Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
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2EDL23I06PJ
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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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641-2ED020I12-FI
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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25
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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1ED020I12FA2XUMA2
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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S/16.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R070CFD7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R360P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,132 En existencias
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Controladores de puertas HVGD_TRACT
1EBN1001AEXUMA1
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Controladores de puertas HVGD_TRACT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
27,823 En existencias
1
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S/1.81
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S/1.43
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12-B2
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
641-1ED020I12-B2
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
5,219 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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726-IPP60R360P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,847 En existencias
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S/6.23
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1,000
S/2.27
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S/2.20
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S/2.06
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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382 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
382 En existencias
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S/30.63
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480
S/13.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.16
4,661 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,661 En existencias
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S/7.16
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S/2.42
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S/1.93
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S/2.23
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S/1.82
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH16G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1:
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2,334 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IDH16G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
2,334 En existencias
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S/9.07
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S/8.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.78
864 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
864 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
1:
S/10.20
411 En existencias
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726-2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
411 En existencias
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1
S/10.20
10
S/6.58
25
S/5.88
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Ver
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S/4.55
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1,000
S/3.47
7,500
S/3.01
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7534GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.85
5,825 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
5,825 En existencias
1
S/3.85
10
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Ver
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S/2.02
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S/1.93
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S/1.86
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S/1.39
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06PF
Infineon Technologies
1:
S/7.90
2,390 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2,390 En existencias
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1
S/7.90
10
S/5.06
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100
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2,500
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500
S/3.05
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S/2.57
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S/2.13
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
1:
S/7.86
1,657 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,657 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.86
10
S/5.02
25
S/4.48
100
S/3.69
2,500
S/2.34
7,500
Ver
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S/3.22
500
S/3.05
1,000
S/2.56
7,500
S/2.13
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Min.: 1
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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6EDL04I06NT
Infineon Technologies
1:
S/18.41
756 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06NT
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
756 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/18.41
10
S/12.22
25
S/11.29
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Ver
250
S/9.30
500
S/8.37
2,000
S/6.81
5,000
S/6.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.88
8,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,737 En existencias
1
S/5.88
10
S/3.72
100
S/2.48
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S/1.94
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S/1.56
5,000
Ver
1,000
S/1.77
5,000
S/1.44
10,000
S/1.39
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.34
1,483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,483 En existencias
1
S/12.34
10
S/8.02
100
S/5.57
500
S/4.83
1,000
S/4.36
1,700
S/3.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.52
5,962 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5,962 En existencias
1
S/17.52
10
S/11.60
100
S/8.21
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S/7.59
1,000
S/7.20
3,000
S/6.19
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.42
3,364 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,364 En existencias
1
S/12.42
10
S/7.36
100
S/5.68
500
S/4.83
1,000
S/4.44
3,000
S/3.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.87
12,380 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12,380 En existencias
1
S/4.87
10
S/3.04
100
S/2.00
500
S/1.59
3,000
S/1.09
24,000
Ver
1,000
S/1.41
24,000
S/1.04
Comprar
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