Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

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Enhancement

CoolMOS

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IPD80R900P7ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R1K2P7ATMA1
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IPD80R1K4P7ATMA1
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IPD80R3K3P7ATMA1
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Reel, Cut Tape

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IPD80R280P7ATMA1
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IPD80R360P7ATMA1
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S/5.22

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CoolMOS

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IPD80R2K4P7ATMA1
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S/2.85

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2.5 V

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
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4,161En existencias

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IPD80R450P7ATMA1

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726-IPD80R450P7ATMA1

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S/9.65

S/6.15

S/4.20

S/3.51

Envase tipo carrete

S/2.86

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
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1,334En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPU80R1K4P7AKMA1

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726-IPU80R1K4P7AKMA1

NRND

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S/5.41

S/5.18

S/4.32

S/3.86

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
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2,000En existencias

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IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

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S/7.67

S/3.70

S/3.31

S/2.63

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800 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
3,217En existencias

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IPD80R2K0P7ATMA1

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726-IPD80R2K0P7ATMA1

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S/5.02

S/3.16

S/2.08

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.34

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CoolMOS

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IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
924En existencias
2,500Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

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924En existencias

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S/4.20

S/2.57

S/1.67

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Envase tipo carrete

S/0.958

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

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3 V

4 nC

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+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
4,510En existencias
6,000Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

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4,510En existencias

6,000Se espera el 26/02/2026

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S/3.66

S/2.28

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.864

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Min.: 1
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SOT-223-3

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1 Channel

800 V

1.5 A

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4 nC

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+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
1,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

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726-IPU80R900P7AKMA1

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1,451En existencias

S/6.46

S/2.88

S/2.58

S/2.15

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1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

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2.5 V

15 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4P7XKSA1

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S/6.73

S/4.24

S/2.85

S/2.34

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4 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

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958En existencias

S/13.58

S/6.89

S/6.23

S/5.02

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CoolMOS

Tube

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IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

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726-IPA80R360P7XKSA1

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506En existencias

S/11.09

S/5.53

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S/4.55

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CoolMOS

Tube

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IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPA80R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R450P7XKSA1

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1,597En existencias

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPA80R900P7XKSA1

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
2,227En existencias
3,000Se espera el 25/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,227En existencias

3,000Se espera el 25/03/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

3,958En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

3,000En existencias

S/4.09

S/2.56

S/1.67

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

500 mW
6 W
6.1 W
7 W
7.4 W
13 W
18 W
22 W
24 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
32 W
37 W
45 W
51 W
60 W
73 W