Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R1K2P7ATMA1

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S/5.02

S/3.29

S/2.58

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S/1.86

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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4.5 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

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37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
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726-IPA80R450P7XKSA1

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S/10.51

S/6.03

S/4.83

S/3.89

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N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

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3 V

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- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
4,870En existencias

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S/7.08

S/3.67

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S/2.42

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
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19,160En existencias

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S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R750P7ATMA1
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S/5.53

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Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.36
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S/23.36

S/13.82

S/11.44

S/9.58

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
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3,511En existencias

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IPL60R065P7AUMA1

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S/31.72

S/22.34

S/18.06

S/16.08

S/14.36

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
5,750En existencias

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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

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S/8.60

S/4.94

S/3.86

S/3.09

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.62
921En existencias

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IPA95R450P7XKSA1

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726-IPA95R450P7XKSA1

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S/8.84

S/6.07

S/5.06

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
1,669En existencias

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IPAN70R360P7SXKSA1

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S/7.94

S/4.40

S/3.27

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26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.91
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IPD95R1K2P7ATMA1

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S/8.91

S/5.61

S/3.67

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.28

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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6 A

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2.5 V

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52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
2,981En existencias

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IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

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S/4.52

S/2.41

S/1.94

S/1.53

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1.5 A

4.5 Ohms

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3 V

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+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

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S/7.16

S/4.20

S/2.88

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.93

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

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S/8.76

S/5.49

S/3.63

S/2.88

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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
26,333En existencias
28,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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26,333En existencias

28,800En pedido

S/16.27

S/10.63

S/7.94

S/6.66

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.72
18,403En existencias
2,500Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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18,403En existencias

2,500Se espera el 22/04/2027

S/24.72

S/13.82

S/11.95

S/10.70

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.65
6,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/41.65

S/27.29

S/24.99

S/21.76

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.52
1,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,319En existencias

Cinta cortada

S/24.52

S/16.19

S/11.83

S/9.89

Envase tipo carrete

S/9.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.31
2,603En existencias
5,000Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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2,603En existencias

5,000Se espera el 20/07/2026

Cinta cortada

S/13.31

S/8.64

S/5.96

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
5,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

5,548En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.02

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.42
2,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,509En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/5.72

S/4.28

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
4,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,928En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.75
473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/25.11

S/20.71

S/18.41

S/17.44

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.98
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IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/10.32

S/8.56

S/7.08

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
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IPA60R280P7SXKSA1

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726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.15

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W