Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

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Resultados: 115

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/6.38 68,653En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	68,653En existencias	S/6.38 S/3.01 S/2.68 S/2.25 Ver S/1.67 S/1.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	600 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.08 4,868En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,868En existencias	Cinta cortada S/13.08 S/6.58 S/5.92 S/4.79 S/4.67 Envase tipo carrete S/4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/6.66 4,860En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,860En existencias	S/6.66 S/3.15 S/2.81 S/2.20 Ver S/1.78 S/1.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.41 9,148En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9,148En existencias	Cinta cortada S/5.41 S/2.54 S/2.26 S/1.76 Envase tipo carrete S/1.41 Ver S/1.72 S/1.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.45 4,448En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,448En existencias	Cinta cortada S/8.45 S/4.09 S/3.64 S/2.90 S/2.69 Envase tipo carrete S/2.38	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/17.24 5,234En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R120P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R120P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,234En existencias	Cinta cortada S/17.24 S/8.84 S/7.98 S/6.77 Envase tipo carrete S/6.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.97 8,670En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,670En existencias	Cinta cortada S/6.97 S/3.31 S/2.95 S/2.32 Envase tipo carrete S/1.86 Ver S/2.16 S/1.83	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.48 3,510En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,510En existencias	S/27.48 S/14.32 S/13.16 S/11.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/31.41 3,453En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,453En existencias	Cinta cortada S/31.41 S/17.05 S/15.65 S/15.22 S/14.36 Envase tipo carrete S/14.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.84 1,266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R900P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R900P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,266En existencias	S/8.84 S/4.28 S/3.83 S/2.80 S/2.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/7.90 1,431En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,431En existencias	S/7.90 S/3.54 S/3.18 S/2.66 Ver S/2.35 S/2.34	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.77 2,472En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,472En existencias	Cinta cortada S/6.77 S/3.22 S/2.72 S/2.24 Envase tipo carrete S/1.85 Ver S/2.07 S/1.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/7.82 1,659En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,659En existencias	S/7.82 S/3.75 S/3.36 S/2.70 Ver S/2.39 S/2.27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	30 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.52 1,368En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,368En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/8.52 S/4.13 S/3.68 S/2.92 S/2.71 Envase tipo carrete S/2.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/38.26 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	220En existencias	S/38.26 S/20.63 S/19.03 S/18.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.66 2,007En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R2K0P7ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,007En existencias	Cinta cortada S/6.66 S/3.15 S/2.81 S/2.20 Envase tipo carrete S/1.76 Ver S/2.11 S/1.72 S/1.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/11.64 1,449En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,449En existencias	S/11.64 S/5.80 S/5.22 S/4.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	30 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/31.88 4,712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,712En existencias	Cinta cortada S/31.88 S/21.33 S/17.17 S/15.38 Envase tipo carrete S/14.48 Ver S/14.17 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.77 12,678En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,678En existencias	S/41.77 S/22.69 S/20.98 S/20.82	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/9.93 7,876En existencias 500Se espera el 21/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA80R750P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R750P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,876En existencias 500Se espera el 21/10/2026	S/9.93 S/4.83 S/4.44 S/3.52 S/2.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.74 1,282En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R080P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,282En existencias	Cinta cortada S/23.74 S/14.09 S/11.48 S/10.20 Envase tipo carrete S/9.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.00 7,565En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,565En existencias	Cinta cortada S/13.00 S/6.50 S/5.88 S/4.75 Envase tipo carrete S/4.36 S/4.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.82 4,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,443En existencias	Cinta cortada S/10.82 S/5.33 S/4.79 S/3.85 Envase tipo carrete S/3.54 S/3.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.09 32,709En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD70R1K4P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	32,709En existencias	Cinta cortada S/4.09 S/1.88 S/1.66 S/1.28 Envase tipo carrete S/1.02 Ver S/1.23 S/0.895 S/0.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	22.7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/55.58 1,004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,004En existencias	S/55.58 S/31.14 S/29.97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	101 A	24 mOhms	20 V	3.5 V	164 nC	- 55 C	+ 150 C	291 W	Enhancement	CoolMOS	Tube