Semiconductores – Mouser Perú

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Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.30
2,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/22.30

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S/10.78

S/9.58

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S/8.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.03

S/18.61

S/15.06

S/13.39

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
8,222En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDF9275FXUMA1

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726-2EDF9275FXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

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S/13.16

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S/9.03

S/8.14

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S/6.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.77

S/19.46

S/14.71

S/14.67

S/14.17

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S/13.74

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
2,153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

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726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/2.35

S/2.09

S/1.87

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.35
437En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

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726-IMZA65R107M1HXKS

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/29.35

S/19.50

S/15.76

S/14.01

S/12.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.73
16,203En existencias

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BSC093N15NS5ATMA1

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726-BSC093N15NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/10.16

S/7.40

S/6.66

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S/6.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.43
13,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

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726-IPB017N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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S/26.43

S/17.59

S/12.96

S/11.76

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S/10.98

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.71
4,564En existencias
3,400Se espera el 28/04/2026

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IPB048N15N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/18.76

S/13.90

S/13.47

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S/12.57

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.84
39,538En existencias
2,000Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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39,538En existencias

2,000Se espera el 1/05/2026

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S/28.84

S/18.92

S/13.90

S/12.38

S/10.98

Envase tipo carrete

S/10.98

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/72.21
1,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/72.21

S/47.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.34
5,252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N10N5ATMA1

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726-IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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S/25.34

S/16.97

S/12.22

S/10.98

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S/10.24

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
4,642En existencias

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IPB020N10N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5LFATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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S/26.35

S/17.28

S/12.77

S/11.56

Envase tipo carrete

S/10.78

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Min.: 1
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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
1,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/14.99

S/11.05

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.56
533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/30.56

S/24.44

S/19.77

S/17.59

S/15.57

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Mult.: 1

Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XMC1404F064X0200AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX

Infineon Technologies

Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

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S/12.77

S/9.61

S/8.80

S/7.94

Envase tipo carrete

S/6.77

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,900

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.27
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/29.27

S/19.62

S/14.36

S/13.27

S/12.81

Envase tipo carrete

S/12.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.73
3,285En existencias
4,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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3,285En existencias

4,000Se espera el 11/06/2026

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S/28.73

S/19.11

S/15.45

S/13.74

S/13.23

Envase tipo carrete

S/12.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3
Infineon Technologies
1: S/24.48
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/24.48

S/16.04

S/11.83

S/10.51

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.48
1,964En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1,964En existencias

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S/24.48

S/16.04

S/11.83

S/10.51

S/10.00

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.91
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/37.91

S/26.78

S/22.30

S/19.85

S/18.61

Envase tipo carrete

S/18.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.10
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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703En existencias

S/41.10

S/24.52

S/22.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.74
560En existencias
2,160Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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560En existencias

2,160Se espera el 20/04/2026

S/45.74

S/34.68

S/28.88

S/25.73

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.41
307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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307En existencias

S/37.41

S/26.39

S/21.99

S/19.58

S/18.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.49
899En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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899En existencias

S/50.49

S/30.63

S/30.40

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

Residential Energy Storage Systems (ESS)

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