Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

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Resultados: 24

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
6,862En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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6,862En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.06

S/2.01

S/1.56

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.2 nC

- 40 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
19,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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19,321En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.50

S/1.67

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

740 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,441En existencias

S/7.36

S/3.29

S/2.95

S/2.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
4,025En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,025En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

112 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
28,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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28,091En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
2,675En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R2K1CEAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,675En existencias

S/3.19

S/1.35

S/1.19

S/0.973

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
498En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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498En existencias

S/5.61

S/2.64

S/2.34

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.93
7,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7,500En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.44

S/1.59

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.85
2,742En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,742En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.39

S/1.56

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.34 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
1: S/3.78
2,928En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R1K5CEAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,928En existencias

S/3.78

S/1.60

S/1.42

S/1.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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63En existencias

S/7.98

S/4.20

S/3.13

S/2.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
611En existencias
2,440Se espera el 9/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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611En existencias

2,440Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.52

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

118 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
70En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

70En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.08
2,993En existencias
15,000Se espera el 2/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K1CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K1CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,993En existencias

15,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/3.08

S/1.92

S/1.23

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

4.91 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.80
3,217En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R3K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,217En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.849

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.6 A

7.96 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
436En existencias
17,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

436En existencias

17,500En pedido

Cinta cortada

S/6.81

S/4.20

S/2.78

S/2.18

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
4,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,623En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.45

S/2.15

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

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Hoja de datos

110En existencias

S/6.70

S/3.17

S/2.83

S/2.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.55
571En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

571En existencias

S/7.55

S/3.61

S/3.29

S/2.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

940 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
406En existencias
5,000Se espera el 16/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

406En existencias

5,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/3.78

S/2.34

S/1.52

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
129En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R2K1CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

129En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.38

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
1,757En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,757En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
1,479Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,479Se espera el 12/11/2026

S/7.01

S/3.33

S/2.97

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
2,462Se espera el 3/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

2,462Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.10

S/3.20

S/2.11

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.9 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

82 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

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