Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
776 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
803 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
900 En existencias
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S/10.78
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726-IPD80R1K4P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
32 En existencias
2,500 Se espera el 22/10/2026
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S/6.81
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S/2.80
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R4K5P7ATMA1
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S/5.22
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726-IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
815 En existencias
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10
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
4.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
4 nC
- 50 C
+ 150 C
13 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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S/5.68
10
S/3.50
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3.5 V
7.5 nC
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+ 150 C
500 mW
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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12,000 Se espera el 5/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
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S/7.12
10
S/4.40
100
S/2.90
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S/2.28
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S/1.95
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10 nC
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
280 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
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+ 150 C
101 W
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CoolMOS
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IPA80R900P7XKSA1
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500 Se espera el 27/07/2026
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726-IPA80R900P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
766 En existencias
500 Se espera el 27/07/2026
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S/9.19
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube