Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 64

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.09
14,970En existencias
3,000Se espera el 1/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002KCU RFG

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821-TQM2N7002KCURFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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3,000Se espera el 1/05/2026

Cinta cortada

S/1.09

S/0.673

S/0.42

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

320 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

316 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.05
11,066En existencias
Nuevo producto

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821-TQM2N7002KCXRFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/1.05

S/0.638

S/0.479

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

370 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

416 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.09
17,566En existencias
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TQM84KCU RFG

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821-TQM84KCURFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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17,566En existencias

Cinta cortada

S/1.09

S/0.673

S/0.42

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

160 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/13.62
4,972En existencias

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TQM019NH04CR RLG

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821-TQM019NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/13.62

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

214 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/13.23
4,993En existencias

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TQM019NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/13.23

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/10.47
4,980En existencias

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TQM025NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/10.47

S/7.32

S/5.18

S/4.28

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.34
5,000En existencias

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TQM025NH04LCR RLG

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821-TQM025NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/9.34

S/6.97

S/5.18

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.9 V

63.3 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM032NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.72
3,000En existencias

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TQM032NH04LCR RLG

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821-TQM032NH04LCRRLG

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S/8.72

S/6.19

S/4.28

S/3.43

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

3.2 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

23.7 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM043NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.03
2,473En existencias

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TQM043NH04CR RLG

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821-TQM043NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/6.03

S/5.06

S/4.13

S/3.48

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM043NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.17
5,000En existencias

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TQM043NH04LCR RLG

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821-TQM043NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/8.17

S/5.49

S/3.93

S/3.13

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Envase tipo carrete

S/2.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

4.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM056NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.85
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM056NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM056NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.83

S/3.35

S/2.66

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

27.3 nC

- 55 C

+ 175 C

78.9 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM070NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.57
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM070NH04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM070NH04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.89

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

55.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM070NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.11
4,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM070NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM070NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

4,995En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/4.13

S/2.90

S/2.29

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

7 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

46.8 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM076NH04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.42
2,496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM076NH04DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM076NH04DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,496En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.07

S/4.16

S/3.31

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56 Dual

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

13.6 nC

- 55 C

+ 175 C

55.6 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM050NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.30
4,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM050NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM050NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

4,647En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/6.42

S/4.52

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

114 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM056NH04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.85
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM056NH04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM056NH04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

1,750En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.83

S/3.35

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

5.6 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

14.2 nC

- 55 C

+ 175 C

78.9 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM076NH04LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.84
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM076NH04LDCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM076NH04LDCRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

898En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/6.07

S/4.16

S/3.31

Envase tipo carrete

S/2.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

7.6 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

10.7 nC

- 55 C

+ 175 C

46.8 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.32
1,165En existencias
18,000Se espera el 22/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002KDCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002KDCU6RF

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

1,165En existencias

18,000Se espera el 22/06/2026

Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.467

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.234

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

N-Channel

1 Channel

60 V

330 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

337 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V MOSFET 15 MOhms

TQM150NB04DCR
Taiwan Semiconductor
1: S/7.40
4,961Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TQM150NB04DCR

N.º de artículo de Mouser
821-TQM150NB04DCR

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V MOSFET 15 MOhms

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Hoja de datos

4,961Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.16

S/2.51

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

2 Channel

40 V

39 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KCX RFG
Taiwan Semiconductor
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S/0.214

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

400 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
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S/0.821

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S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.28

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

N-Channel

1 Channel

60 V

320 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

320 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KCX RFG
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821-TQM84KCXRFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/0.572

S/0.354

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S/0.23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

190 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

403 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM84KDCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
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821-TQM84KDCU6RFG

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S/0.821

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S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.249

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-3

P-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

320 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04CR-V RLG
Taiwan Semiconductor
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TQM025NH04CR-V RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NH04LCR-V RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/11.87
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TQM025NH04LCR-V RLG

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821-TQM025NH04LCRVRL

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/11.87

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Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.9 V

63.3 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel

TQMx Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

160 mA
170 mA
190 mA
260 mA
310 mA
320 mA
330 mA
360 mA
370 mA
380 mA
6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
24 A
26 A
31 A
33 A

1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
4.3 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.6 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
13 mOhms
14.5 mOhms
15 mOhms
17 mOhms

1.7 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
4.8 nC
5.5 nC
5.8 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
8.4 nC
8.7 nC
9.4 nC
10.7 nC
11 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.2 nC
16 nC

300 mW
316 mW
320 mW
328 mW
337 mW
376 mW
400 mW
403 mW
416 mW
568 mW
806 mW
2.5 W
3.1 W
30 W
35 W
36 W
43 W
46.8 W
48 W
49 W