Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 37

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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Hoja de datos

75En existencias

S/10.51

S/4.94

S/4.67

S/3.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Hoja de datos

836En existencias

S/9.58

S/4.71

S/4.24

S/3.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,699En existencias

S/6.97

S/3.69

S/3.00

S/2.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,012En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.02

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
95En existencias
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

95En existencias

7,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.57

S/1.70

S/1.31

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
4,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,741En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,298En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD90R1K2C3ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.52
584En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90R1K2C3ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90R1K2C3ATMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

584En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.78

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

5.1 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: S/19.19
27En existencias
1,200Se espera el 5/03/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

27En existencias

1,200Se espera el 5/03/2026

S/19.19

S/10.78

S/8.64

S/7.28

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
500: S/3.97
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/3.97

S/3.46

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/6.31

S/2.72

S/2.46

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPP90R1K2C3XKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.67
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP90R1K2C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP90R1K2C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/7.67

S/5.49

S/4.44

S/3.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

5.1 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W