Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.24
3,958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,958 En existencias
1
S/4.24
10
S/2.67
100
S/1.74
500
S/1.35
3,000
S/1.11
6,000
Ver
1,000
S/1.22
6,000
S/0.996
9,000
S/0.926
24,000
S/0.915
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.56
648 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
648 En existencias
1
S/11.56
10
S/7.16
100
S/6.50
500
S/5.25
1,000
S/4.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
95 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.23
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
598 En existencias
1
S/9.23
10
S/5.88
100
S/4.01
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S/3.36
1,000
Ver
1,000
S/2.95
2,500
S/2.73
5,000
S/2.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Tube