Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

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Resultados: 64

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM130NB04CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.55
9,996En existencias

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TQM130NB04CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM130NB04CVRGG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.09

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MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM250NB06CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.87
9,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM250NB06CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM250NB06CVRGG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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9,865En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

60 V

26 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM300NB06CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.55
9,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM300NB06CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06CVRGG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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9,880En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

60 V

22 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/15.69
4,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM019NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,972En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/10.28

S/7.20

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

214 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

64 nC

- 55 C

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150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/16.15
4,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM019NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,992En existencias

Cinta cortada

S/16.15

S/10.55

S/7.67

S/6.42

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/12.30
4,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,980En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.53

S/4.48

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/12.30
4,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.53

S/4.48

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.9 V

63.3 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM076NH04LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/10.08
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM076NH04LDCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM076NH04LDCRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

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898En existencias

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S/10.08

S/6.50

S/4.44

S/3.54

S/3.26

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

7.6 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

10.7 nC

- 55 C

+ 175 C

46.8 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM123KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.13
16,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM123KCX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM123KCXRFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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16,928En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.685

S/0.428

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

328 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.17
12,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM138KCU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM138KCURFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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12,612En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.288

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.13
37,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM138KCX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM138KCXRFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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37,511En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.685

S/0.428

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

400 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.44
21,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM138KDCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM138KDCU6RFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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21,655En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.88

S/0.553

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

N-Channel

1 Channel

60 V

320 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

320 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.17
16,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002KCU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002KCURFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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16,769En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

320 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

316 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.13
7,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002KCX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002KCXRFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

7,189En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.685

S/0.428

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

370 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

416 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.44
17,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002KDCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002KDCU6RF

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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17,220En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.88

S/0.553

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

N-Channel

1 Channel

60 V

330 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

337 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.17
16,941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM84KCU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM84KCURFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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16,941En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

160 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM050NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/10.94
2,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM050NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM050NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

2,608En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.87

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

114 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002CX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.28
18,000Se espera el 28/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002CX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002CXRFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

18,000Se espera el 28/10/2026

Cinta cortada

S/1.28

S/0.763

S/0.471

S/0.378

S/0.327

Envase tipo carrete

S/0.284

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23

N-Channel

1 Channel

60 V

380 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

806 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.25
18,000Se espera el 25/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TQM84KCX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM84KCXRFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

18,000Se espera el 25/11/2026

Cinta cortada

S/1.25

S/0.806

S/0.506

S/0.358

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.234

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

190 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

403 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.44
18,000Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TQM84KDCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM84KDCU6RFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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18,000Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/1.44

S/0.88

S/0.553

S/0.409

S/0.362

Envase tipo carrete

S/0.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

P-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

320 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04CR-V RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/13.66
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04CR-V RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04CRVRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/13.66

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04LCR-V RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/13.66
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NH04LCR-V RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04LCRVRL

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/13.66

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.9 V

63.3 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM043NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/2.85
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TQM043NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM043NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/2.85

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

4.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 4.8V

TQM048NH10CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/5.84
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM048NH10CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM048NH10CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

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Cinta cortada

S/5.84

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

146 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM056NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/2.33
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TQM056NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM056NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas

Cinta cortada

S/2.33

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

27.3 nC

- 55 C

+ 175 C

78.9 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

TQMx Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

160 mA
170 mA
190 mA
260 mA
310 mA
320 mA
330 mA
360 mA
370 mA
380 mA
6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
24 A
26 A
31 A
33 A

1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
4.3 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.6 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
13 mOhms
14.5 mOhms
15 mOhms
17 mOhms

1.7 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
4.8 nC
5.5 nC
5.8 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
8.4 nC
8.7 nC
9.4 nC
10.7 nC
11 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.2 nC
16 nC

300 mW
316 mW
320 mW
328 mW
337 mW
376 mW
400 mW
403 mW
416 mW
568 mW
806 mW
2.5 W
3.1 W
30 W
35 W
36 W
43 W
46.8 W
48 W
49 W