Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/30.05
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

750En existencias

S/30.05

S/15.80

S/14.52

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

30 V

3 V

37 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: S/23.82
1,910En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

1,910En existencias

Cinta cortada

S/23.82

S/15.61

S/14.32

S/13.31

Envase tipo carrete

S/12.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/31.14
4,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

4,322En existencias

S/31.14

S/18.45

S/16.39

S/14.75

S/14.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: S/10.24
944En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

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Hoja de datos

944En existencias

S/10.24

S/5.14

S/4.63

S/4.55

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/33.71
397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

397En existencias

S/33.71

S/19.73

S/19.38

S/17.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STP11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/22.93
433En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

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Hoja de datos

433En existencias

S/22.93

S/15.03

S/11.21

S/9.34

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/33.28
800Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

800Se espera el 17/09/2026

S/33.28

S/18.10

S/16.62

S/15.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

STF11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/22.11
67En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

S/22.11

S/11.56

S/9.96

S/8.72

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

25 V

4 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STD11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/19.42
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/19.42

S/10.04

S/9.89

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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