Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

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Resultados: 38

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

CSD13380F3T
Texas Instruments
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53,526En existencias

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CSD13380F3T

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595-CSD13380F3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

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S/1.87

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

3.6 A

76 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

CSD13381F4T
Texas Instruments
1: S/1.60
5,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13381F4T

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595-CSD13381F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

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S/1.60

S/1.46

S/1.34

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S/1.34

S/1.25

S/1.18

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

2.1 A

180 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

1.06 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3

CSD23280F3T
Texas Instruments
1: S/5.18
2,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD23280F3T

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595-CSD23280F3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3

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S/5.18

S/3.27

S/1.88

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S/1.88

S/1.60

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950 mV

950 pC

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500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

CSD18541F5T
Texas Instruments
1: S/5.76
2,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18541F5T

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595-CSD18541F5T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

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S/5.76

S/3.64

S/2.10

Envase tipo carrete

S/2.10

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PICOSTAR-3

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2.2 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.75 V

11 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4

CSD25484F4T
Texas Instruments
1: S/2.84
2,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25484F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25484F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4

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S/2.84

S/2.68

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.65

S/1.47

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

825 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

1.09 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

FemtoFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

CSD13383F4
Texas Instruments
1: S/1.91
34,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13383F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13383F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

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S/1.91

S/1.36

S/0.849

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.424

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PICOSTAR-3

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12 V

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- 10 V, 10 V

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2.6 nC

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500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4

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Texas Instruments
1: S/5.41
5,502En existencias

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CSD17381F4T

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595-CSD17381F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4

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S/5.41

S/3.42

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S/2.27

S/1.79

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3.1 A

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- 12 V, 12 V

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1.04 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A 595-CSD17483F4T

CSD17483F4
Texas Instruments
1: S/1.48
28,541En existencias

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CSD17483F4

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595-CSD17483F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A 595-CSD17483F4T

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S/1.48

S/0.919

S/0.58

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S/0.381

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S/0.319

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FemtoFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T

CSD13380F3
Texas Instruments
1: S/1.44
3,709En existencias
9,000Se espera el 26/02/2026

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CSD13380F3

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595-CSD13380F3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T

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3,709En existencias

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S/1.44

S/1.08

S/0.615

S/0.389

Envase tipo carrete

S/0.276

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PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

3.6 A

76 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

CSD13381F4
Texas Instruments
1: S/1.40
21,354En existencias

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CSD13381F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13381F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

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S/1.40

S/1.05

S/0.596

S/0.409

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S/0.265

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

2.1 A

180 mOhms

- 8 V, 8 V

650 mV

1.06 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

CSD13383F4T
Texas Instruments
1: S/3.15
511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13383F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13383F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

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S/3.15

S/2.37

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.61

S/1.48

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

2.9 A

44 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

FemtoFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T

CSD13385F5
Texas Instruments
1: S/2.18
4,080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13385F5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13385F5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T

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4,080En existencias

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S/2.18

S/1.35

S/0.872

S/0.646

Envase tipo carrete

S/0.502

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

19 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5

CSD13385F5T
Texas Instruments
1: S/5.84
670En existencias
1,000Se espera el 12/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD13385F5T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13385F5T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5

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670En existencias

1,000Se espera el 12/02/2026

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S/5.84

S/3.44

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.91

S/1.63

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

19 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T

CSD15380F3
Texas Instruments
1: S/1.40
16,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD15380F3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD15380F3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T

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16,650En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/1.05

S/0.592

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.257

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

1.46 Ohms

- 10 V, 10 V

1.1 V

216 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 595-CSD15380F3

CSD15380F3T
Texas Instruments
1: S/4.71
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD15380F3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD15380F3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 595-CSD15380F3

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Cinta cortada

S/4.71

S/2.42

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.66

S/1.43

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

1.46 Ohms

- 10 V, 10 V

850 mV

216 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

CSD17381F4
Texas Instruments
1: S/1.56
11,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17381F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17381F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

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11,084En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/1.06

S/0.662

S/0.455

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.343

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.1 A

109 mOhms

- 8 V, 8 V

650 mV

1.04 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T

CSD17382F4
Texas Instruments
1: S/1.63
7,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17382F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17382F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T

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7,750En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/0.996

S/0.631

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.35

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

67 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4

CSD17382F4T
Texas Instruments
1: S/5.45
725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17382F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17382F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4

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725En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.41

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.34

S/1.29

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

67 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

CSD17483F4T
Texas Instruments
1: S/5.37
2,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17483F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17483F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Hoja de datos

2,735En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.38

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

S/1.66

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Carrete: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

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- 12 V, 12 V

850 mV

1.01 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

CSD17484F4
Texas Instruments
1: S/1.63
10,209En existencias
27,000Se espera el 26/03/2026

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CSD17484F4

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595-CSD17484F4

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S/0.374

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3 A

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- 12 V, 12 V

650 mV

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500 mW

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Texas Instruments
1: S/1.91
872En existencias
15,000Se espera el 2/04/2026

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1 Channel

30 V

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- 20 V, 20 V

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5.1 nC

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CSD17585F5T
Texas Instruments
1: S/3.74
2,773En existencias

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595-CSD17585F5T

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N-Channel

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5.9 A

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CSD18541F5
Texas Instruments
1: S/1.95
4,303En existencias

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CSD18541F5

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595-CSD18541F5

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1: S/1.32
9,082En existencias

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595-CSD23280F3

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1.8 A

250 mOhms

- 6 V, 6 V

950 mV

950 pC

- 55 C

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PicoStar

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CSD23285F5
Texas Instruments
1: S/2.45
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CSD23285F5

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595-CSD23285F5

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