Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
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S/7.90

S/5.06

S/3.39

S/2.68

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S/2.21

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1 Channel

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7 A

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51 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
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IPD80R1K2P7ATMA1

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S/6.50

S/4.13

S/2.74

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

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4.5 A

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37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
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726-IPU80R900P7AKMA1

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S/7.36

S/3.29

S/2.95

S/2.47

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6 A

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45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPN80R600P7ATMA1
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1: S/8.45
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NRND

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S/8.45

S/5.22

S/2.58

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Envase tipo carrete

S/2.39

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R360P7ATMA1
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4,948En existencias

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IPD80R360P7ATMA1

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S/12.26

S/7.79

S/5.49

S/4.44

S/4.28

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R280P7ATMA1
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5,339En existencias

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IPD80R280P7ATMA1

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S/14.52

S/9.19

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

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1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

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101 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD80R2K4P7ATMA1
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9,180En existencias

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S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

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2.5 V

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22 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape

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IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
2,284En existencias

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IPD80R600P7ATMA1

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726-IPD80R600P7ATMA1

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S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

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60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP80R280P7XKSA1
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1: S/14.29
291En existencias
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S/14.29

S/7.86

S/7.55

S/5.76

S/5.49

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17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

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+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
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213En existencias
NRND

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IPW80R280P7XKSA1

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726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

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S/16.82

S/9.26

S/7.59

S/6.34

S/6.11

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17 A

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101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,007En existencias
2,500Se espera el 28/05/2026

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IPD80R2K0P7ATMA1

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726-IPD80R2K0P7ATMA1

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S/5.49

S/3.45

S/2.28

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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3 A

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2.5 V

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
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2,170En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

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IPD80R4K5P7ATMA1

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726-IPD80R4K5P7ATMA1

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S/4.75

S/2.41

S/1.77

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

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13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
4,671En existencias
9,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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4,671En existencias

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S/4.05

S/2.43

S/1.64

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

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703En existencias

S/7.32

S/3.49

S/3.12

S/2.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.45
856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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856En existencias

S/15.45

S/7.82

S/7.08

S/5.76

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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803En existencias

S/12.69

S/6.34

S/5.72

S/4.59

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
1,592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,592En existencias

S/10.47

S/5.41

S/4.75

S/3.88

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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901En existencias

S/9.61

S/6.15

S/4.28

S/3.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
521En existencias
2,500Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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521En existencias

2,500Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/6.11

S/3.86

S/2.57

S/2.01

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
3,040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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Hoja de datos

3,040En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/2.62

S/1.77

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.20

S/1.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
904En existencias
7,500Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

904En existencias

7,500Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/10.47

S/6.66

S/4.63

S/3.70

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.71
969En existencias
3,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

969En existencias

3,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/4.71

S/2.95

S/1.94

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,996En existencias

S/4.48

S/1.92

S/1.70

S/1.40

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
2,376Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,376Se espera el 9/07/2026

S/8.76

S/4.24

S/3.79

S/3.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
7,500Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

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7,500Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.12

S/2.47

Envase tipo carrete

S/1.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

500 mW
6 W
7 W
7.4 W
13 W
18 W
22 W
24 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
32 W
37 W
45 W
51 W
60 W
73 W
84 W