Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
3,751En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,751En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/5.64

S/4.16

S/3.36

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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6 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
8,754En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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Hoja de datos

8,754En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.58

S/2.06

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.54

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA90R340C3XKSA2
Infineon Technologies
1: S/25.77
595En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA90R340C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA90R340C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

595En existencias

S/25.77

S/15.30

S/12.42

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
2,903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,903En existencias

S/6.77

S/3.23

S/2.75

S/2.34

S/1.85

Min.: 1
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TO-220-3

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12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,699En existencias

S/6.81

S/3.32

S/2.88

S/2.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

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700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

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16.4 nC

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+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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852En existencias

S/16.11

S/8.33

S/7.55

S/5.92

S/5.68

Min.: 1
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1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
8,768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,768En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.84
12,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,369En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.13

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3
Infineon Technologies
1: S/57.73
211En existencias
240Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

Hoja de datos

211En existencias

240Se espera el 28/05/2026

S/57.73

S/44.65

S/38.61

S/38.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

54.9 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

288 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW90R120C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.38
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW90R120C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW90R120C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

231En existencias

S/64.38

S/39.59

S/36.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

36 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
1: S/13.35
330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

330En existencias

S/13.35

S/6.81

S/6.15

S/4.94

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: S/19.46
1,557En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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1,557En existencias

S/19.46

S/10.94

S/8.60

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.80
881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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881En existencias

S/21.80

S/11.37

S/10.39

S/9.77

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
12,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,871En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.44
5,903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

5,903En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.93

S/1.93

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
8,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

8,794En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

3 A

1.64 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.65
709En existencias
750Se espera el 1/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB90R340C3ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90R340C3ATMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

709En existencias

750Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/25.65

S/16.82

S/12.42

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: S/17.13
395En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Comentarios de Producto

395En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/10.16

S/7.90

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
8En existencias
1,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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Hoja de datos

8En existencias

1,000Se espera el 10/09/2026

S/14.48

S/7.32

S/6.62

S/5.33

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

IPP50R280CE
Infineon Technologies
1: S/7.05
842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R280CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R280CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

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Hoja de datos

842En existencias

S/7.05

S/3.36

S/2.99

S/2.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.07
54En existencias
240Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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Hoja de datos

54En existencias

240Se espera el 28/05/2026

S/61.07

S/37.87

S/34.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

54.9 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

288 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.72
942En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

942En existencias

S/5.72

S/2.69

S/2.40

S/1.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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Hoja de datos

63En existencias

S/7.98

S/4.20

S/3.29

S/2.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
78En existencias
2,500Se espera el 13/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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78En existencias

2,500Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/4.98

S/3.06

S/2.11

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.9 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

82 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
601En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

601En existencias

S/17.17

S/8.99

S/8.14

S/6.66

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W