Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R017C7XKSA1
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S/79.68
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726-IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
2EDF9275FXUMA1
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726-2EDF9275FXUMA1
NRND
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
8,222 En existencias
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S/13.78
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S/10.28
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S/9.38
100
S/8.41
2,500
S/7.16
5,000
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S/7.94
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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2,996 En existencias
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S/4.48
10
S/1.92
100
S/1.70
500
S/1.40
1,000
Ver
1,000
S/1.19
1,500
S/1.05
4,500
S/1.04
10,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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726-IPT60R075CFD7XTM
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1
S/27.56
10
S/18.57
100
S/13.47
500
S/12.69
1,000
S/11.87
2,000
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
437 En existencias
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S/24.41
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S/15.30
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S/13.62
480
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1,200
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,153 En existencias
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S/5.49
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S/2.42
100
S/2.16
1,000
S/1.69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
25,981 En existencias
1
S/28.45
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S/19.03
100
S/15.30
500
S/13.58
1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
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726-IPB048N15N5LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
7,755 En existencias
1
S/32.66
10
S/21.84
100
S/17.56
500
S/15.61
1,000
S/13.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
36,414 En existencias
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S/25.96
10
S/16.70
100
S/12.61
500
S/11.76
1,000
S/11.29
2,000
S/11.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
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6,000 Se espera el 14/09/2026
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726-IPT012N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
8,059 En existencias
6,000 Se espera el 14/09/2026
1
S/28.06
10
S/18.76
100
S/13.74
500
S/13.00
1,000
S/12.57
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R040C7XKSA1
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2,692 En existencias
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726-IPW60R040C7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,692 En existencias
1
S/51.15
10
S/38.11
100
S/31.72
480
S/28.30
1,200
S/26.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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3,139 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
3,139 En existencias
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1
S/26.59
10
S/17.79
100
S/14.29
500
S/12.69
1,000
S/11.25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB020N10N5LFATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
696 En existencias
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2,000 Se espera el 23/07/2026
4,000 Se espera el 31/12/2026
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8 Semanas
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S/27.99
10
S/18.72
100
S/15.06
500
S/13.39
1,000
S/11.87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
533 En existencias
1
S/36.47
10
S/24.91
100
S/20.55
480
S/18.29
1,200
S/17.13
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
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3,871 En existencias
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726-1404F064X0200AAX
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3,871 En existencias
1
S/21.06
10
S/13.94
25
S/12.69
100
S/10.78
1,900
S/7.71
3,800
Ver
250
S/10.24
500
S/9.19
1,000
S/7.94
3,800
S/7.55
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1,900
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.24
1,202 En existencias
1,000 Se espera el 22/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,202 En existencias
1,000 Se espera el 22/10/2026
1
S/26.24
10
S/17.17
100
S/12.65
500
S/11.25
1,000
S/9.96
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
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S/28.49
1,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,679 En existencias
1
S/28.49
10
S/19.23
100
S/13.97
500
S/13.27
1,000
S/12.46
3,000
S/12.46
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.41
2,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,989 En existencias
1
S/21.41
10
S/14.13
100
S/10.16
500
S/9.07
3,000
S/8.45
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3
Infineon Technologies
1:
S/24.48
1,182 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,182 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/24.48
10
S/16.04
100
S/11.83
500
S/10.51
1,000
S/10.20
2,000
S/9.34
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2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.90
1,227 En existencias
3,890 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,227 En existencias
3,890 En pedido
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Embalaje alternativo
Existencias:
1,227 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,890 Se espera el 9/07/2026
2,000 Se espera el 30/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas
1
S/26.90
10
S/17.59
100
S/12.96
500
S/11.52
1,000
S/10.24
2,000
S/10.24
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/36.43
985 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
985 En existencias
1
S/36.43
10
S/24.91
100
S/18.41
1,000
S/17.20
2,000
S/17.20
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Min.: 1
Mult.: 1
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2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/38.69
577 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
577 En existencias
1
S/38.69
10
S/26.55
100
S/19.89
1,000
S/19.19
2,000
S/18.61
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/48.70
625 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
625 En existencias
1
S/48.70
10
S/36.28
100
S/30.24
480
S/26.94
1,200
S/25.18
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/41.03
767 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
767 En existencias
1
S/41.03
10
S/29.00
100
S/24.17
480
S/21.53
1,200
S/20.12
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.01
90 En existencias
35,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N15NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
90 En existencias
35,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
90 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000 Se espera el 30/07/2026
15,000 Se espera el 28/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/17.01
10
S/11.21
100
S/8.14
500
S/7.20
1,000
Ver
5,000
S/6.27
1,000
S/6.66
2,500
S/6.27
5,000
S/6.27
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
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