Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
1:
S/12.81
1,444 En existencias
2,500 Se espera el 28/01/2027
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
1,444 En existencias
2,500 Se espera el 28/01/2027
Embalaje alternativo
1
S/12.81
10
S/8.33
25
S/7.67
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S/6.58
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S/4.09
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
2ED020I12-FI
Infineon Technologies
1:
S/21.29
16,422 En existencias
N.º de artículo de Mouser 641-2ED020I12-FI
Infineon Technologies
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
16,422 En existencias
1
S/21.29
10
S/14.64
25
S/13.62
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S/11.37
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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
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2EDL23I06PJ
Infineon Technologies
1:
S/12.81
2,075 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL23I06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2,075 En existencias
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1
S/12.81
10
S/8.33
25
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S/4.13
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Controladores de puertas DRIVER-IC
1ED020I12FA2
Infineon Technologies
1:
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3,602 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-1ED020I12FA2
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas DRIVER-IC
3,602 En existencias
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1
S/37.45
10
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25
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S/22.19
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S/20.24
2,000
S/17.36
5,000
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD10G65C6XTMA1
Infineon Technologies
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8,415 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IDDD10G65C6XTMA1
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
8,415 En existencias
1
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500
S/7.82
1,000
S/7.32
1,700
S/7.32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
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2,793 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,793 En existencias
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1,000
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2,000
S/2.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.46
5,788 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,788 En existencias
1
S/6.46
10
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S/2.80
1,000
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S/2.54
2,500
S/2.50
5,000
S/2.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.90
4,508 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,508 En existencias
1
S/7.90
10
S/5.06
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S/2.68
2,500
S/2.21
5,000
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S/2.46
5,000
S/2.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.66
22,746 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
22,746 En existencias
1
S/6.66
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2,500
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5,000
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S/2.02
5,000
S/1.72
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
1:
S/10.20
381 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
381 En existencias
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1
S/10.20
10
S/6.58
25
S/5.88
100
S/4.87
250
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2,500
S/3.04
250
S/4.55
500
S/4.01
1,000
S/3.59
2,500
S/3.04
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06PF
Infineon Technologies
1:
S/7.90
2,290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05I06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2,290 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.90
10
S/5.06
25
S/4.52
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S/3.69
2,500
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5,000
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S/3.22
500
S/3.05
1,000
S/2.57
5,000
S/2.18
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Detalles
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.25
1,047 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,047 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.25
10
S/9.85
25
S/8.80
100
S/8.14
250
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1,000
S/6.58
250
S/7.75
500
S/7.59
1,000
S/6.58
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.85
3,184 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R210PFD7SAU
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,184 En existencias
1
S/9.85
10
S/5.99
100
S/4.32
500
S/3.44
1,000
S/3.16
2,500
S/2.94
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.50
8,720 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,720 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.74
500
S/2.16
2,500
S/1.77
5,000
Ver
1,000
S/1.97
5,000
S/1.66
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.66
1,482 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R190G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,482 En existencias
1
S/13.66
10
S/8.17
100
S/6.15
500
S/5.06
1,000
S/4.63
1,700
S/4.63
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Carrete :1,700
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.91
5,608 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5,608 En existencias
1
S/11.91
10
S/6.03
100
S/5.41
500
S/3.97
1,000
S/3.93
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.86
2,604 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
2,604 En existencias
1
S/7.86
10
S/5.80
25
S/5.22
100
S/4.71
250
Ver
2,500
S/3.93
250
S/4.44
500
S/4.28
1,000
S/4.16
2,500
S/3.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.93
1,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
1
S/6.93
10
S/5.10
25
S/4.63
100
S/4.13
2,500
S/3.25
5,000
Ver
250
S/3.85
500
S/3.71
1,000
S/3.42
5,000
S/3.17
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
+3 imágenes
2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.49
2,302 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2,302 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.49
10
S/6.31
25
S/5.61
100
S/5.14
2,500
S/4.28
5,000
Ver
250
S/4.83
500
S/4.67
1,000
S/4.59
5,000
S/4.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.95
1,585 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,585 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.95
10
S/7.24
25
S/6.62
100
S/5.92
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S/4.98
5,000
Ver
250
S/5.61
500
S/5.45
5,000
S/4.94
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Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.41
2,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,989 En existencias
1
S/21.41
10
S/13.43
100
S/8.45
3,000
S/8.45
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/13.58
1,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R170CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,683 En existencias
1
S/13.58
10
S/6.81
100
S/6.15
500
S/4.94
1,000
S/4.59
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/57.06
388 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
388 En existencias
1
S/57.06
10
S/34.72
100
S/31.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/45.35
703 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R031CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
703 En existencias
1
S/45.35
10
S/27.05
100
S/23.00
480
S/22.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.15
4,880 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,880 En existencias
1
S/6.15
10
S/2.93
100
S/2.61
500
S/2.04
1,000
S/1.56
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Detalles
Perú
