Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
6,862En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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6,862En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.25

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.2 nC

- 40 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,441En existencias

S/7.90

S/3.54

S/3.18

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,025En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,025En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

112 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
7,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7,500En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.65

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
15,885En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K1CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K1CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,885En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

4.91 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
17,946En existencias
15,000Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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17,946En existencias

15,000Se espera el 28/12/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
16,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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16,033En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

740 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
488En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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488En existencias

S/5.80

S/2.73

S/2.43

S/1.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.89
5,352En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5,352En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.42

S/1.58

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.961

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
2,742En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,742En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.965

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.34 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
1: S/3.89
2,918En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R1K5CEAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,918En existencias

S/3.89

S/1.66

S/1.47

S/1.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.31
2,665En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R2K1CEAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,665En existencias

S/3.31

S/1.40

S/1.24

S/1.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.33
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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63En existencias

S/8.33

S/4.36

S/3.24

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.88
3,217En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R3K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,217En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.79

S/1.16

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.6 A

7.96 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
2,445En existencias
17,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,445En existencias

17,500En pedido

Cinta cortada

S/6.38

S/3.97

S/2.61

S/2.05

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.85
4,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,613En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.39

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.89
75En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

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Hoja de datos

75En existencias

S/6.89

S/3.28

S/2.93

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
561En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

561En existencias

S/7.79

S/3.73

S/3.41

S/2.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

940 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.50
126En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R2K1CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

126En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.19

S/1.42

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
481En existencias
4,825Se espera el 30/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

481En existencias

4,825Se espera el 30/09/2026

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

118 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.27
1,737En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,737En existencias

Cinta cortada

S/3.27

S/2.04

S/1.32

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
1,570Se espera el 20/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,570Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/5.96

S/3.75

S/2.50

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
1,490Se espera el 30/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,490Se espera el 30/09/2026

S/8.21

S/5.14

S/3.38

S/2.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
2,462Se espera el 24/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

2,462Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.70

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.9 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

82 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

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