Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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N.° de pieza

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23I06PJ
Infineon Technologies
1: S/8.60
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL23I06PJ

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23I06PJ

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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Cinta cortada

S/8.60

S/6.34

S/5.80

S/5.18

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Envase tipo carrete

S/4.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
69,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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69,263En existencias

S/5.61

S/3.01

S/2.62

S/2.19

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05I06PF
Infineon Technologies
1: S/4.79
2,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05I06PF

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06PF

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/4.79

S/3.46

S/3.13

S/2.76

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S/2.30

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: 2,500

Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv

2ED300C17-ST
Infineon Technologies
1: S/876.86
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2ED300C17-ST

N.º de artículo de Mouser
641-2ED300C17-ST

Infineon Technologies

Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv

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S/876.86

S/688.62

S/654.64

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Controladores de puertas DRIVER-IC

1ED020I12FA2
Infineon Technologies
1: S/32.00
3,488En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1ED020I12FA2

N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FA2

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas DRIVER-IC

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S/32.00

S/24.68

S/22.85

S/20.82

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S/18.65

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
1: S/7.08
351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05I06PJ

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06PJ

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/7.08

S/5.18

S/4.71

S/4.20

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S/3.56

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu

1EDI20I12AFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
2,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI20I12AFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20I12AFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu

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S/7.98

S/5.92

S/5.25

S/4.79

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S/4.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.61
1,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/44.61

S/26.59

S/22.62

S/22.58

S/22.42

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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
1,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04I06NTXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06NTXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/13.00

S/10.67

S/9.58

S/8.80

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S/7.32

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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04I06PTXUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.39
1,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04I06PTXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06PTXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/10.39

S/7.75

S/6.97

S/6.38

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S/5.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/16.47

S/9.69

S/7.47

S/6.50

S/6.23

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S/6.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
8,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K2P7ATMA1

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726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/6.97

S/3.31

S/2.95

S/2.33

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S/1.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.67
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

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726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/14.67

S/7.55

S/6.58

S/5.57

S/5.45

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S/5.25

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
2,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI30I12MFXUMA1

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726-1EDI30I12MFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

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S/8.56

S/6.34

S/5.68

S/5.18

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S/4.48

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Min.: 1
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: 2,500

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
1,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05N06PJXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PJXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/6.93

S/5.10

S/4.55

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.55

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
2,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL23I06PJXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23I06PJXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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Cinta cortada

S/9.11

S/6.73

S/6.03

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
1,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04N06PTXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N06PTXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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1,585En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/6.81

S/6.38

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.45

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
2,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.57
3,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/31.57

S/17.05

S/15.65

S/15.22

S/14.36

Envase tipo carrete

S/14.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.68
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/18.68

S/12.03

S/10.35

S/9.73

S/9.38

Envase tipo carrete

S/9.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.52
1,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,670En existencias

S/14.52

S/7.32

S/6.62

S/5.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
1,578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/29.43

S/15.80

S/14.48

S/13.90

S/13.12

Envase tipo carrete

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
4,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.58

S/3.10

S/2.76

S/2.16

S/1.53

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
9,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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9,148En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/2.54

S/2.14

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.37

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
4,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/8.45

S/4.09

S/3.65

S/2.90

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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