Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1302T028X0200ABXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.61
10,908 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC1302T028X0201
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
10,908 En existencias
1
S/12.61
10
S/9.34
25
S/8.33
100
S/7.63
3,000
S/5.64
6,000
Ver
250
S/7.24
500
S/6.89
1,000
S/6.31
6,000
S/5.10
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3,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
Infineon Technologies XMC4108Q48K64BAXUMA1
XMC4108Q48K64BAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.50
1,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4108Q48K64BAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
1,368 En existencias
1
S/25.50
10
S/19.07
25
S/17.32
100
S/15.80
250
Ver
2,500
S/12.18
250
S/14.99
500
S/13.97
1,000
S/12.81
2,500
S/12.18
5,000
Presupuesto
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2,500
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1302T038X0200ABXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.74
10,461 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1302T038X0200ABX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
10,461 En existencias
1
S/13.74
10
S/10.32
25
S/9.42
100
S/8.49
3,000
S/6.58
6,000
Ver
250
S/8.02
500
S/7.47
1,000
S/6.85
6,000
S/6.54
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.45
28,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
28,000 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.45
10
S/5.06
100
S/3.59
500
S/2.85
5,000
S/2.22
10,000
Ver
1,000
S/2.50
2,500
S/2.32
10,000
S/1.95
25,000
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5,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1402T038X0128AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.35
969 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1402T038X0128AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
969 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
969 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 17/09/2026
3,000 Se espera el 7/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas
1
S/13.35
10
S/10.00
25
S/9.15
100
S/8.21
3,000
S/5.88
6,000
Ver
250
S/7.79
500
S/7.05
1,000
S/6.11
6,000
S/5.76
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.75
12,997 En existencias
5,000 Se espera el 23/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
12,997 En existencias
5,000 Se espera el 23/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/7.75
10
S/4.67
100
S/3.31
500
S/2.68
1,000
Ver
5,000
S/2.09
1,000
S/2.36
2,500
S/2.24
5,000
S/2.09
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.69
18,909 En existencias
15,000 Se espera el 17/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
18,909 En existencias
15,000 Se espera el 17/12/2026
Embalaje alternativo
1
S/9.69
10
S/6.15
100
S/4.13
500
S/3.37
1,000
Ver
5,000
S/2.68
1,000
S/3.02
2,500
S/2.82
5,000
S/2.68
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Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.14
4,615 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
4,615 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.14
10
S/5.18
100
S/3.48
500
S/2.82
1,000
Ver
5,000
S/2.24
1,000
S/2.53
2,500
S/2.46
5,000
S/2.24
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5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.14
10,826 En existencias
15,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
10,826 En existencias
15,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/8.14
10
S/5.18
100
S/3.48
500
S/2.82
5,000
S/2.24
10,000
Ver
1,000
S/2.53
2,500
S/2.37
10,000
S/2.04
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IRL80HS120
Infineon Technologies
1:
S/8.06
14,327 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IRL80HS120
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
14,327 En existencias
1
S/8.06
10
S/4.98
100
S/3.27
500
S/2.57
4,000
S/1.69
24,000
Ver
1,000
S/2.20
2,000
S/1.99
24,000
S/1.67
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/4.32
22,126 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
22,126 En existencias
1
S/4.32
10
S/3.08
100
S/1.92
500
S/1.32
4,000
S/0.845
8,000
Ver
1,000
S/1.11
2,000
S/0.996
8,000
S/0.79
24,000
S/0.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
+2 imágenes
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.43
127,156 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
127,156 En existencias
1
S/3.43
10
S/2.39
100
S/1.51
500
S/0.934
3,000
S/0.611
6,000
Ver
1,000
S/0.689
6,000
S/0.529
9,000
S/0.463
24,000
S/0.378
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
+2 imágenes
IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.37
141,321 En existencias
111,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
141,321 En existencias
111,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
141,321 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 23/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas
1
S/2.37
10
S/1.46
100
S/0.926
500
S/0.697
3,000
S/0.522
6,000
Ver
1,000
S/0.607
6,000
S/0.452
9,000
S/0.378
24,000
S/0.339
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
+2 imágenes
IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.80
42,857 En existencias
174,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
42,857 En existencias
174,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
42,857 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
72,000 Se espera el 3/09/2026
102,000 Se espera el 28/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
1
S/2.80
10
S/1.73
100
S/1.11
500
S/0.833
3,000
S/0.603
6,000
Ver
1,000
S/0.747
6,000
S/0.525
9,000
S/0.463
24,000
S/0.413
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.74
2,344 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-2EDN7424FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2,344 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.65
25
S/2.38
100
S/2.09
2,500
S/1.46
5,000
Ver
250
S/1.95
500
S/1.86
1,000
S/1.79
5,000
S/1.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.11
3,459 En existencias
4,000 Se espera el 22/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
3,459 En existencias
4,000 Se espera el 22/07/2026
1
S/3.11
10
S/2.20
25
S/1.97
100
S/1.73
250
Ver
4,000
S/1.37
250
S/1.61
500
S/1.54
1,000
S/1.48
2,000
S/1.41
4,000
S/1.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ22DN20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/6.77
2,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ22DN20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,148 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.77
10
S/4.28
100
S/2.80
500
S/2.22
5,000
S/1.73
10,000
Ver
1,000
S/1.97
2,500
S/1.80
10,000
S/1.69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
274 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ22DN20NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
274 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/7.63
10
S/4.83
100
S/3.22
500
S/2.28
1,000
S/2.12
5,000
S/1.92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.84
23,003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
23,003 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.84
10
S/5.61
100
S/3.78
500
S/3.07
1,000
Ver
5,000
S/2.45
1,000
S/2.75
2,500
S/2.69
5,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.45
699 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
699 En existencias
5,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/8.45
10
S/5.33
100
S/3.49
500
S/2.77
1,000
Ver
5,000
S/2.09
1,000
S/2.46
2,500
S/2.37
5,000
S/2.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ42DN25NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.21
239 En existencias
5,000 Se espera el 23/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
239 En existencias
5,000 Se espera el 23/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/8.21
10
S/5.14
100
S/3.38
500
S/2.68
1,000
Ver
5,000
S/2.03
1,000
S/2.38
2,500
S/2.18
5,000
S/2.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1402F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.79
5,700 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1402F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
5,700 En pedido
Ver fechas
En pedido:
1,900 Se espera el 15/07/2026
3,800 Se espera el 26/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
S/14.79
10
S/11.09
25
S/10.16
100
S/9.15
1,900
S/7.01
3,800
Ver
250
S/8.68
500
S/8.10
1,000
S/7.32
3,800
S/6.93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,900
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.15
11,614 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
11,614 En pedido
Ver fechas
En pedido:
5,614 Se espera el 15/07/2026
6,000 Se espera el 30/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
S/3.15
10
S/2.21
25
S/1.98
100
S/1.73
250
Ver
3,000
S/1.37
250
S/1.61
500
S/1.54
1,000
S/1.48
3,000
S/1.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.15
32,416 Se espera el 7/01/2027
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
32,416 Se espera el 7/01/2027
1
S/3.15
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S/2.21
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S/1.98
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S/1.73
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S/1.37
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S/1.54
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S/1.48
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S/1.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IRL100HS121
Infineon Technologies
1:
S/6.11
19,873 Se espera el 20/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IRL100HS121
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
19,873 Se espera el 20/07/2026
1
S/6.11
10
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S/2.47
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S/1.94
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S/1.27
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S/1.66
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S/1.51
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