STF10NM60ND
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511-STF10NM60ND
STF10NM60ND
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
En existencias: 946
-
Existencias:
-
946 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 946 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/10.24 | S/10.24 | |
| S/5.14 | S/51.40 | |
| S/4.63 | S/463.00 | |
| S/4.28 | S/4,280.00 |
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 85412101
- ECCN:
- EAR99
