Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
+3 imágenes
2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.25
2,732 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2,732 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.25
10
S/6.11
25
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250
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S/4.52
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S/4.40
2,500
S/3.81
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Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7524GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.13
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N.º de artículo de Mouser
726-2EDN7524GXTMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
17,725 En existencias
1
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10
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25
S/2.68
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Ver
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500
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S/2.05
8,000
S/1.88
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
1:
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3,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
3,212 En existencias
1
S/22.34
10
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S/10.12
1,000
S/11.02
1,700
S/10.12
23,800
Presupuesto
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
2,693 En existencias
1
S/8.95
10
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100
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Ver
5,000
S/2.50
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S/2.47
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
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4,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,458 En existencias
1
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S/2.61
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S/2.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
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1,722 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,722 En existencias
1
S/10.08
10
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S/3.34
3,000
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
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1EDI20I12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20I12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
2,827 En existencias
1
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10
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1,000
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2,500
S/2.71
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.73
1,783 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
1,783 En existencias
1
S/19.73
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Ver
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1,000
S/8.06
2,000
S/7.28
10,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/24.56
3,396 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,396 En existencias
1
S/24.56
10
S/14.40
100
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480
S/10.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
+1 imagen
IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/36.43
1,254 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,254 En existencias
1
S/36.43
10
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100
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1,200
Ver
1,200
S/17.24
2,640
S/17.05
10,080
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/5.49
4,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,980 En existencias
1
S/5.49
10
S/2.44
100
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S/1.35
5,000
Ver
5,000
S/1.34
10,000
S/1.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/1.83
6,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6,265 En existencias
1
S/1.83
10
S/1.69
100
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500
S/1.14
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S/0.938
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Ver
1,000
S/1.08
5,000
S/0.93
10,000
S/0.895
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.11
19,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
19,852 En existencias
1
S/3.11
10
S/2.11
100
S/1.50
500
S/1.15
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5,000
Ver
1,000
S/1.04
5,000
S/0.751
25,000
S/0.724
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.66
5,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,852 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.24
100
S/2.83
500
S/2.23
2,500
S/1.71
10,000
Ver
1,000
S/2.04
10,000
S/1.65
25,000
S/1.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/19.50
828 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
828 En existencias
1
S/19.50
10
S/18.76
25
S/10.20
100
S/9.38
250
Ver
250
S/9.34
500
S/7.28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 25V 1-CH low-side,2A OCP, Enable & FAULT
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.58
17,326 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1ED44176N01FXUMA
Infineon Technologies
Controladores de puertas 25V 1-CH low-side,2A OCP, Enable & FAULT
17,326 En existencias
1
S/3.58
10
S/2.56
25
S/2.30
100
S/2.03
250
Ver
2,500
S/1.53
250
S/1.90
500
S/1.81
1,000
S/1.68
2,500
S/1.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.63
3,266 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,266 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.63
10
S/3.35
25
S/3.03
100
S/2.68
2,500
S/1.97
7,500
Ver
250
S/2.51
500
S/2.41
1,000
S/2.24
7,500
S/1.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.09
3,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,335 En existencias
1
S/11.09
10
S/7.20
100
S/4.98
500
S/4.09
1,000
S/3.76
2,500
S/3.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.41
1,354 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,354 En existencias
1
S/24.41
10
S/17.36
100
S/12.73
1,000
S/11.48
1,700
S/10.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.99
2,005 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,005 En existencias
1
S/21.99
10
S/16.58
100
S/11.99
500
S/11.95
1,000
Ver
2,000
S/9.77
1,000
S/10.86
2,000
S/9.77
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.11
4,018 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
4,018 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/16.11
10
S/12.18
25
S/11.13
100
S/10.16
250
Ver
1,000
S/8.49
250
S/9.61
500
S/9.34
1,000
S/8.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.30
19,345 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
19,345 En existencias
1
S/2.30
10
S/1.62
25
S/1.45
100
S/1.27
3,000
S/0.965
6,000
Ver
250
S/1.18
500
S/1.12
1,000
S/1.08
6,000
S/0.954
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
+3 imágenes
6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.41
1,048 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,048 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.41
10
S/9.30
25
S/8.37
100
S/7.75
1,000
S/6.50
2,000
Ver
250
S/7.40
500
S/7.20
2,000
S/6.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH06G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1:
S/11.44
2,452 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IDH06G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
2,452 En existencias
1
S/11.44
10
S/5.72
100
S/4.83
500
S/4.16
1,000
Ver
1,000
S/3.67
5,000
S/3.53
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/35.07
82 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
82 En existencias
1
S/35.07
10
S/23.98
100
S/19.15
500
S/19.11
1,000
Ver
2,000
S/15.61
1,000
S/17.01
2,000
S/15.61
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles