Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: S/20.75
2,024En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

2,024En existencias

Cinta cortada

S/20.75

S/16.08

S/13.39

S/12.77

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/29.54
5,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

5,013En existencias

S/29.54

S/17.05

S/15.69

S/14.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: S/10.24
946En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

Obtenga más información

Hoja de datos

946En existencias

S/10.24

S/5.14

S/4.63

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/33.63
441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

441En existencias

S/33.63

S/21.56

S/18.22

S/15.76

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/30.05
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

811En existencias

S/30.05

S/17.32

S/14.52

S/13.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STP11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/19.62
436En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

436En existencias

S/19.62

S/10.28

S/9.07

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

STF11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/22.11
101En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

101En existencias

S/22.11

S/11.56

S/9.96

S/8.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/31.10
1,000Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000Se espera el 15/06/2026

S/31.10

S/16.89

S/15.53

S/15.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STD11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/17.98
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/17.98

S/11.95

S/8.56

S/8.41

Ver

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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