STW20NM60FD

STMicroelectronics
511-STW20NM60FD
STW20NM60FD

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Modelo ECAD:
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En existencias: 830

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/28.06 S/28.06
S/16.19 S/161.90
S/13.55 S/1,355.00
S/13.31 S/7,986.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
290 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
37 nC
- 65 C
+ 150 C
214 W
Enhancement
FDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 22 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 12 ns
Serie: STW20NM60FD
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99