Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

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IPD80R360P7ATMA1
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S/8.52

S/5.92

S/4.79

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

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1 Channel

800 V

13 A

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- 20 V, 20 V

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84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R1K2P7ATMA1
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Cinta cortada

S/6.97

S/3.31

S/2.95

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.89

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

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800 V

4.5 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R2K4P7ATMA1
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9,148En existencias

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S/5.41

S/2.54

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

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2.5 V

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22 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R750P7ATMA1
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1: S/8.45
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S/8.45

S/4.09

S/3.65

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Envase tipo carrete

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Ver

Min.: 1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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800 V

7 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA80R450P7XKSA1
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1: S/11.72
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S/11.72

S/5.80

S/5.22

S/4.05

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R900P7XKSA1
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1: S/8.84
1,266En existencias

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S/8.84

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S/3.88

S/3.00

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26 W

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CoolMOS

Tube

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IPU80R900P7AKMA1
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1: S/7.90
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S/7.90

S/3.54

S/3.18

S/2.66

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CoolMOS

Tube

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IPD80R280P7ATMA1
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8,939En existencias

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S/14.29

S/7.98

S/7.24

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S/5.96

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IPD80R900P7ATMA1
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S/7.82

S/3.76

S/3.36

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Envase tipo carrete

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DPAK-3 (TO-252-3)

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800 V

6 A

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15 nC

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CoolMOS

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IPN80R2K4P7ATMA1
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9,743En existencias

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S/5.02

S/2.35

S/2.08

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.40

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SOT-223-3

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1 Channel

800 V

2.5 A

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7.5 nC

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500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R2K0P7ATMA1
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Cinta cortada

S/5.88

S/2.76

S/2.45

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Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

Min.: 1
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: 2,500

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DPAK-3 (TO-252-3)

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3 A

1.7 Ohms

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2.5 V

9 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
702En existencias

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IPA80R1K4P7XKSA1

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S/7.82

S/3.76

S/3.36

S/2.85

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1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

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24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

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S/16.54

S/8.45

S/7.67

S/6.23

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

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S/13.58

S/6.81

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S/5.10

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N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

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2.5 V

30 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
363En existencias
500Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

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363En existencias

500Se espera el 6/05/2027

S/10.35

S/5.10

S/4.55

S/3.65

S/3.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
219En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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219En existencias

2,500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/6.93

S/3.66

S/2.92

S/2.22

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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Hoja de datos

2,947En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/2.94

S/2.02

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
159En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

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159En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/11.21

S/5.53

S/4.98

S/4.01

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
1,558En existencias
2,500Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,558En existencias

2,500Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/4.75

S/2.20

S/1.90

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
196En existencias
10,000Se espera el 31/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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196En existencias

10,000Se espera el 31/12/2026

Cinta cortada

S/9.61

S/4.71

S/4.20

S/3.35

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,534En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,534En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/4.48

S/2.45

S/1.81

S/1.42

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

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1,500En existencias

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S/1.83

S/1.51

Ver

Min.: 1
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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

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