Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.86
16,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N20NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.47

S/2.94

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Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.31
2,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ22DN20NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ22DN20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

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2,776En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.19

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Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

7 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.26
142,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0060TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0060TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

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142,977En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.38

S/0.884

S/0.666

Envase tipo carrete

S/0.487

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.7 A

116 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IRL100HS121
Infineon Technologies
1: S/4.36
7,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRL100HS121

N.º de artículo de Mouser
726-IRL100HS121

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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Cinta cortada

S/4.36

S/2.72

S/1.79

S/1.38

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Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

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Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

100 V

5.1 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

11.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IRL80HS120
Infineon Technologies
1: S/5.61
6,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRL80HS120

N.º de artículo de Mouser
726-IRL80HS120

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

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Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

80 V

12.5 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

11.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
5,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ22DN20NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ22DN20NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

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S/6.27

S/4.01

S/2.66

S/2.09

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Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

7 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
11,113En existencias
10,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ42DN25NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

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10,000Se espera el 8/10/2026

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S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.36

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S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

371 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.17
33,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ520N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

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S/8.17

S/5.25

S/3.62

S/3.07

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
17,151En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ520N15NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

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17,151En existencias

10,000En pedido

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S/8.02

S/5.14

S/3.47

S/2.76

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Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.55
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.20

S/2.62

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Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
16,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N20NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

16,560En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: S/3.27
8,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

8,186En existencias

Cinta cortada

S/3.27

S/1.95

S/1.32

S/1.01

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Envase tipo carrete

S/0.705

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: S/1.95
161,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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Hoja de datos

161,090En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.15

S/0.767

S/0.576

Envase tipo carrete

S/0.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1: S/1.83
556En existencias
119,150En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0040TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

556En existencias

119,150En pedido

Cinta cortada

S/1.83

S/1.12

S/0.708

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3.6 A

78 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.32
1,670En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ42DN25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,670En existencias

5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.10

S/2.54

Ver

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

371 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000En pedido

Cinta cortada

S/7.16

S/4.48

S/3.06

S/2.43

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Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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