Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

STP34NM60ND
STMicroelectronics
1: S/23.98
668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

Obtenga más información

Hoja de datos

668En existencias

S/23.98

S/22.93

S/22.07

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STP11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/13.66
508En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/13.66

S/8.91

S/8.72

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/29.00
5,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

5,400En existencias

S/29.00

S/20.44

S/17.05

S/15.18

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: S/10.24
946En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

Obtenga más información

Hoja de datos

946En existencias

S/10.24

S/5.10

S/4.63

S/4.20

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

STB34NM60ND
STMicroelectronics
1: S/43.95
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,190En existencias

Cinta cortada

S/43.95

S/30.48

S/25.73

S/25.69

Envase tipo carrete

S/21.60

S/20.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/31.10
375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

375En existencias

S/31.10

S/16.89

S/15.53

S/13.35

S/13.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/34.41
520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

520En existencias

S/34.41

S/25.03

S/20.86

S/18.61

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: S/27.40
2,058En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

2,058En existencias

Cinta cortada

S/27.40

S/20.05

S/16.19

S/14.40

Envase tipo carrete

S/12.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STD10NM60ND
STMicroelectronics
1: S/10.94
857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

Obtenga más información

Hoja de datos

857En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.05

S/5.02

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

STW34NM60ND
STMicroelectronics
1: S/44.30
169En existencias
600Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

Obtenga más información

Hoja de datos

169En existencias

600Se espera el 5/03/2026

S/44.30

S/34.64

S/28.88

S/25.73

S/21.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

STF11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/19.89
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

107En existencias

S/19.89

S/11.52

S/9.58

S/9.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/28.26
835En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

835En pedido

S/28.26

S/20.90

S/16.89

S/15.03

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STD11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/17.79
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/17.79

S/11.83

S/8.56

S/8.21

Ver

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II

STF34NM60ND
STMicroelectronics
1,000: S/19.85
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/19.85

Ver

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte