Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

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Resultados: 35

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
1,494En existencias
NRND

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IPN80R600P7ATMA1

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726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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1,494En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.38

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
328En existencias
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IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

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328En existencias

S/12.73

S/6.85

S/5.02

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
538En existencias
NRND

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IPP80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R900P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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538En existencias

S/4.24

S/3.89

S/3.56

S/2.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

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231En existencias

S/14.79

S/8.14

S/6.66

S/5.14

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
350Se espera el 11/06/2026

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IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

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350Se espera el 11/06/2026

S/6.42

S/3.05

S/2.72

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R2K0P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/4.79

S/2.09

S/1.86

S/1.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R360P7XKSA1

NRND

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/13.16

S/7.20

S/5.88

S/4.48

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
915Se espera el 22/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

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915Se espera el 22/05/2026

S/9.11

S/4.94

S/4.01

S/3.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPAN80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/11.09

S/5.53

S/4.98

S/4.01

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R600P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/7.90

S/3.57

S/3.22

S/2.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

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