Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.77
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726-IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,579 En existencias
1
S/9.77
10
S/5.33
100
S/4.71
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S/3.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
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726-IPL60R160CFD7AUM
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2,966 En existencias
1
S/16.31
10
S/9.03
100
S/7.08
500
S/6.27
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S/5.25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
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726-IPL60R075CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,578 En existencias
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S/29.43
10
S/17.94
100
S/14.25
500
S/13.78
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S/12.96
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Controladores de puertas DRIVER-IC
1ED020I12FTA
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726-1ED020I12FTA
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Controladores de puertas DRIVER-IC
890 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/32.07
10
S/24.72
25
S/22.89
100
S/20.86
1,000
S/18.68
2,000
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S/19.35
500
S/19.31
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Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V
2ED020I12FAXUMA2
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726-2ED020I12FAXUMA2
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Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V
822 En existencias
1
S/52.78
10
S/41.57
25
S/38.46
100
S/35.69
250
Ver
1,000
S/32.50
250
S/35.58
500
S/33.48
1,000
S/32.50
2,000
Presupuesto
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH10SG60CXKSA2
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NRND
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
567 En existencias
1
S/25.89
10
S/13.70
100
S/12.53
500
S/10.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R125CFD7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
688 En existencias
1
S/20.01
10
S/10.35
100
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S/7.75
1,000
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S/6.81
5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
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726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,670 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.44
100
S/2.95
500
S/2.33
2,500
S/1.86
5,000
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S/2.13
5,000
S/1.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
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3,361 En existencias
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726-IPL60R185CFD7AUM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,361 En existencias
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S/14.56
10
S/8.41
100
S/6.34
500
S/5.49
3,000
S/4.90
6,000
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S/5.41
6,000
S/4.52
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
1EDC60I12AHXUMA1
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726-1EDC60I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
813 En existencias
1
S/13.27
10
S/9.96
25
S/8.95
100
S/8.17
1,000
S/7.32
2,000
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250
S/7.75
500
S/7.51
2,000
S/7.08
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S/7.01
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDD06SG60CXTMA2
Infineon Technologies
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S/17.52
1,798 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IDD06SG60CXTMA2
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
1,798 En existencias
1
S/17.52
10
S/10.90
100
S/8.14
500
S/6.85
2,500
S/5.68
5,000
S/5.57
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2,500
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
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S/41.88
432 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
432 En existencias
1
S/41.88
10
S/24.80
100
S/20.90
480
S/18.02
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDD10SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1:
S/25.61
2,695 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IDD10SG60CXTMA2
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
2,695 En existencias
1
S/25.61
10
S/17.17
100
S/12.38
500
S/11.37
2,500
S/9.93
5,000
Ver
1,000
S/10.63
5,000
S/9.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/32.42
2,061 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,061 En existencias
1
S/32.42
10
S/20.09
100
S/16.23
500
S/16.04
1,000
S/13.55
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1,000
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDD08SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1:
S/21.18
4,541 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IDD08SG60CXTMA2
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
4,541 En existencias
1
S/21.18
10
S/14.09
100
S/10.04
500
S/9.03
2,500
S/7.71
5,000
Ver
1,000
S/8.84
5,000
S/7.16
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
1EDC20H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.52
2,250 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDC20H12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
2,250 En existencias
1
S/11.52
10
S/8.60
25
S/7.67
100
S/7.05
1,000
S/5.84
2,000
Ver
250
S/6.70
500
S/6.54
2,000
S/5.76
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.53
4,894 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
4,894 En existencias
1
S/12.53
10
S/9.42
25
S/8.49
100
S/7.79
1,000
S/6.93
2,000
Ver
250
S/7.36
500
S/7.24
2,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/23.43
437 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS
Fin de vida útil
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
437 En existencias
1
S/23.43
10
S/15.34
480
S/15.30
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.70
4,532 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,532 En existencias
1
S/10.70
10
S/6.93
100
S/4.75
500
S/4.20
1,000
Ver
3,000
S/3.67
1,000
S/3.87
3,000
S/3.67
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.49
1,274 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60H12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1,274 En existencias
1
S/12.49
10
S/9.38
25
S/8.37
100
S/7.75
1,000
S/6.66
5,000
Ver
250
S/7.32
500
S/7.16
5,000
S/6.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
Infineon Technologies 6ED003L02-F2
6ED003L02-F2
Infineon Technologies
1:
S/10.47
2,360 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-6ED003L02-F2
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
2,360 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.47
10
S/7.79
25
S/7.08
100
S/6.34
3,000
S/5.29
6,000
Ver
250
S/5.99
500
S/5.80
1,000
S/5.76
6,000
S/5.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN8533FXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.84
2,211 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDN8533FXTMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2,211 En existencias
1
S/2.84
10
S/2.01
25
S/1.81
100
S/1.58
2,500
S/1.29
5,000
Ver
250
S/1.48
500
S/1.41
1,000
S/1.36
5,000
S/1.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.58
2,485 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,485 En existencias
1
S/6.58
10
S/3.85
100
S/2.66
500
S/2.17
2,500
S/1.85
5,000
Ver
1,000
S/1.96
5,000
S/1.65
10,000
S/1.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas HVGD_TRACT
1EBN1001AEXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.47
843 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EBN1001AEXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas HVGD_TRACT
843 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.47
10
S/10.12
25
S/9.30
100
S/8.37
2,500
S/7.16
5,000
Ver
250
S/7.94
500
S/7.82
1,000
S/7.63
5,000
S/7.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.31
2,042 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,042 En existencias
1
S/6.31
10
S/4.01
100
S/2.65
500
S/2.08
3,000
S/1.66
6,000
Ver
1,000
S/1.89
6,000
S/1.58
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles