Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
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732En existencias
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Cinta cortada

S/32.58

S/21.80

S/14.95

S/14.13

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

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1 Channel

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61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

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201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.95
1,296En existencias

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Cinta cortada

S/24.95

S/17.05

S/12.49

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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1: S/19.97
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Cinta cortada

S/19.97

S/13.23

S/9.42

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R120P7ATMA1
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5,255En existencias

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S/17.24

S/11.37

S/8.02

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Envase tipo carrete

S/6.73

S/6.34

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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26 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
2,294En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

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12,500Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/11.21

S/7.28

S/5.02

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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18 A

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
11,362En existencias
7,500Se espera el 22/04/2027

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IPD60R180P7SAUMA1

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726-IPD60R180P7SAUMA

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S/8.56

S/5.49

S/3.71

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.56

Ver

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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18 A

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72 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
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3,200En existencias

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IPD60R280P7SAUMA1

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726-IPD60R280P7SAUMA

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S/7.55

S/4.75

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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12 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
7,751En existencias

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IPD60R600P7SAUMA1

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726-IPD60R600P7SAUMA

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S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

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600 V

6 A

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3.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
17,946En existencias
15,000Se espera el 28/12/2026

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IPD70R1K4P7SAUMA1

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S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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4 A

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22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
16,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

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726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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700 V

6 A

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- 16 V, 16 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
8,972En existencias

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IPD80R280P7ATMA1

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726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/14.29

S/9.58

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

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N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

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- 30 V, 30 V

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36 nC

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101 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
9,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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9,148En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.41

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
7,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

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7,500En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
12,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
3,052En existencias
2,500Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

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3,052En existencias

2,500Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/10.82

S/6.97

S/4.75

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.86
1,256En existencias
6,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,256En existencias

6,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/20.86

S/13.86

S/10.28

S/8.95

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
7,614En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

7,614En existencias

3,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/10.82

S/7.86

S/6.66

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

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111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
3,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,692En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.07
3,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,752En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
4,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,823En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
9,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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9,743En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.08

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
5,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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5,912En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.18

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.08
289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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289En existencias

S/55.08

S/33.40

S/29.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
3,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,520En existencias

S/27.48

S/15.73

S/13.16

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.95
652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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652En existencias

S/21.95

S/12.85

S/10.67

S/9.85

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W