera el 13/05/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,402En existencias 5,000Se espera el 13/05/2027	Cinta cortada S/4.13 S/1.89 S/1.67 S/1.28 Envase tipo carrete S/1.02 Ver S/1.26 S/0.895 S/0.876 S/0.829 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	5 A	1.5 Ohms	20 V	3 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	49 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.57 2,462En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R650CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R650CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,462En existencias	Cinta cortada S/5.57 S/2.60 S/2.31 S/1.80 Envase tipo carrete S/1.37 Ver S/1.71 S/1.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9.9 A	540 mOhms	20 V	2.5 V	20.5 nC	- 40 C	+ 150 C	82 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/6.38 2,355En existencias 12,500En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD65R400CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R400CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,355En existencias 12,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD65R400CEAUMA1 Existencias: 2,355 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,500 Se espera el 10/12/2026 5,000 Se espera el 27/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 15 Semanas	Cinta cortada S/6.38 S/3.02 S/2.69 S/2.11 Envase tipo carrete S/1.72 S/1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	15.1 A	400 mOhms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	118 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.62 1,722En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1,722En existencias	Cinta cortada S/3.62 S/2.20 S/1.55 S/1.11 S/1.00 Envase tipo carrete S/0.779 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	5 A	3.51 Ohms	20 V	2.5 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.59 12,477Se espera el 15/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD70R900P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R900P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,477Se espera el 15/04/2027	Cinta cortada S/4.59 S/2.44 S/1.86 S/1.53 S/1.38 Envase tipo carrete S/1.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	6 A	740 mOhms	16 V	2.5 V	6.8 nC	- 40 C	+ 150 C	30.5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

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