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TQM84KDCU6 RFG

Name: Taiwan Semiconductor TQM84KDCU6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM84KDCU6RFG
Price: 1.52 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TQM84KDCU6RFG

Fabricante N.º:

TQM84KDCU6 RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.52	S/1.52
	S/1.13	S/11.30
	S/0.642	S/64.20
	S/0.432	S/216.00
	S/0.331	S/331.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.237	S/711.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	170 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	320 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	19.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	39.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.5 ns
Peso de la unidad:	7 mg

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TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.