CSD13381F4

Texas Instruments
595-CSD13381F4
CSD13381F4

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
2.1 A
180 mOhms
8 V
650 mV
1.06 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 3.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1.5 ns
Serie: CSD13381F4
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel FemtoFET MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3.7 ns
Peso de la unidad: 0.400 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
China
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

En existencias: 2,474

Existencias:
2,474
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
72,000
Se espera el 1/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/1.52 S/1.52
S/0.93 S/9.30
S/0.588 S/58.80
S/0.436 S/218.00
S/0.385 S/385.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.323 S/969.00
S/0.292 S/1,752.00
S/0.245 S/2,205.00
S/0.234 S/5,616.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
CSD13381F4T
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/5.61
Mín.:
1

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